本公開涉及一種顯示裝置，更具體地講，涉及一種防止線路的殘留物缺陷和短路缺陷的顯示裝置。

背景技術(shù)：

各種平板顯示器(FPD)已取代了更重更大的陰極射線管(CRT)。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。

更詳細地講，OLED顯示器是被配置為通過激發(fā)有機化合物來發(fā)射光的自發(fā)射顯示裝置。OLED顯示器不需要液晶顯示器中所使用的背光單元，因此具有薄外形、輕重量和更簡單的制造工藝。OLED顯示器還可在低溫下制造并且具有1ms或更小的快速響應(yīng)時間、低功耗、寬視角和高對比度。

另外，OLED顯示器包括在充當(dāng)陽極的第一電極與充當(dāng)陰極的第二電極之間由有機材料形成的發(fā)光層。OLED顯示器通過使從第一電極接收的空穴與從第二電極接收的電子在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合來形成空穴-電子對(激子)，并且通過激子返回到基態(tài)能級時所生成的能量來發(fā)射光。

另外，OLED顯示器包括通過多個像素實現(xiàn)圖像的顯示區(qū)域以及設(shè)置在顯示區(qū)域之外的非顯示區(qū)域。在非顯示區(qū)域中，設(shè)置有用于將各種信號供應(yīng)給顯示區(qū)域的所述多個像素的多條線。具體地講，所述多條線通常利用具有低電阻的金屬來制成，但是同一層上的線占據(jù)邊框的較大區(qū)域。

OLED顯示器使用陽極作為非顯示區(qū)域的線，以減小非顯示區(qū)域的邊框。然而，當(dāng)對陽極層進行構(gòu)圖時，留下陽極的殘留物。因此，如圖1所示，由于陽極圖案的殘留物問題，在陽極的殘留物與層疊在陽極的殘留物上的層之間生成短路缺陷，從而降低了OLED顯示器的可靠性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的一方面在于提供一種防止線路的殘留物缺陷和短路缺陷的顯示裝置。

在一個方面，一種顯示裝置包括基板、設(shè)置在所述基板上的顯示部分以及設(shè)置在所述顯示部分之外的焊盤部分、設(shè)置在所述顯示部分與所述焊盤部分之間的跳躍部分、設(shè)置在所述基板上的至少兩條電力線、在所述跳躍部分中將所述至少兩條電力線彼此連接的連接圖案以及與所述連接圖案間隔開并且圍繞所述連接圖案的絕緣層。

在另一方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括在基板上的顯示部分、在所述基板上設(shè)置所述顯示部分之外的焊盤部分、從所述顯示部分延伸的第一初始化電力線以及連接至所述焊盤部分的第二初始化電力線。該顯示裝置還包括設(shè)置在所述第一初始化電力線和第二初始化電力線之間的高電位電力線、設(shè)置在所述高電位電力線的一側(cè)并且連接至所述焊盤部分的低電位電力線、設(shè)置在所述顯示部分和所述焊盤部分之間的跳躍部分、在所述跳躍部分中將所述第一初始化電力線和所述第二初始化電力線彼此連接的連接圖案以及圍繞所述連接圖案的水平部分并且不圍繞所述連接圖案的垂直部分的絕緣層。

本申請的進一步的適用范圍將從下文給出的詳細描述而變得顯而易見。然而，僅示意性地在指示本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的同時給出詳細描述和具體示例，因為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，通過該詳細描述，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種改變和修改將變得顯而易見。

附圖說明

附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，并且被并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，并且與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。附圖中：

