本發(fā)明涉及發(fā)光裝置，具體地涉及具有發(fā)光二極管(LED)等的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

諸如發(fā)光二極管等的發(fā)光元件通常被如下制造：在生長基板上生長n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層，然后分別在n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層上形成n電極和p電極以向n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層施加電壓。此外，發(fā)光元件被固定在形成有接線等的第一基板上，然后被樹脂等密封在光提取面上以形成發(fā)光裝置。

近年來，正在實(shí)現(xiàn)高亮度的發(fā)光元件，高亮度元件被市售并且容易獲得。除了實(shí)現(xiàn)高亮度的發(fā)光元件以外，還存在對(duì)于使用指示器等或低發(fā)光強(qiáng)度的產(chǎn)品的需求。

日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2002-111073公開了通過將熒光體顆粒和顏料顆粒添加到用于密封并保護(hù)發(fā)光元件芯片的樹脂材料來實(shí)現(xiàn)色調(diào)的調(diào)整的發(fā)光二極管。日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2004-128424公開了通過將黑色顏料作為與熒光體顆粒混合的消光材料添加到覆蓋構(gòu)件來實(shí)現(xiàn)亮度差異的調(diào)整的白色發(fā)光裝置。

根據(jù)在日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2004-128424公開的發(fā)光裝置，難以通過調(diào)整要混合到具有熒光體顆粒的覆蓋構(gòu)件的黑色顏料的量來控制裝置的發(fā)光強(qiáng)度，因?yàn)榘l(fā)光強(qiáng)度相對(duì)于顏料混合比的改變的變化如此之大。此外，難以獲得一致亮度和色度的發(fā)光面。另外，由于覆蓋構(gòu)件作為整體變成黑色，因此與沒有黑色顏料的發(fā)光裝置相比，設(shè)計(jì)特性(發(fā)光面顏色)變得不同。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

考慮到上述方面而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種能夠容易調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度的發(fā)光裝置。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供了本發(fā)明的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括：

第一基板；

發(fā)光元件，該發(fā)光元件安裝在所述第一基板上，并且包括：

第二基板，以及

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層形成在所述第二基板上并且包括發(fā)光層；以及

遮光體，該遮光體僅形成在所述發(fā)光元件的與所述第一基板相反的表面上，并且包括含有遮光顆粒的材料。

附圖說明

圖1A是示出實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的上表面的平面圖。

圖1B是實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的截面圖。

圖2是實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的放大的局部截面圖。

圖3是比較例的發(fā)光裝置的截面圖。

圖4是示出實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的遮光體中的遮光顆粒的濃度與相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度之間的關(guān)系的曲線圖。

圖5A是示出實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的上表面的平面圖。

圖5B是實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的截面圖。

圖6是實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的放大的局部截面圖。

圖7是從實(shí)施方式1變型的發(fā)光裝置的放大的局部截面圖。

圖8是示出從實(shí)施方式1變型的發(fā)光裝置的截面圖。

具體實(shí)施方式

將在下面詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。此外，基本相同或相當(dāng)?shù)牟糠謱⒃谙旅娴拿枋龊透綀D中用相同的附圖標(biāo)記表示。

[實(shí)施方式1]

圖1A是示出實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的上部或頂表面的平面圖。圖1B是沿圖1A的線1B-1B切出的截面圖。

封裝基板11(或安裝基板)，即第一基板是例如玻璃環(huán)氧樹脂基板。另選地，玻璃硅(glass silicone)基板或者由諸如氧化鋁、AlN等這樣的陶瓷材料制成的基板能夠被用于封裝基板11。連接電極13被設(shè)置在封裝基板11的表面上，并且通過在該表面上對(duì)諸如銅等這樣的導(dǎo)體進(jìn)行鍍制等而形成。

連接電極13包括p連接電極層13a和n連接電極層13b。連接電極層13a和13b中的每一個(gè)被形成以從封裝基板11的一個(gè)主表面(上表面或頂表面)通過封裝基板11的側(cè)表面延伸到另一主表面(下表面或底表面)。p連接電極層13a和n連接電極層13b彼此絕緣，因?yàn)樗鼈冊(cè)诜庋b基板11的表面上被形成為彼此分離。

發(fā)光元件15被安裝在n連接電極13b上，n連接電極13b形成在封裝基板11的所述一個(gè)主表面(即，上表面或頂表面)上。發(fā)光元件15在平面圖中具有比封裝基板11的形狀面積小的形狀面積。因此，封裝基板11的一部分的上表面、p連接電極13a與n連接電極13b在封裝基板11的上表面?zhèn)壬系陌l(fā)光元件15周圍從發(fā)光元件15露出。具體地，與封裝基板11的上表面或頂表面面向或指向同一方向的表面可以在下面的描述中被分別稱為上表面。此外，面對(duì)與封裝基板11的頂表面相反的方向的表面可以在下面的描述被分別稱為下表面。更進(jìn)一步，封裝基板11的上表面或頂表面所面對(duì)的方向可以被解釋為向上的方向。其相反的方向可以被解釋為向下的方向。

發(fā)光元件15包括作為第二基板的元件基板17以及包括安裝在元件基板17的上表面上的發(fā)光層19b的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19(參照?qǐng)D2)。元件基板17由諸如SiC等的具有導(dǎo)電性和對(duì)來自發(fā)光層19b的發(fā)射光的透光性的透光基板制成。元件基板17通過例如諸如Ag膏等的導(dǎo)電芯片連接粘合劑(未示出)固定在n連接電極13b上。也就是說，元件基板17電連接到n連接電極13b。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19例如按照將包括發(fā)光層在內(nèi)的InGaN類半導(dǎo)體層層疊或鍵合在元件基板17上的方式形成。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的各個(gè)半導(dǎo)體層使用諸如半導(dǎo)體材料的外延生長這樣的晶體生長而層疊。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的發(fā)光層可以發(fā)出例如波長約450nm的藍(lán)光。

