技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：FinFET組件；多個圖案化的偽半導(dǎo)體鰭，布置在所述FinFET組件的多個鰭旁；隔離結(jié)構(gòu)，形成在所述圖案化的偽半導(dǎo)體鰭上；以及調(diào)整組件，形成在所述圖案化的偽半導(dǎo)體鰭上，并且電連接至所述FinFET組件。所述圖案化的偽半導(dǎo)體鰭的高度比所述FinFET組件的鰭的高度短。本發(fā)明的實施例還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：黃鉦謙;劉繼文;曾鴻輝;江宗育
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610728449
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.26
技術(shù)公布日：2017.03.15