圖1是示出在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器中生成的短路的圖像；

圖2是OLED顯示器的示意性框圖；

圖3示出子像素的電路配置的第一示例；

圖4示出子像素的電路配置的第二示例；

圖5是示出OLED顯示器的平面圖；

圖6是OLED顯示器的子像素的橫截面圖；

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的OLED顯示器的一部分的平面圖；

圖8是示意性地示出圖7所示的線路的一部分的平面圖；

圖9是沿著圖8的線I-I’截取的橫截面圖；

圖10和圖11是示出在顯示裝置的跳躍部分中發(fā)生短路的橫截面圖；

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的顯示裝置的一部分的平面圖；

圖13是示意性地示出圖12所示的線路的一部分的平面圖；

圖14是沿著圖13的線II-II’截取的橫截面圖；以及

圖15是示出圖14的另一實施方式的橫截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明的實施方式，其示例示出于附圖中。只要可能，貫穿附圖將使用相同的標(biāo)號來指代相同或相似的部分。將注意，如果確定已知技術(shù)會誤導(dǎo)本發(fā)明的實施方式，則所述技術(shù)的詳細描述將被省略。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置是顯示元件形成在柔性塑料基板上的塑料顯示裝置。塑料顯示裝置的示例包括OLED顯示器、LCD和電泳顯示器。使用OLED顯示器作為塑料顯示裝置的示例描述本發(fā)明的實施方式。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示器可使用玻璃基板以及塑料基板。

代替上述OLED顯示器，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置還可使用液晶顯示器。例如，當(dāng)本發(fā)明的實施方式被應(yīng)用于液晶顯示器時，液晶顯示器的像素電極或公共電極按照與根據(jù)本發(fā)明的實施方式的陽極相同的方式形成為透明導(dǎo)電層。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的陽極可被應(yīng)用于液晶顯示器的電源單元的線路。

下面參照圖2至圖15描述本發(fā)明的實施方式。

更詳細地講，圖2是OLED顯示器的示意性框圖，圖3和圖4示出子像素的電路配置的第一示例和第二示例，圖5是示出OLED顯示器的平面圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示器的子像素的橫截面圖。

參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示器包括圖像處理單元10、定時控制器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動器30、選通驅(qū)動器40和顯示面板50。圖像處理單元10輸出從外部供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號DATA和數(shù)據(jù)使能信號DE，并且除了數(shù)據(jù)使能信號DE以外，還可輸出垂直同步信號、水平同步信號和時鐘信號中的一個或更多個。圖像處理單元10以集成電路(IC)形式形成在系統(tǒng)電路板上。

另外，定時控制器20從圖像處理單元10接收數(shù)據(jù)信號DATA和驅(qū)動信號(包括數(shù)據(jù)使能信號DE或者垂直同步信號、水平同步信號、時鐘信號等)。定時控制器20基于驅(qū)動信號輸出用于控制選通驅(qū)動器40的操作定時的選通定時控制信號GDC以及用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器30的操作定時的數(shù)據(jù)定時控制信號DDC。定時控制器20也以IC形式形成在控制電路板上。

另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30響應(yīng)于從定時控制器20供應(yīng)的數(shù)據(jù)定時控制信號DDC對從定時控制器20接收的數(shù)據(jù)信號DATA進行采樣和鎖存，并且將采樣和鎖存的數(shù)據(jù)信號DATA轉(zhuǎn)換為伽馬參考電壓。然后，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30輸出伽馬參考電壓。具體地講，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30通過數(shù)據(jù)線DL1至DLn來輸出數(shù)據(jù)信號DATA。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30以IC形式形成在數(shù)據(jù)電路基板上。

選通驅(qū)動器40響應(yīng)于從定時控制器20供應(yīng)的選通定時控制信號GDC在使選通電壓的電平移位的同時輸出選通信號。選通驅(qū)動器40通過選通線GL1至GLm來輸出選通信號，并且以IC形式形成在選通電路板上或者以面板中柵極(GIP)方式形成在顯示面板50上。

另外，顯示面板50響應(yīng)于分別從數(shù)據(jù)驅(qū)動器30和選通驅(qū)動器40接收的數(shù)據(jù)信號DATA和選通信號來顯示圖像，并且如所示，包括顯示圖像的子像素SP。

參照圖3，各個子像素包括開關(guān)晶體管SW、驅(qū)動晶體管DR、電容器Cst、補償電路CC和OLED。另外，OLED基于由驅(qū)動晶體管DR生成的驅(qū)動電流來進行操作以發(fā)射光。