上表面電極20被設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的上表面上。上表面電極20由Au等的導(dǎo)電材料中的至少一種制成。上表面電極20利用諸如Au等的導(dǎo)線21通過引線鍵合連接到p連接電極13a。

形成遮光體23以掩埋發(fā)光元件15的上表面上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19。遮光體23是含有遮光顆粒的樹脂體或玻璃體。換句話說，遮光體23被形成以覆蓋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的上(或頂)表面和側(cè)表面以及元件基板17的上表面。換句話說，遮光體23僅形成在發(fā)光元件15的與封裝基板11相反的表面?zhèn)壬稀?/p>

反射器25是通過諸如環(huán)氧樹脂等的粘接材料固定到封裝基板11的上表面的柱狀框架。反射器25由包括硅樹脂的所謂白色樹脂和分散在樹脂中的光散射材料制成。反射器25具有通孔25A。通孔25A具有從封裝基板11的上表面延伸并升高的截頭倒圓錐形狀。

如上所述，封裝基板11的一部分的上表面(在其上安裝有發(fā)光元件15)和連接電極13的上表面在發(fā)光元件15的外圍處從發(fā)光元件15露出。反射器25被設(shè)置在相關(guān)的露出表面上，即封裝基板11的上表面和連接電極13的上表面。也就是說，發(fā)光元件15在封裝基板11上被通孔25A的內(nèi)壁表面(內(nèi)側(cè)表面)包圍。換句話說，反射器25是包圍發(fā)光元件15的框架。

利用封裝基板11的上表面和反射器25中的通孔25A的內(nèi)壁表面形成具有截頭倒圓錐形狀(例如，研缽形狀)的腔26。也就是說，反射器25與封裝基板11構(gòu)成腔26。發(fā)光元件15被設(shè)置在研缽形狀的腔26的底部。通過這樣的構(gòu)造，來自發(fā)光元件15的發(fā)光層19b的發(fā)射光在反射器25的內(nèi)壁表面處被反射以向上方前進(jìn)。

也就是說，反射器25的內(nèi)壁表面起到反射來自發(fā)光層19b或來自元件15的發(fā)射光的反射面的作用。

為了利用樹脂形成反射器25，可以例如使用環(huán)氧樹脂或聚酰胺類樹脂等。另外，對(duì)于光散射材料，TiO₂、BN、Al₂O₃、ZnO、BaSO₄、SiO₂等可以用作白色顏料顆粒。

在本實(shí)施方式中描述了分別形成反射器25、連接電極13和封裝基板11的示例。除了該示例以外，還可以使用PLCC(塑料引線芯片載體)型封裝，其中由樹脂制成的反射器25、由樹脂制成的封裝基板11和由金屬制成的連接電極13通過插入成型法一體形成(為完整一件)。在使用PLCC型封裝的情況下，聚酰胺類樹脂可以用于例如封裝基板11和反射器25的材料。

密封體27是由硅類樹脂等制成并且填充在反射器25的腔26內(nèi)的透光樹脂。也就是說，發(fā)光元件15、鍵合線21和遮光體23被密封體27掩埋在腔26中。換句話說，密封體27被形成為掩埋封裝基板11上的發(fā)光元件15、鍵合線21和遮光體23。密封體27的上(或頂)表面是發(fā)光裝置10的發(fā)光面28。

密封體27包括熒光體顆粒和光散射材料?？梢允褂美缰T如鈰活化的釔鋁石榴石熒光體(YAG:Ce)、鈰活化的鋱鋁石榴石熒光體(TAG:Ce)、原硅酸熒光體((BaSrCa)SiO₄等)、α-塞隆(Sialon)熒光體(Ca-α-SiAlON:Eu等)這樣的產(chǎn)生由藍(lán)光激發(fā)的黃色熒光的熒光體顆粒作為熒光體顆粒。光散射材料是諸如TiO₂、SiO₂、ZnO、Al₂O₃顆粒等能夠散射光的顆粒。

圖2是圖1B中用虛線包圍的部分A的放大的局部截面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19被形成為元件基板17上的InGaN類半導(dǎo)體層，使得n型半導(dǎo)體層19a、發(fā)光層19b和p型半導(dǎo)體層19c按照這個(gè)順序?qū)盈B。

如上所述，遮光體23是元件基板17的上表面上的樹脂體或玻璃體，并且覆蓋元件基板17的上表面和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的表面。遮光體23包括基體材料(base material)23a以及包含并支承在基體材料23a中的遮光顆粒23b。

基體材料23a是諸如硅類樹脂、環(huán)氧類樹脂、丙烯酸類樹脂等這樣的樹脂材料或玻璃材料。遮光顆粒23b是諸如TiN等具有絕緣特性并吸收來自發(fā)光層19b的輸出光的黑色顏料顆粒。對(duì)于遮光顆粒23b，可以使用例如鈦類黑色顏料顆粒。

本實(shí)施方式中的鈦類黑色顆粒是可從Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co.,Ltd.得到的鈦黑，其是具有在L值((L*,*,b*)顏色空間中小于或等于16的顏色明度L*＝0(黑色)-L*＝100(白色))并且具有80-100nm的主要顆粒的直徑的TiO和TiN的混合物的鈦類黑色顆粒。優(yōu)選地，遮光顆粒23b是高耐光和熱的無機(jī)類顆粒。

在遮光體23被配置為樹脂體的情況下，可以通過例如以下方式來形成這樣的樹脂體：將例如含有任何溶劑的液態(tài)樹脂的基體材料23a與遮光顆粒23b混合為液體混合物的前體，然后將液體混合物滴在發(fā)光元件15的上表面上并進(jìn)行涂覆，然后使其固化并干燥。

在遮光體23被配置為玻璃體的情況下，可以通過例如溶膠-凝膠工藝(水解和聚合的重復(fù))來形成這樣的玻璃體。具體地，可以通過例如以下方式來形成遮光體23：通過將遮光顆粒23作為基體材料23a分散在前體的醇鹽中以制備遮光顆粒分散溶膠，然后使其膠凝為凝膠狀態(tài)，然后將凝膠狀態(tài)施敷到發(fā)光元件15的上表面上并且然后對(duì)其進(jìn)行加熱。

