技術編號：11956309
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種制備InGaN/AlGaNMQW紫光LED的方法【技術領域】本發(fā)明屬于LED芯片外延生長技術領域，具體涉及一種制備高性能InGaN/AlGaNMQW紫光LED的方法?！颈尘凹夹g】InGaN基紫及紫外光LED在氮化物白光LED照明燈，采用紫及紫外光LED激發(fā)紅綠藍熒光粉等方面有著廣泛的應用。目前，主要采用ELO技術和LEPS技術制備，已成功研制出紫及紫外光LED。然而這些方法制備成本較高，而且耗費時間，一般方法制備的紫外光LED性能較差，限制了其在高性能探測器以及激光器等方面的應用?！景l(fā)明內容...
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