技術(shù)特征：

1.一種具有深槽和T-POLY結(jié)構(gòu)的溝槽型MOS肖特基整流器，包括外延層，所述外延層上沿橫向間隔刻蝕形成若干個縱向的溝槽，其特征在于，所述溝槽自外延層的上表面向下延伸，所述外延層的厚度為D，其中D大于0，所述溝槽的深度為；每個溝槽的底部以及兩內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有絕緣介質(zhì)，位于兩內(nèi)側(cè)壁的絕緣介質(zhì)呈上窄下寬的臺階狀；每個溝槽內(nèi)淀積有多晶，所述多晶呈T型結(jié)構(gòu)且與所述絕緣介質(zhì)緊密貼合，所述多晶由上下設(shè)置于溝槽內(nèi)的橫向肩部和縱向延伸部組成，所述橫向肩部的上表面與外延層的上表面平齊，下表面延伸至縱向延伸部的上表面；所述橫向肩部的厚度為溝槽深度的三分之一至二分之一；所述縱向延伸部的上表面位于橫向肩部的下表面，所述縱向延伸部的下表面延伸至位于底部的絕緣介質(zhì)處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有深槽和T-POLY結(jié)構(gòu)的溝槽型MOS肖特基整流器，其特征在于，所述外延層的摻雜材料為硅，并且硅的電阻率為0.48～0.72 ohm.cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有深槽和T-POLY結(jié)構(gòu)的溝槽型MOS肖特基整流器，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)為二氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有深槽和T-POLY結(jié)構(gòu)的溝槽型MOS肖特基整流器，其特征在于，所述外延層上覆有介質(zhì)層。

5.一種具有深槽和T-POLY結(jié)構(gòu)的溝槽型MOS肖特基整流器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在外延層上沿橫向間隔刻蝕形成若干個縱向的溝槽，所述溝槽自外延層的上表面向下延伸，設(shè)定所述外延層的厚度為D，其中D大于0，所述溝槽的深度為；

步驟S2：在每個溝槽的底部以及兩內(nèi)側(cè)壁熱生長或淀積有絕緣介質(zhì)；

步驟S3：在每個溝槽內(nèi)淀積有多晶并且回刻至每個溝槽深度的三分之一至二分之一處，形成多晶臺階；

步驟S4：刻蝕位于每個溝槽兩側(cè)壁的絕緣介質(zhì)形成下部絕緣介質(zhì)，使得下部絕緣介質(zhì)的上表面與多晶臺階的上表面平齊；

步驟S5：刻蝕去掉多晶臺階，并在每個溝槽兩側(cè)壁下部絕緣介質(zhì)的上表面以上熱生長有上部絕緣介質(zhì)，所述上部絕緣介質(zhì)的厚度小于下部絕緣介質(zhì)的厚度，并且上部絕緣介質(zhì)的上表面與外延層上表面平齊；

步驟S6：在每個溝槽內(nèi)重新淀積多晶并且回刻至外延層上表面，此時在每個溝槽內(nèi)形成T型多晶結(jié)構(gòu)；

步驟S7：分別在外延層的上表面和下表面依次淀積勢壘金屬和傳導(dǎo)金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有深槽和T-POLY結(jié)構(gòu)的溝槽型MOS肖特基整流器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1中，通過干法刻蝕形成溝槽。