此外，遮光體23可以在發(fā)光元件15的上表面上形成為穹頂形狀。遮光體23按照使得中央部分的厚度比周邊部分厚的方式構(gòu)成。另外，遮光體23僅形成在發(fā)光元件15的上表面上，而不覆蓋元件基板17的側(cè)表面。即，優(yōu)選地，遮光體23被形成為僅覆蓋發(fā)光元件15的與封裝基板11相反的表面。換句話說，優(yōu)選地，遮光體23被形成為僅覆蓋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的上(或頂)表面和側(cè)表面以及元件基板17的上(或頂)表面。

例如，為了使樹脂的前體和遮光顆粒23b的液體混合物在該液體混合物被施敷到發(fā)光元件15的上表面時(shí)具有對(duì)發(fā)光元件15的上表面的合適的表面張力，選擇液體混合物材料并且調(diào)整液體混合物混合比率，由此在液體混合物不在元件基板17的側(cè)表面上濕性擴(kuò)展的情況下，遮光體23僅形成在發(fā)光元件15的上表面上。

另外，發(fā)光元件15的上表面的外邊緣限定了遮光體23在發(fā)光元件15的上表面上的形成范圍。也就是說，能夠使遮光體23下表面的外邊緣與發(fā)光元件15的上表面的外邊緣重合。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了對(duì)遮光體23的形狀的重現(xiàn)性的改善，由此導(dǎo)致發(fā)光裝置的良好產(chǎn)量。

如上所述，在發(fā)光裝置10中，遮光體23覆蓋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的上表面和側(cè)表面以及元件基板17的上表面。因此，從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19發(fā)出的光透射穿過遮光體23，然后透射到密封體27中或者穿過透明元件基板17并且然后透射到密封體27中。

從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的頂表面和側(cè)表面發(fā)出的光透射到遮光體23中。進(jìn)入到遮光體23中的光的特定部分被遮光顆粒23b吸收，未被吸收的剩余的光透射穿過遮光體23到密封體27。即，來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的頂表面和側(cè)表面的發(fā)射光被遮光體23吸收以衰減，導(dǎo)致在進(jìn)入密封體27之前對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的調(diào)整。

另外，來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的底表面的發(fā)射光按照多次反射等方式透射穿過透明的元件基板17至元件基板17的周邊，然后從元件基板17的側(cè)表面輻射。也就是說，來自元件基板17的側(cè)表面的發(fā)射光幾乎沒有衰減地透射到密封體27，沒有進(jìn)入遮光體23。

如上所述，來自發(fā)光裝置10的發(fā)光面28的發(fā)射光包括穿過遮光體23的衰減的光以及來自元件基板17的側(cè)表面的、沒有進(jìn)入遮光體23的輻射的光。能夠通過控制遮光體23中的遮光顆粒23b的濃度而改變透射穿過遮光體的光的衰減因子來調(diào)整從發(fā)光面28發(fā)出的光的發(fā)光強(qiáng)度。

如上所述，本實(shí)施方式中的來自發(fā)光層19b的發(fā)射光是藍(lán)光。另外，密封體27包括黃色發(fā)光的硅酸鹽熒光體顆粒。硅酸鹽熒光體被藍(lán)光激發(fā)而發(fā)出黃光，即，藍(lán)色的互補(bǔ)色。因此，通過藍(lán)光和黃光的加性顏色混合，來自發(fā)光面28的發(fā)射光變成白光。

另外，來自發(fā)光層19b的發(fā)射光在被密封體27中的光散射材料或熒光體顆粒散射之后從發(fā)光面28輻射。據(jù)此，能夠在發(fā)光面28處獲得具有均質(zhì)亮度的發(fā)射光。

因此，發(fā)光面28輻射白光，所述白光被熒光體顆粒在色度上進(jìn)行調(diào)整并且通過光散射材料在亮度上變得均勻。

[比較評(píng)價(jià)]

使用發(fā)光裝置的比較例對(duì)實(shí)施方式1的發(fā)光裝置10發(fā)光強(qiáng)度調(diào)整的可行性進(jìn)行比較評(píng)價(jià)。圖3是比較例的發(fā)光裝置30的截面圖。除了沒有遮光體之外，比較例的發(fā)光裝置30與實(shí)施方式1的發(fā)光裝置10具有基本相同的配置，并且在密封體中包含遮光顆粒。

在該比較評(píng)價(jià)中，PLCC型封裝被分別用于發(fā)光裝置10和30，在PLCC封裝中，封裝基板11和由聚酰胺類樹脂制成的反射器25與連接電極13一體形成。另外，硅樹脂的基體材料23a和鈦類黑色顆粒的遮光顆粒23b(即，上面提到的鈦黑)被用于遮光體23。

另外，硅樹脂被用于密封體27，并且要包含在密封體27中的熒光體顆粒是硅酸鹽熒光體。另外，與上述實(shí)施方式不同，密封體27不具有任何光散射材料。另外，比較例的發(fā)光裝置30在密封體27中具有遮光顆粒23b。

實(shí)施方式1和比較例的發(fā)光裝置被允許流出相同量的正向電流，然后在比較評(píng)價(jià)中對(duì)從發(fā)光面28發(fā)出的發(fā)射光的發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)。具體地，分別對(duì)發(fā)光強(qiáng)度與實(shí)施方式1的遮光體23和比較例的密封體27中的遮光顆粒23b的濃度之間的相互關(guān)系進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，在本實(shí)驗(yàn)期間，利用基體材料23a的樹脂前體溶液的質(zhì)量百分比濃度[質(zhì)量％]來對(duì)遮光顆粒23b的濃度進(jìn)行測(cè)量。另外，利用相對(duì)于無遮光顆粒的100％的發(fā)光強(qiáng)度對(duì)發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。