開關(guān)晶體管SW響應(yīng)于通過第一選通線GL1供應(yīng)的選通信號來執(zhí)行開關(guān)操作以使得通過第一數(shù)據(jù)線DL1供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號作為數(shù)據(jù)電壓被存儲在電容器Cst中。另外，驅(qū)動晶體管DR基于存儲在電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓來操作以使得在高電位電力線VDD與低電位電力線GND之間流過驅(qū)動電流。

補償電路CC是用于補償驅(qū)動晶體管DR的閾值電壓的電路。補償電路CC包括一個或更多個薄膜晶體管和電容器。補償電路CC的配置可根據(jù)補償方法而不同地改變。如圖4所示，包括補償電路CC的子像素還包括用于驅(qū)動補償TFT并且供應(yīng)預(yù)定信號或電力的信號線和電力線。增加的信號線可被定義為用于驅(qū)動包括在子像素中的補償TFT的1-2選通線GL1b。在圖4中，“GL1a”是用于驅(qū)動開關(guān)晶體管SW的1-1選通線。增加的電力線可被定義為用于以預(yù)定電壓對子像素的預(yù)定節(jié)點進行初始化的初始化電力線INIT。然而，這僅是示例，本發(fā)明的實施方式不限于此。

另外，作為示例，圖3和圖4示出一個子像素包括補償電路CC。然而，當(dāng)要補償?shù)膶ο?例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30)被設(shè)置在子像素之外時，補償電路CC可被省略。子像素基本上具有包括開關(guān)晶體管SW、驅(qū)動晶體管DR、電容器和OLED的2T(晶體管)1C(電容器)的配置。然而，當(dāng)補償電路CC被增加到子像素時，子像素可具有3T1C、4T2C、5T2C等的各種配置。

參照圖5，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示器的顯示面板包括基板110、顯示部分DP、焊盤部分60、第一選通驅(qū)動器40a和第二選通驅(qū)動器40b、高電位電力線VDD、低電位電力線GND和初始化電力線INIT。如所示，焊盤部分60形成在基板110的上邊緣處。另外，焊盤部分60電連接至外部電路板。例如，焊盤部分60連接至安裝有數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電路板或者安裝有定時控制器的控制電路板等。

第一選通驅(qū)動器40a和第二選通驅(qū)動器40b是向形成在顯示部分DP中的子像素SP輸出選通信號的電路。另外，第一選通驅(qū)動器40a被設(shè)置在顯示部分DP的左側(cè)并且供應(yīng)選通信號，第二選通驅(qū)動器40b被設(shè)置在顯示部分DP的右側(cè)并且供應(yīng)選通信號。

另外，高電位電力線VDD用于將通過焊盤部分60從外部接收的高電位電力傳送給顯示部分DP的子像素SP。低電位電力線GND用于將通過焊盤部分60從外部接收的低電位電力(或接地電平電力)傳送給顯示部分DP的子像素SP。另外，初始化電力線INIT用于將通過焊盤部分60從外部接收的初始化電力傳送給顯示部分DP的子像素SP。

如所示，高電位電力線VDD和初始化電力線INIT被設(shè)置在焊盤部分60與顯示部分DP之間。具體地講，低電位電力線GND具有介于焊盤部分60和顯示部分DP之間的區(qū)域以及圍繞顯示部分DP的區(qū)域。高電位電力線VDD、低電位電力線GND和初始化電力線INIT形成一對，并且被設(shè)置在顯示面板上。如圖5所示，各自包括線VDD、GND和INIT的兩對可被分別設(shè)置在焊盤部分60的左側(cè)和右側(cè)。

參照圖6，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示器100包括由玻璃、塑料或金屬等制成的基板110。在本發(fā)明的實施方式中，基板110可由塑料制成，更具體地講，可由聚酰亞胺基板制成。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板110具有柔性特性。另外，第一緩沖層112被設(shè)置在基板110上，并且保護在后續(xù)工藝中形成的薄膜晶體管免受雜質(zhì)(例如，從基板110釋放的堿離子)影響。第一緩沖層112可以是氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層或其多層。

