技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種檢測(cè)首層金屬刻蝕不足缺陷的方法，包括：第一步驟：在晶圓中建立有源區(qū)測(cè)試模塊，其中在有源區(qū)測(cè)試模塊中形成有源區(qū)圖形、多晶硅圖形、接觸孔圖形和首層金屬圖形；第二步驟：將晶圓流片到首層金屬填銅并平坦化步驟；第三步驟：在首層金屬平坦化工藝步驟應(yīng)用電子束缺陷掃描儀檢測(cè)通孔的刻蝕不足缺陷狀況。

技術(shù)研發(fā)人員：范榮偉;陳宏璘;龍吟;顧曉芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201610766179
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2016.12.07