圖4是示出從對(duì)實(shí)施方式1和比較例的發(fā)光裝置的比較評(píng)價(jià)得到的關(guān)系的曲線。在圖4的曲線中，橫軸表示遮光顆粒的濃度，縱軸表示相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度。

如圖4中所示，在比較例的發(fā)光裝置30的特性中，當(dāng)遮光顆粒濃度從0％上升至1％時(shí)，相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度從100％下降至0％。相反，對(duì)于實(shí)施方式1的發(fā)光裝置10，在遮光顆粒23b的濃度從0％上升至30％的同時(shí)，相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度慢慢地降低。因此，可以發(fā)現(xiàn)，利用實(shí)施方式1的發(fā)光裝置10中的遮光顆粒23b對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的控制性高于比較例的發(fā)光裝置30中的遮光顆粒23b對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的控制性。

另外，在實(shí)施方式1的發(fā)光裝置中，當(dāng)遮光顆粒23b的濃度變?yōu)?0％時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度的減小趨于飽和，在此之后，發(fā)光強(qiáng)度基本上不改變。預(yù)期的是，當(dāng)遮光顆粒23b的濃度超過20％時(shí)，遮光體23的遮光能力變得足以遮擋來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的上表面和側(cè)表面的發(fā)射光，因?yàn)榘l(fā)光強(qiáng)度沒有發(fā)生改變。也就是說，預(yù)期的是，當(dāng)遮光顆粒23b的濃度上升超過恒定值時(shí)，來自發(fā)光元件15的發(fā)射光可以從元件基板17的側(cè)面出去，不存在發(fā)光強(qiáng)度的改變。

在元件基板17在實(shí)施方式1中具有透光性的情況下，遮光體23中的遮光顆粒23b的濃度被設(shè)置為高值，使得沒有來自發(fā)光元件15的上表面或頂表面的發(fā)射光。即，發(fā)光元件15的上表面的完美遮光使得光僅從元件基板17的側(cè)表面射出。完美遮光是通過將遮光體23中的遮光顆粒23b的濃度設(shè)置為比特定恒定值大的濃度值來實(shí)現(xiàn)的。因此，與不要求完美或完全遮光的情況相比，該實(shí)施方式更容易管理遮光顆粒23b的濃度。因此，對(duì)于來自發(fā)光面28的發(fā)射光的發(fā)光強(qiáng)度，獲得了發(fā)光裝置10的個(gè)體之間的發(fā)光強(qiáng)度的穩(wěn)定。也就是說，本實(shí)施方式容易以高生產(chǎn)率和產(chǎn)量提供具有相同發(fā)光強(qiáng)度的發(fā)光裝置的制造。

在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10中，從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19向上方射出至發(fā)光面28的光的光路長度比在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19內(nèi)朝向水平方向透射的光的光路長度短。

具有短的光路長度的這些光未充分經(jīng)受由光散射材料的光散射和由于熒光體顆粒發(fā)生的波長轉(zhuǎn)換二者引起的混合顏色調(diào)整。然后，具有短光路長度的光在不足的混合顏色調(diào)整的情況下從發(fā)光面28輻射。因此，容易在發(fā)光面28上呈現(xiàn)不均勻的色度區(qū)域，例如，白色發(fā)射光部分帶藍(lán)色等。

在發(fā)光裝置10中，具有短光路長度的光的至少一部分被遮光體23吸收。結(jié)果，在來自發(fā)光面28的發(fā)射光中抑制了出現(xiàn)混合顏色調(diào)整不足的區(qū)域的現(xiàn)象。因此，在發(fā)光面28上充分地展現(xiàn)由光散射材料和熒光體造成的混合顏色調(diào)整，使得從發(fā)光面28獲得色度更一致的光。

此外，發(fā)光裝置10具有以下的傾向：從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19向上方發(fā)出到發(fā)光面28的光未充分散射，這是因?yàn)榘雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)層19與發(fā)光面28之間的發(fā)出的光的光路長度短。結(jié)果，發(fā)光面28趨于具有含有例如高亮度區(qū)域的中央部分，使得可造成來自發(fā)光面28的發(fā)射光的亮度的不一致。

在發(fā)光裝置10中，具有短的光路長度的光的至少一部分被遮光體23吸收，因此抑制了出現(xiàn)上述高亮度區(qū)域的現(xiàn)象。因此，根據(jù)本實(shí)施方式1的發(fā)光裝置10，由光散射材料造成的光散射被充分地展現(xiàn)，使得從發(fā)光面28獲得亮度更一致的光。

將來自本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10的發(fā)射光的色度的可見角度依賴性與具有被估計(jì)為在密封體27中沒有遮光顆粒23b的常規(guī)產(chǎn)品的相似配置的比較例的發(fā)光裝置的發(fā)射光的色度的可見角度依賴性進(jìn)行比較。進(jìn)行評(píng)價(jià)如下：在CIE色度坐標(biāo)的基礎(chǔ)上，發(fā)光元件的光軸被設(shè)置為角度0°，在此之后，對(duì)于角度-60°-+60°利用ΔC_xΔC_y測(cè)量顏色分離程度。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10提供了比常規(guī)產(chǎn)品的顏色分離程度減輕了的顏色分離程度。也就是說，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10能夠降低發(fā)射光的色度的可見角度依賴性。

此外，實(shí)施方式1的發(fā)射光裝置10具有包括用于調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度的遮光顆粒23b的遮光體23，使得遮光體23僅形成在發(fā)光元件15的上表面上，并且遮光體23和發(fā)光元件15被掩埋在密封體27中。因此，是否在遮光體23中添加遮光顆粒23b在光發(fā)射面?zhèn)仍斐闪嗽O(shè)備外觀的小差異。因此，根據(jù)上述實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠在不改變發(fā)光裝置設(shè)計(jì)特性的情況下調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度。

[實(shí)施方式2]