另外，屏蔽層114被設(shè)置在第一緩沖層112上，并且防止可能由于使用聚酰亞胺基板而發(fā)生的面板驅(qū)動電流的減小。屏蔽層114可由導(dǎo)電材料、諸如硅的半導(dǎo)體、金屬等形成。第二緩沖層116被設(shè)置在屏蔽層114上，并且保護在后續(xù)工藝中形成的薄膜晶體管免受雜質(zhì)(例如，從屏蔽層114釋放的堿離子)影響。第二緩沖層116可以是氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層或其多層。

另外，半導(dǎo)體層120被設(shè)置在第二緩沖層116上并且可由硅半導(dǎo)體或者氧化物半導(dǎo)體形成。硅半導(dǎo)體可包括非晶硅或者結(jié)晶多晶硅。多晶硅具有高遷移率(例如，高于100cm²/Vs)、低能耗和優(yōu)異的可靠性，因此可被應(yīng)用于驅(qū)動元件中使用的選通驅(qū)動器和/或復(fù)用器(MUX)或者被應(yīng)用于OLED顯示器100的各個像素的驅(qū)動TFT。

由于氧化物半導(dǎo)體具有低截止電流，所以氧化物半導(dǎo)體適合于具有短導(dǎo)通時間和長截止時間的開關(guān)TFT。另外，因為氧化物半導(dǎo)體由于低截止電流而增加了像素的電壓保持時間，所以氧化物半導(dǎo)體適合于需要慢驅(qū)動和/或低功耗的顯示裝置。另外，半導(dǎo)體層120包括漏區(qū)和源區(qū)(各自包括p型雜質(zhì)或n型雜質(zhì))。除了漏區(qū)和源區(qū)以外，半導(dǎo)體層120還包括溝道區(qū)。

另外，柵極絕緣層125被設(shè)置在半導(dǎo)體層120上，并且可以是氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層或其多層。柵極130被設(shè)置在柵極絕緣層125上半導(dǎo)體層120的預(yù)定部分中(即，當(dāng)雜質(zhì)被注入時與溝道區(qū)對應(yīng)的位置處)。柵極130由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)中的一種或其組合形成。另外，柵極130可以是由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)中的一種或其組合形成的多層。例如，柵極130可被形成為Mo/Al-Nd或Mo/Al的雙層。

層間介電層135被設(shè)置在柵極130上，并且可以是氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層或其多層。還通過對層間介電層135和柵極絕緣層125中的每一個的一部分進行蝕刻來形成暴露半導(dǎo)體層120的一部分的接觸孔137和138。在這種情況下，半導(dǎo)體層120的通過接觸孔137和138暴露的部分可以為源區(qū)和漏區(qū)。

源極140和漏極145還通過穿過層間介電層135和柵極絕緣層125的接觸孔137和138電連接至半導(dǎo)體層120。源極140和漏極145中的每一個可形成為單層或多層。當(dāng)源極140和漏極145中的每一個形成為單層時，源極140和漏極145中的每一個可由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)中的一種或其組合形成。當(dāng)源極140和漏極145中的每一個形成為多層時，源極140和漏極145中的每一個可形成為Mo/Al-Nd的雙層或者Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三層。因此，形成包括半導(dǎo)體層120、柵極130、源極140和漏極145的薄膜晶體管TFT。

另外，鈍化層136被設(shè)置在包括薄膜晶體管TFT的基板110上。鈍化層136是保護鈍化層136下面的薄膜晶體管TFT的保護層，并且可以是氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層或其多層。還在鈍化層136上設(shè)置平坦化層150以用于減小下面的結(jié)構(gòu)的高度差。平坦化層150可由諸如聚酰亞胺、基于苯并環(huán)丁烯的樹脂和丙烯酸酯的有機材料形成，并且通過旋涂玻璃(SOG)方法來涂布液態(tài)的有機材料然后使有機材料固化來形成。如所示，平坦化層150包括暴露薄膜晶體管TFT的漏極145的通孔155。

