技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種制備高性能InGaN/AlGaN?MQW紫光LED的方法，分別以藍(lán)氨、高純?nèi)谆熞约案呒內(nèi)谆墳镹、In、Ga源,分別以SiH4和Cp2Mg作為n和p型摻雜劑，包括如下步驟：1、氮化氮化藍(lán)寶石、SiC或Si襯底；2、生長緩沖層并使緩沖層結(jié)晶后，再生長uGaN成核層；3、先生長低Si摻雜的n?GaN層，再生長高Si摻雜的n+GaN層；4、生長n?AlGaN層，5、生長Si摻雜的n+GaN層，再生長不摻Si的nGaN層；6、生長3個(gè)周期的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，再生長8個(gè)周期Al摻雜的InGaN/AlGaN；7、生長PAlGaN層；8、生長Mg摻雜的P+GaN層；9、生長高M(jìn)g摻雜的P++GaN層；本發(fā)明利用LP?MOCVD系統(tǒng)生長特定結(jié)構(gòu)的InGaN/AlGaN?MQW紫光LED外延片，具有制備成本低、節(jié)約時(shí)間且制備的紫外光LED性能好，推進(jìn)了紫光LED外延的產(chǎn)業(yè)化。

技術(shù)研發(fā)人員：田進(jìn);劉波波;田偉;趙俊;李誼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中聯(lián)西北工程設(shè)計(jì)研究院有限公司
文檔號碼：201610793902
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.12.07