圖5A是示出發(fā)光裝置40的上表面的平面圖。圖5B是沿著圖5A的線5B-5B切割出的截面圖。

第一基板的封裝基板41是例如玻璃環(huán)氧樹脂基板。此外，玻璃硅基板或者由諸如氧化鋁、AlN等這樣的陶瓷材料制成的基板能夠被用于封裝基板41。連接電極43被設(shè)置在封裝基板41的表面上，并且通過在該表面上對(duì)諸如銅等這樣的導(dǎo)體進(jìn)行鍍制等而形成。連接電極43包括p連接電極層43a和n連接電極層43b。

連接電極層43a和43b中的每一個(gè)被形成為從封裝基板41的一個(gè)主表面(即，上表面或頂表面)通過其側(cè)表面延伸到另一主表面(即，下表面或底表面)。p連接電極層43a和n連接電極層43b彼此絕緣，這是因?yàn)樗鼈儽恍纬蔀樵诜庋b基板41的表面上彼此分離。

發(fā)光元件45被安裝在n連接電極43b上，n連接電極43b上形成在封裝基板41的所述一個(gè)主表面(即，上表面或頂表面)上。發(fā)光元件45在平面圖中具有比封裝基板41的形狀面積小的形狀面積。因此，封裝基板的一部分的上表面、p連接電極43a與n連接電極43b在封裝基板41的上表面?zhèn)壬系陌l(fā)光元件45周圍從發(fā)光元件45露出。另外，與封裝基板41的上表面面對(duì)同一方向的表面可以在下面的描述中被分別稱為上表面。此外，面對(duì)與上表面相反的方向的表面可以被分別稱為下表面。更進(jìn)一步地，封裝基板41的上表面正面對(duì)的方向可以被解釋為向上的方向。其相反的方向可以被解釋為向下的方向。

發(fā)光元件45包括作為第二基板的元件基板47和包括安裝在元件基板47的下表面上的發(fā)光層49b的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49(參照?qǐng)D6)。元件基板47由諸如SiC、藍(lán)寶石(Al₂O₃)等對(duì)來自發(fā)光層19b的發(fā)射光具有透光性的透光性基板制成。由于具有透光性，元件基板47可以像SiC一樣具有導(dǎo)電性，或者可以像藍(lán)寶石一樣不具有導(dǎo)電性。

按照例如將包括發(fā)光層的InGaN類半導(dǎo)體層層疊或鍵合在元件基板47上的方式來形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49。使用諸如半導(dǎo)體材料的外延生長這樣的晶體生長來層疊半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的各個(gè)半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的發(fā)光層可以發(fā)出例如波長約450nm的藍(lán)光。也就是說，發(fā)光元件45被形成為使得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49和元件基板47按照該順序?qū)盈B在封裝基板41上。

遮光體53是包括遮光顆粒的樹脂體或玻璃體，并且被形成為覆蓋發(fā)光元件45的上表面。換句話說，遮光體53形成在發(fā)光元件45的與封裝基板41相反的表面上。反射器55是由諸如環(huán)氧樹脂等的粘合材料固定到封裝基板41的上表面的柱狀框架。反射器55由包括硅樹脂的所謂白色樹脂和分散在其中的光散射材料制成。反射器55具有通孔55A。通孔55A具有從封裝基板41的上表面延伸并升高的截頭倒圓錐形狀。如上所述，封裝基板41的一部分的上表面(其上安裝有發(fā)光元件45)和連接電極43的上表面在發(fā)光元件45的周邊處從發(fā)光元件45露出。反射器55被設(shè)置在相關(guān)的露出表面(即，封裝基板41的上表面和連接電極43的上表面)上。也就是說，發(fā)光元件45在封裝基板41上被通孔55A的內(nèi)壁表面(內(nèi)側(cè)面)包圍。換句話說，反射器55是包圍發(fā)光元件45的框架。

利用封裝基板41的上表面和反射器55中的通孔55A的內(nèi)壁表面形成具有截頭倒圓錐形狀(例如，研缽形狀)的腔56。也就是說，反射器55和封裝基板41構(gòu)成腔56。發(fā)光元件45被設(shè)置在研缽形狀的腔56的底部。通過這樣的構(gòu)造，來自發(fā)光元件45的發(fā)光層49b的發(fā)射光在反射器55的內(nèi)壁表面處被反射以向上方前進(jìn)。也就是說，反射器55的內(nèi)壁表面起到反射來自發(fā)光層49b的發(fā)射光的反射面的作用。

為了例如以樹脂形成反射器55，可以使用環(huán)氧樹脂或聚酰胺類樹脂等。另外，對(duì)于光散射材料，TiO₂、BN、Al₂O₃、ZnO、BaSO₄、SiO₂等可被用作白色顏料顆粒。

在本實(shí)施方式中描述分別形成反射器55、連接電極43和封裝基板41的示例。除了該示例以外，還可以使用PLCC(塑料引線芯片載體)型封裝，其中，由樹脂制成的反射器55、由樹脂制成的封裝基板41和由金屬制成的連接電極43通過插入成型法一體形成(為完整一件)。在使用PLCC型封裝的情況下，聚酰胺類樹脂可以用于例如封裝基板41和反射器55的材料。

密封體57是由硅類樹脂等制成并且填充在反射器55的腔56內(nèi)的透光樹脂。也就是說，發(fā)光元件45和遮光體53被密封體57掩埋在腔56中。換句話說，密封體57被形成以掩埋封裝基板41上的發(fā)光元件45和遮光體53。密封體57的上(或頂)表面是發(fā)光裝置40的發(fā)光面58。

密封體57包括熒光體顆粒和光散射材料?？梢允褂美缰T如鈰活化的釔鋁石榴石熒光體(YAG:Ce)、鈰活化的鋱鋁石榴石熒光體(TAG:Ce)、原硅酸熒光體((BaSrCa)SiO₄等)、α-塞隆(Sialon)熒光體(Ca-α-SiAlON:Eu等)這樣的產(chǎn)生由藍(lán)光激發(fā)的黃色熒光的熒光體顆粒作為熒光體顆粒。光散射材料是諸如TiO₂、SiO₂、ZnO、Al₂O₃顆粒等這樣的能夠散射光的顆粒。