還在平坦化層150上設(shè)置第一電極160。第一電極160是陽極并且可由諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)和氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)電材料形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O160是反射電極時，第一電極160還包括反射層。該反射層可由鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)，Pd(鈀)或其組合形成。優(yōu)選地，反射層可由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。因此，第一電極160填充通孔155并且可連接至薄膜晶體管TFT的源極145。

另外，堤層165被設(shè)置在包括第一電極160的基板110上。堤層165是暴露第一電極160的一部分以限定像素的像素限定層。堤層165可由諸如聚酰亞胺、基于苯并環(huán)丁烯的樹脂和丙烯酸酯的有機材料形成。如所示，堤層165包括暴露第一電極160的開口167。

有機發(fā)光層170被設(shè)置在通過堤層165的開口167暴露的第一電極160上。有機發(fā)光層170是電子和空穴復(fù)合并發(fā)射光的層?？昭ㄗ⑷雽踊蚩昭▊鬏攲涌杀辉O(shè)置在有機發(fā)光層170和第一電極160之間，電子注入層或電子傳輸層可被設(shè)置在有機發(fā)光層170上。

另外，第二電極180被設(shè)置在形成有有機發(fā)光層170的基板110上。第二電極180被設(shè)置在顯示部分DP的整個表面上。另外，第二電極180是陰極電極并且可由各自具有低功函數(shù)的鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、銀(Ag)或其組合形成。當(dāng)?shù)诙姌O180是透射電極時，第二電極180足夠薄以透射光，當(dāng)?shù)诙姌O180是反射電極時，第二電極180足夠厚以反射光。然而，OLED顯示器具有可能在制造顯示面板時生成的驅(qū)動不良或者短路的問題。

<第一實施方式>

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的OLED顯示器的一部分的平面圖，圖8是示意性地示出圖7所示的線路的一部分的平面圖，圖9是沿著圖8的線I-I’截取的橫截面圖。

參照圖7和圖8，從顯示部分DP延伸的第一初始化電力線INIT1以及連接至焊盤部分60的第二初始化電力線INIT2被設(shè)置在基板110上。另外，高電位電力線VDD被設(shè)置在第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2之間并且連接至焊盤部分60。低電位電力線GND被設(shè)置在高電位電力線VDD的一側(cè)并且連接至焊盤部分60。

如所示，第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2通過設(shè)置在第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2上的連接圖案ALP彼此連接。具體地講，第一初始化電力線INIT1通過第一接觸孔CH1連接至連接圖案ALP，第二初始化電力線INIT2通過第二接觸孔CH2連接至連接圖案ALP。

連接圖案ALP由與充當(dāng)子像素的陽極的第一電極相同的透明導(dǎo)電材料形成。連接圖案ALP包括平行于第一初始化電力線INIT1的水平部分HP和垂直于第一初始化電力線INIT1的垂直部分VP。如所示，連接圖案ALP的水平部分HP還與第一初始化電力線INIT1交疊并且連接至第一初始化電力線INIT1。連接圖案ALP的垂直部分VP跳躍過高電位電力線VDD并且連接至第二初始化電力線INIT2。

另外，連接圖案ALP被絕緣層INL圍繞。即，絕緣層INL被設(shè)置為圍繞連接圖案ALP。更具體地講，絕緣層INL圍繞連接圖案ALP的水平部分HP，不圍繞連接圖案ALP的垂直部分VP。由于絕緣層INL由與圖6所示的子像素SP的平坦化層相同的材料形成并且連接圖案ALP的垂直部分VP與焊盤部分60相鄰，所以在垂直部分VP周圍不形成絕緣層INL。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此。例如，絕緣層INL可被設(shè)置為圍繞連接圖案ALP的垂直部分VP。

