技術(shù)編號：12129283
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件及其制造方法相關(guān)申請本申請要求于2015年9月4日提交的美國臨時申請第62/214,776號的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明實施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷了指數(shù)型發(fā)展。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)代IC，其中每一代IC都比上一代IC具有更小且更復(fù)雜的電路。較小的特征尺寸采用多柵極器件，如鰭式場效晶體管(FinFET)器件。之所以稱作FinFET，是因為在從襯底延伸的“鰭”上和周圍形成柵極...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。