圖6是圖5B中用虛線包圍的部分M的放大的局部截面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49被形成為元件基板47上的InGaN類半導(dǎo)體層，使得n型半導(dǎo)體層49a、發(fā)光層49b和p型半導(dǎo)體層49c按照這個(gè)順序?qū)盈B。

由Au制成的p電極50a形成在例如半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的p型半導(dǎo)體層49c的表面上。p電極50a經(jīng)由金屬凸塊(未示出)固定到p連接電極43a上，以電連接至p連接電極部43a。

另外，接觸孔51形成在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49中，以從p型半導(dǎo)體層49c的表面中穿過p型半導(dǎo)體層49c和發(fā)光層49b直到n型半導(dǎo)體層49a。從接觸孔51的側(cè)面露出的p型半導(dǎo)體層49c和發(fā)光層49b的表面被以絕緣材料制成的絕緣膜52覆蓋。

n電極50b是通過用諸如Au等這樣的導(dǎo)電體填充接觸孔51而形成的。也就是說，n電極50b與n型半導(dǎo)體層49a接觸并且電連接到n型半導(dǎo)體層49a。此外，n電極50b被形成為從p型半導(dǎo)體層49c的表面突出。

n電極50b在從p型半導(dǎo)體層49c的表面的突出部處經(jīng)由金屬凸塊(未示出)固定到p連接電極43b上，從而電連接到p連接電極43b。因此，連接電極43b和n型半導(dǎo)體層49a經(jīng)由n電極50b彼此電連接。

如上所述，遮光體53是元件基板47的上表面(即，與形成有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的下表面相反的表面?zhèn)?上的樹脂體或玻璃體，并且覆蓋元件基板47的表面。遮光體53包括基體材料53a以及基體材料53a中包含并支承的遮光顆粒53b。

基板53a是諸如硅類樹脂、環(huán)氧類樹脂、丙烯酸類樹脂等這樣的樹脂材料或玻璃材料。

遮光顆粒53b是諸如TiN等這樣的具有絕緣特性并吸收來自發(fā)光層49b的輸出光的黑色顏料顆粒。對(duì)于遮光顆粒53b，可以使用例如鈦類黑色顏料顆粒。本實(shí)施方式中的鈦類黑色顆粒是可從Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co.,Ltd.得到的鈦黑，其是具有在L值((L*,*,b*)顏色空間中小于或等于16的顏色明度L*＝0(黑色)-L*＝100(白色))并且具有80-100nm的主要顆粒的直徑的TiO和TiN的混合物的鈦類黑色顆粒。優(yōu)選的是，遮光顆粒53b是高耐光和熱的無機(jī)類顆粒。

在遮光體53被配置為樹脂體的情況下，可以通過例如以下方式來形成這樣的樹脂體：將含有任何溶劑的例如液態(tài)樹脂的基體材料53a與遮光顆粒53b混合為液體混合物的前體，然后將液體混合物滴在發(fā)光元件45的上表面上并進(jìn)行涂覆，然后使其固化并干燥。

在遮光體53被配置為玻璃體的情況下，可以通過例如溶膠-凝膠處理(水解和聚合的重復(fù))來形成這樣的玻璃體。具體地，可以通過例如以下方式來形成遮光體53：通過將遮光顆粒53作為基體材料53a分散在前體的醇鹽中以制備遮光顆粒分散溶膠，然后使其膠凝為凝膠狀態(tài)，然后將凝膠狀態(tài)施敷到發(fā)光元件45的上表面上并且然后對(duì)其進(jìn)行加熱。

此外，遮光體53可以在發(fā)光元件45的上表面上形成為穹頂形狀。遮光體53按照使得中央部分的厚度比周邊部分厚的方式構(gòu)成。另外，遮光體53僅形成在元件基板47的上表面上，而不覆蓋元件基板47的側(cè)表面。即，優(yōu)選的是，遮光體53被形成為僅覆蓋元件基板47的與封裝基板41相反的表面。

例如，為了使樹脂的前體與遮光顆粒53b的液體混合物在該液體混合物被供應(yīng)到元件基板47的上表面時(shí)具有對(duì)元件基板47的上表面的合適的表面張力，選擇液體混合物材料并且調(diào)整液體混合物混合比率，因此在液體混合物不在元件基板47的側(cè)表面上濕性擴(kuò)展的情況下，遮光體53僅形成在元件基板47的上表面上。

另外，元件基板47的上表面的外邊緣限定了遮光體53在元件基板47的上表面上的形成范圍。也就是說，能夠使遮光體53下表面的外邊緣與元件基板47的上表面的外邊緣重合。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了對(duì)遮光體53的形狀的再現(xiàn)性的改進(jìn)，因此導(dǎo)致產(chǎn)生發(fā)光裝置的良好生產(chǎn)率。

如上所述，在發(fā)光裝置40中，遮光體53覆蓋元件基板47的上表面。因此，從發(fā)光層49b的上表面發(fā)出的光進(jìn)入透明的元件基板47，以透射穿過元件基板47的上表面上的遮光體53并且然后透射到密封體57中，或者透射穿過元件基板47并且然后從元件基板47的側(cè)表面透射到密封體57中。

從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的上表面發(fā)出的光中的、從元件基板47的上表面發(fā)出的光透射到遮光體53中。進(jìn)入到遮光體53中的光的特定部分被遮光顆粒53b吸收，未被吸收的剩余的光透射穿過遮光體53并進(jìn)入到密封體57中。即，來自元件基板47的上表面或頂表面和側(cè)表面的發(fā)射光被遮光體53吸收以進(jìn)行衰減，導(dǎo)致在進(jìn)入密封體57之前對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的調(diào)整。

從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的上表面發(fā)出的光中的、從元件基板47的上表面發(fā)出的光透射到密封體57中，而不進(jìn)入遮光體53中。