圖9示出跳躍部分JP的橫截面結(jié)構(gòu)，參照圖9，絕緣層INL被設(shè)置在鈍化層136上。絕緣層INL被設(shè)計為具有傾斜部分SLP。連接圖案ALP被設(shè)置在絕緣層INL和鈍化層136上。更具體地講，連接圖案ALP從絕緣層INL的上表面沿著絕緣層INL的傾斜部分SLP形成在鈍化層136上。在本文所公開的實施方式中，連接圖案ALP由與充當(dāng)陽極的第一電極相同的透明導(dǎo)電材料(例如，ITO)形成。在這種情況下，發(fā)生在對連接圖案ALP進行構(gòu)圖之后在連接圖案ALP的蝕刻部分中部分地留下ITO的殘留物缺陷。因此，本發(fā)明的實施方式在連接圖案ALP的邊緣處形成具有傾斜部分SLP的絕緣層INL。

當(dāng)連接圖案ALP的邊緣(即，稍后被蝕刻并去除的部分)被設(shè)置在絕緣層INL上時，連接圖案ALP的構(gòu)圖部分被設(shè)置在提高的位置處。因此，在對連接圖案ALP進行構(gòu)圖的工藝中連接圖案ALP的上部的暴露量增加，并且對連接圖案ALP應(yīng)用的蝕刻劑的量增加。結(jié)果，可防止連接圖案ALP的殘留物缺陷。

在本發(fā)明的實施方式中，當(dāng)絕緣層INL的面積增大或者絕緣層INL的傾斜部分SLP的傾斜角度增大時，無疑可進一步防止連接圖案ALP的殘留物缺陷。然而，由于與絕緣層INL相鄰的其它組件，絕緣層INL的面積不可能無限地增大。因此，可適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)絕緣層INL的面積和傾斜角度。還在形成在基板110上的連接圖案ALP上設(shè)置堤層165，并且在堤層165上設(shè)置充當(dāng)陰極的第二電極180。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的OLED顯示器在跳躍部分JP中形成連接第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2的連接圖案ALP并且在連接圖案ALP的邊緣處形成絕緣層INL，從而防止連接圖案ALP的殘留物。

接下來，圖10和圖11是示出在顯示裝置的跳躍部分中發(fā)生短路的橫截面圖。參照圖10和圖11，在連接圖案ALP上通過厚厚地涂布有機材料然后對有機材料進行曝光和焙燒來形成堤層165。由于絕緣層INL的高度，與絕緣層INL對應(yīng)的堤層165更多地曝露于UV光。因此，由于在后續(xù)的焙燒工藝中絕緣層INL的體積減小，所以連接圖案ALP可能暴露。如果連接圖案ALP暴露，則可能由于形成在堤層165上的第二電極180與連接圖案ALP之間的接觸而發(fā)生短路。

以下，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式，描述了一種防止在跳躍部分中生成的短路的顯示裝置。

<第二實施方式>

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的顯示裝置的一部分的平面圖，圖13是示意性地示出圖12所示的線路的一部分的平面圖，圖14是沿著圖13的線II-II’截取的橫截面圖，圖15是示出圖14的另一實施方式的橫截面圖。在第二實施方式中，與第一實施方式中描述的結(jié)構(gòu)和組件相同或等同的結(jié)構(gòu)和組件利用相同的標(biāo)號來指代，并且進一步的描述可簡要地進行或者可被完全省略。

參照圖12和圖13，從顯示部分DP延伸的第一初始化電力線INIT1和連接至焊盤部分60的第二初始化電力線INIT2被設(shè)置在基板110上。高電位電力線VDD被設(shè)置在第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2之間并且連接至焊盤部分60。另外，低電位電力線GND被設(shè)置在高電位電力線VDD的一側(cè)并且連接至焊盤60。第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2通過設(shè)置在第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2上的連接圖案ALP來彼此連接。

連接圖案ALP被絕緣層INL圍繞。即，絕緣層INL被設(shè)置為圍繞連接圖案ALP。根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的絕緣層INL在圍繞連接圖案ALP的同時與連接圖案ALP間隔開。在本發(fā)明的第一實施方式中，從絕緣層INL的上表面設(shè)置連接圖案ALP，但是絕緣層INL的上表面上的連接圖案ALP可由于堤層而暴露。另一方面，在本發(fā)明的第二實施方式中，連接圖案ALP與絕緣層INL間隔開并且不被暴露。

