本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的快恢復(fù)二極管工藝中，由于Ag的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，活躍性低，富延展性反光率極高，可達(dá)99％以上，導(dǎo)致在生產(chǎn)時(shí)與Si₃N₄接觸時(shí)，粘附性不好，容易產(chǎn)生Si₃N₄脫落和斷裂的現(xiàn)象，嚴(yán)重影響產(chǎn)品封裝可靠性，不適合用于快恢復(fù)二極管芯片的批量生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管，該二極管通過使用金屬層置于鈍化層上，解決了Si₃N₄易斷裂的問題。

本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下：

具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管，該二極管從下至上依次為：Si-SiO₂快恢復(fù)二極管、Al層、Si₃N₄和Ti/Ni/Ag金屬層；采用蒸發(fā)或者濺射的方式在Si-SiO2快恢復(fù)二極管的P型Si上制作Al層后，淀積Si₃N₄保護(hù)層，最后在Al層對應(yīng)的Si₃N₄保護(hù)層開口濺射Ti/Ni/Ag金屬層。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將Ti/Ni/Ag金屬層置于鈍化層Si₃N₄上，解決了由于Ag反光率高導(dǎo)致與Si₃N₄接觸后容易產(chǎn)生Si₃N₄脫落和斷裂的現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。增加了Al在第一層，Al與P+、N+硅或多晶硅能形成低阻的歐姆接觸，使得芯片的正向壓降最小，而且與絕緣體SI₃N₄有良好的附著性，性能最優(yōu)。

附圖說明

圖1本發(fā)明具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖1所示，最下層主要為Si-SiO₂結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管基本結(jié)構(gòu)，通過在N^-型Si上腐蝕圖形，離子注入和推P型Si制作出PN結(jié)，在P型Si上制作一層SiO₂，覆蓋N^-型Si，露出P型Si，在P型Si上制作多晶硅柵極。

在基本結(jié)構(gòu)上為連接用的金屬Al層，在上面為起到保護(hù)作用制作由Si₃N₄組成的鈍化層，最頂端為封裝使用的Ti/Ni/Ag金屬層。

本發(fā)明中先使用蒸發(fā)或?yàn)R射的方式蒸渡Al，Al厚度理論值為1.5±0.3um，反射率理論值控制在180％-200％左右，此層金屬厚度較薄與P型Si能形成低阻的歐姆接觸，使得芯片的正向壓降達(dá)到最小，之后使用PECVD淀積Si₃N₄，淀積厚度理論值為6000±300埃，折射率理論值2.1％±0.2％，最后在Si₃N₄上再次以濺射的方法蒸渡Ti/Ni/Ag金屬層，金屬層厚度通常在2000埃/2000埃/40000埃左右，以達(dá)到封裝焊接的作用。