從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的側(cè)表面發(fā)出的光透射到密封體57，而不進(jìn)入遮光體53和元件基板47中。

如上所述，從發(fā)光裝置40的發(fā)光面58的發(fā)射光包括穿過遮光體53的衰減的光、從元件基板41的側(cè)表面的輻射而不進(jìn)入遮光體53的光、以及從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49的側(cè)表面發(fā)出的光。能夠通過控制遮光體53中的遮光顆粒53b的濃度而改變透射穿過遮光體的光的衰減因子來調(diào)整從發(fā)光面58發(fā)出的光的發(fā)光強(qiáng)度。

如上所述，本實(shí)施方式的來自發(fā)光層49b的發(fā)射光是藍(lán)光。另外，密封體57包括黃色發(fā)光的硅酸鹽熒光體顆粒。硅酸鹽熒光體被藍(lán)光激發(fā)而發(fā)出黃光，即，藍(lán)色的互補(bǔ)色。因此，通過藍(lán)光與黃光的加性顏色混合，來自發(fā)光面58的發(fā)射光變成白光。

如上所述，通過將遮光體53中的遮光顆粒53b的濃度設(shè)置為比特定恒定值大的濃度值，能夠得到接近于使從元件基板47的上表面發(fā)出的光的完美遮光的狀態(tài)。也就是說，當(dāng)遮光顆粒53b的濃度被設(shè)置為特定的恒定值時(shí)，來自發(fā)光元件45的發(fā)射光僅從元件基板47的側(cè)表面輻射，因此即使提高遮光顆粒53b的濃度，其發(fā)光強(qiáng)度也幾乎不變。結(jié)果，本實(shí)施方式對(duì)遮光體53中的遮光顆粒53b的濃度的可控性變得容易，因此獲得了發(fā)光裝置10的個(gè)體之間的從發(fā)光面28發(fā)出的光的發(fā)光強(qiáng)度的穩(wěn)定。也就是說，本實(shí)施方式容易以適當(dāng)生產(chǎn)率和高產(chǎn)量提供具有相同發(fā)光強(qiáng)度的發(fā)光裝置的制造。

在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置40中，從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49向上射出至發(fā)光面58的光的光路長度比半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49內(nèi)朝向水平方向透射的光的光路長度短。具有短的光路長度的光的至少一部分被遮光體53吸收。

具有短的光路長度的這些光未充分地經(jīng)受由光散射材料的光散射和由于熒光體顆粒發(fā)生的波長轉(zhuǎn)換二者引起的混合顏色調(diào)整。然后，具有短的光路長度的光在不足的混合顏色調(diào)整的情況下從發(fā)光面58輻射出。因此，容易在發(fā)光面58上呈現(xiàn)不均勻的色度區(qū)域，例如，白色發(fā)射光部分帶藍(lán)色等。

具有短的光路長度的光的至少一部分被遮光體53吸收。結(jié)果，在來自發(fā)光面58的發(fā)射光中抑制了出現(xiàn)混合顏色調(diào)整不足的區(qū)域的現(xiàn)象。因此，在發(fā)光面58上充分地展現(xiàn)由光散射材料和熒光體造成的混合顏色調(diào)整，使得從發(fā)光面58獲得色度更一致的光。

此外，發(fā)光裝置40具有以下的傾向：從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49向上方發(fā)出到發(fā)光面58的光未充分散射，這是因?yàn)榘雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)層49與發(fā)光面58之間的發(fā)出光的光路長度短。結(jié)果，發(fā)光面58趨于具有含有例如高亮度區(qū)域的中央部分，使得它可以造成來自發(fā)光面58的發(fā)射光的亮度的不一致。

在發(fā)光裝置40中，具有短的光路長度的光的至少一部分被遮光體53吸收，因此抑制了出現(xiàn)上述高亮度區(qū)域的現(xiàn)象。因此，根據(jù)本實(shí)施方式2的發(fā)光裝置40，充分地展現(xiàn)了由光散射材料造成的光散射，使得從發(fā)光面58獲得亮度更一致的光。

如上所述，在發(fā)光面58中，在充分獲得由熒光體顆粒的熒光造成的混合顏色調(diào)整的同時(shí)，充分地展現(xiàn)了由光散射材料導(dǎo)致的光散射，使得獲得亮度更一致的光。

此外，實(shí)施方式2的發(fā)射光裝置40具有包括用于調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度的遮光顆粒53b的遮光體53，使得遮光體53僅形成在發(fā)光元件45的上表面上，并且遮光體53和發(fā)光元件45被掩埋在密封體57中。密封體57包括熒光體顆粒和光散射材料，因此表現(xiàn)出光散射效果。因此，是否在遮光體53中添加遮光顆粒53b在光發(fā)射面?zhèn)壬蠈?dǎo)致發(fā)生設(shè)備外觀的小差異。因此，根據(jù)上述實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠在不改變發(fā)光裝置設(shè)計(jì)特性的情況下調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度。

[變型例]

圖7是從實(shí)施方式1變型的發(fā)光裝置的放大的局部截面圖B，該發(fā)光裝置使用不透光的元件基板17B代替透光的元件基板17。這變型例與圖1A和圖1B在上表面圖和截面圖方面具有相同的結(jié)構(gòu)。

元件基板17B從由Si等制成的不透光基板形成。存在以下情況：因?yàn)榫Ц癯?shù)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19的差異，元件基板17B不能被用作生長基板。本變型例被正常制造如下：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19在另一基板上生長，使得p型半導(dǎo)體層19a、發(fā)光層19b和n型半導(dǎo)體層19c按照這個(gè)順序?qū)盈B，在此之后，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19經(jīng)由接合層(未示出)接合在元件基板17B上。將形成圖7的結(jié)構(gòu)的情況作為示例進(jìn)行描述。

因此，圖7的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19與圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19相反，即從下表面朝上表面層疊的層的順序相反。即，圖7示出了元件基板17B、p型半導(dǎo)體層19c、發(fā)光層19b和n型半導(dǎo)體層19a按照這個(gè)順序進(jìn)行層疊。