按照與本發(fā)明的第一實施方式相同的方式，絕緣層INL圍繞連接圖案ALP的水平部分HP，不圍繞連接圖案ALP的垂直部分VP。由于絕緣層INL由與圖6所示的子像素SP的平坦化層相同的材料形成并且連接圖案ALP的垂直部分VP與焊盤部分相鄰，所以在垂直部分VP周圍不形成絕緣層INL。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此。例如，絕緣層INL可被設(shè)置為圍繞連接圖案ALP的垂直部分VP。因此，絕緣層INL形成為圍繞連接圖案ALP的島圖案(更具體地講，除了連接圖案ALP的垂直部分VP之外圍繞水平部分HP的島圖案)。

圖14示出跳躍部分JP的橫截面結(jié)構(gòu)，參照圖14，鈍化層136被設(shè)置在第一初始化電力線INIT1上，絕緣層INL和連接圖案ALP被設(shè)置在鈍化層136上。

連接圖案ALP穿過鈍化層136并且連接至第一初始化電力線INIT1。絕緣層INL被配置為具有傾斜部分SLP以使得在對連接圖案ALP進行構(gòu)圖之后連接圖案ALP不會遺留。另外，連接圖案ALP被設(shè)置在鈍化層136上并且與絕緣層INL間隔開。

在本文所公開的實施方式中，連接圖案ALP由與充當(dāng)陽極的第一電極相同的透明導(dǎo)電材料(例如，ITO)形成。在這種情況下，發(fā)生在對連接圖案ALP進行構(gòu)圖之后在連接圖案ALP的蝕刻部分中部分地留下ITO的殘留物缺陷。因此，本發(fā)明的實施方式被配置為使得被蝕刻然后被去除的連接圖案ALP的邊緣被設(shè)置在絕緣層INL的傾斜部分SLP上。

當(dāng)被蝕刻然后被去除的連接圖案ALP的邊緣被設(shè)置在絕緣層INL上時，連接圖案ALP的構(gòu)圖部分被設(shè)置在提高的位置處。因此，在對連接圖案ALP進行構(gòu)圖的工藝中連接圖案ALP的上部的暴露量增加，并且對連接圖案ALP應(yīng)用的蝕刻劑的量增加。結(jié)果，可防止連接圖案ALP的殘留物缺陷。

另外，連接圖案ALP通過上述構(gòu)圖工藝與絕緣層INL間隔開預(yù)定距離。當(dāng)連接圖案ALP與絕緣層INL間隔開時，設(shè)置在連接圖案ALP的形成區(qū)域中的堤層165可具有均勻的厚度。因此，可防止連接圖案ALP暴露于堤層165之外。

所述預(yù)定距離不受具體限制，可具有任何值，只要連接圖案ALP不會由于堤層165而暴露即可。因此，如圖15所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的連接圖案ALP的一部分可被設(shè)置在絕緣層INL上。在形成在基板上的連接圖案ALP上設(shè)置堤層165，并且在堤層165上設(shè)置充當(dāng)陰極的第二電極180。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的顯示裝置在跳躍部分JP中形成連接第一初始化電力線INIT1和第二初始化電力線INIT2的連接圖案ALP，并且形成與連接圖案ALP相鄰設(shè)置的絕緣層INL，從而防止連接圖案ALP的殘留物。

另外，本發(fā)明的實施方式被配置為使得形成在第一初始化電力線和第二初始化電力線的跳躍部分中的連接圖案與絕緣層間隔開，從而防止當(dāng)連接圖案向上暴露于堤層時發(fā)生的連接圖案與第二電極之間的短路。

盡管參照其多個例示性實施方式描述了實施方式，應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到許多其它修改和實施方式，其將落入本公開的原理的范圍內(nèi)。更具體地講，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，可在組成部件和/或主題組合布置方式方面進行各種變化和修改。除了在組成部件和/或布置方式方面的變化和修改以外，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言替代使用也將是顯而易見的。