在具有圖7的配置的發(fā)光裝置中，來自發(fā)光層19b的發(fā)射光從元件基板17B的上表面輻射，只有穿過遮光體的光從發(fā)光面28輻射。通過改變遮光體23中的遮光顆粒23b的濃度，能夠調(diào)整從發(fā)光面28發(fā)出的發(fā)射光的發(fā)光強(qiáng)度。

圖8是具有與上述密封體形狀不同的密封體形狀的、沒有反射器25、55(參照?qǐng)D2和圖5)的變型例的發(fā)光裝置70的截面圖。包括封裝基板71的第一基板、連接電極73、元件基板75的第二基板以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層77在內(nèi)的發(fā)光元件79的配置和表面電極80、鍵合線81和遮光體83的配置與實(shí)施方式1相同。

在圖8中，發(fā)光元件75、遮光體83和鍵合線81不被反射器包圍，它們被半球狀的密封體87掩埋在封裝基板71上。

密封體87能夠由諸如硅樹脂等這樣的透光樹脂制成，并且通過例如壓縮成型等被形成為具有半球形等的凸透鏡。對(duì)于密封體87，能夠使用諸如環(huán)氧樹脂、環(huán)氧改性硅樹脂等這樣的混合樹脂和聚氨酯樹脂。另外，密封體87可以包括熒光體顆粒、光散射材料。另外，密封體87的表面的作用能夠用作透鏡，使得來自發(fā)光元件79的發(fā)射光向上方輻射。

在上述實(shí)施方式中，對(duì)具有絕緣特性的鈦類黑色顆粒的遮光顆粒進(jìn)行了說明。除此以往，諸如碳等的導(dǎo)電黑色顆?？梢员挥糜诒景l(fā)明中的遮光體的遮光顆粒。在這種情況下，優(yōu)選的是使用具有利用硅石等的絕緣工藝等完成的表面的顆粒，以防止發(fā)光裝置中的短路。

另外，能夠使用除了黑色以外的各種顏色的顆粒作為遮光顆粒，只要它們能夠吸收或散射來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的發(fā)出光即可。例如，可使用白色或類似顏色的光散射顆粒。

另外，能夠通過包括溶劑、樹脂和遮光顆粒的液體混合物的粘度來調(diào)整遮光體的厚度。此外，能夠在形成遮光體期間通過液滴或涂覆樹脂材料或玻璃材料的前體和遮光顆粒的液體混合物的多次重復(fù)來調(diào)整遮光體的厚度和形狀。

盡管在實(shí)施方式1中描述了導(dǎo)電元件基板的用途，然而本發(fā)明不限于此。本發(fā)明的元件基板可以是不導(dǎo)電的。在這種情況下，為了確保對(duì)任何導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性，形成與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層49相似的電極結(jié)構(gòu)，然后p型電極和n型電極分別電連接到n連接電極13a和p連接電極13b。

雖然上述實(shí)施方式被描述成使得密封體27、57包括熒光體顆粒、光散射材料，然而熒光體顆粒和光散射材料中的任一者或兩者可以不被包含在密封體27、57中。此外，不是必須設(shè)置密封體，可以不設(shè)置密封體。

當(dāng)從上方看上述實(shí)施方式的發(fā)光裝置時(shí)，遮光體僅形成在發(fā)光元件的上表面內(nèi)的非常小的區(qū)域中。因此，即使沒有密封體，也不取決于在發(fā)光裝置中存在/不存在遮光體而發(fā)生大的外觀差異。

雖然前述實(shí)施方式被描述成使得密封體被掩埋在封裝的腔(即所謂的浴缸型發(fā)光裝置或者圖8中所示的透鏡模造)中，然而本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明可以被應(yīng)用到子彈形發(fā)光裝置。

前述實(shí)施方式1和2被描述成使得發(fā)光元件15、45被形成為具有由分別在元件基板17、47上生長的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層19、49組成的半導(dǎo)體層。然而，如圖8中所示的的變型例的前述發(fā)光裝置70可以被形成為具有由在與元件基板17、47不同的基板上生長的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的半導(dǎo)體層。在這種情況下，所生長的半導(dǎo)體層與元件基板17、47一起被改變?yōu)橹С谢濉?/p>

在前述實(shí)施方式中，各種配置和材料等僅被例示為簡單的示例。因此，配置和材料等可以根據(jù)發(fā)光裝置等而進(jìn)行適當(dāng)選擇。

前述實(shí)施方式被描述成使得InGaN類半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層被用于發(fā)光裝置，但是本發(fā)明不限于此。各種材料可以被用于發(fā)光裝置。例如，AlGaInP類、GaAsP類等可以被用于發(fā)光裝置，使得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層發(fā)出藍(lán)色以外的熒光色。另外，關(guān)于熒光體顆粒，前述實(shí)施方式被描述成使得發(fā)出黃色的硅酸鹽類熒光體被藍(lán)光激發(fā)，然而本發(fā)明不限于此。具有其它結(jié)構(gòu)的其它熒光體顆粒是適用的。能夠控制來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層和熒光體顆粒的發(fā)射光的波長的組合，使得發(fā)光裝置發(fā)出白色以外的熒光色。

要理解，前述描述和附圖闡述了本發(fā)明在此時(shí)的優(yōu)選實(shí)施方式。當(dāng)然，在不脫離所公開的發(fā)明的精神教導(dǎo)和范圍的情況下，各種變型、增加和替代方案對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言變得顯而易見。因此，應(yīng)該領(lǐng)會(huì)，本發(fā)明不局限于所公開的實(shí)施方式，而是可以在所附的權(quán)利要求的全部范圍內(nèi)實(shí)施。

本申請(qǐng)基于并要求于2015年8月24日提交的在先日本專利申請(qǐng)No.2015-165117的優(yōu)先權(quán)的利益，該在先日本專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容通過引用被并入到本文中。