1.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
基板；
第一氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述基板的主面的上方；
第二氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第一氮化物半導(dǎo)體層的上方；
第三氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第二氮化物半導(dǎo)體層的上方；
兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層與所述第二氮化物半導(dǎo)體層之間，且彼此分離地配置；
電流狹窄區(qū)域，是所述兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層之間的區(qū)域；
絕緣膜，配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層的上方，在所述電流狹窄區(qū)域的上方具有開口部；以及
第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第二氮化物半導(dǎo)體層在該第一側(cè)面和該第二側(cè)面露出，
所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別沿第一方向延伸，
所述電流狹窄區(qū)域沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，具有：第一部；第二部，配置于作為所述第一部的一側(cè)的所述第一側(cè)面部；以及第三部，配置于作為所述第一部的另一側(cè)的所述第二側(cè)面部，
所述第二部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第二部的寬度比位于所述第二部的上方的所述絕緣膜的開口部的寬度大，
所述第二部的兩端由所述絕緣膜覆蓋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第三部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第三部的寬度比位于所述第三部的上方的所述絕緣膜的開口部的寬度大，
所述第三部的兩端由所述絕緣膜覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第一部的寬度比位于所述第一部的上方的所述絕緣膜的開口部的寬度小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第一氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大，所述第一氮化物半導(dǎo)體層是第一導(dǎo)電型，
所述第三氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大，所述第三氮化物半導(dǎo)體層是與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型，
所述第四氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第三氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，
在所述第一部與所述第二部之間具有第四部，該第四部的寬度從所述第一部的寬度依次變大到所述第二部的寬度，
在所述第一部與所述第三部之間具有第五部，該第五部的寬度從所述第一部的寬度依次變大到所述第三部的寬度。
6.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
基板；
第一導(dǎo)電型的第一氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述基板的主面的上方；
第二氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第一氮化物半導(dǎo)體層的上方；
第二導(dǎo)電型的第三氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第二氮化物半導(dǎo)體層的上方，所述第二導(dǎo)電型與所述第一導(dǎo)電型相反；
兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層與所述第二氮化物半導(dǎo)體層之間，且彼此分離地配置；
電流狹窄區(qū)域，是所述兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層之間的區(qū)域；
第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域，分離地配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層中，且是所述第一導(dǎo)電型；以及
第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第二氮化物半導(dǎo)體層在該第一側(cè)面和該第二側(cè)面露出，
所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別沿第一方向延伸，
所述電流狹窄區(qū)域沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，具有：第一部；第二部，配置于作為所述第一部的一側(cè)的所述第一側(cè)面部；以及第三部，配置于作為所述第一部的另一側(cè)的所述第二側(cè)面部，
所述第二部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第二部的寬度比所述第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域之間的寬度大，所述第二部的兩端分別由所述第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，
具有第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域，該第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域分離地配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層中，且是所述第一導(dǎo)電型，
所述第三部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第三部的寬度比所述第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域之間的寬度大，所述第三部的兩端分別由所述第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，
具有絕緣膜，該絕緣膜配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層的上方，在所述電流狹窄區(qū)域的上方具有開口部，
所述絕緣膜的開口部的寬度比所述第二部的寬度和所述第三部的寬度都大。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第一氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大，
所述第三氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大，
所述第四氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第三氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，
在所述第一部與所述第二部之間具有第四部，該第四部的寬度從所述第一部的寬度依次變大到所述第二部的寬度，
在所述第一部與所述第三部之間具有第五部，該第五部的寬度從所述第一部的寬度依次變大到所述第三部的寬度。
11.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
基板；
第一氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述基板的主面的上方；
第二氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第一氮化物半導(dǎo)體層的上方；
第三氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第二氮化物半導(dǎo)體層的上方；
兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層，配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層與所述第二氮化物半導(dǎo)體層之間，且彼此分離地配置；
電流狹窄區(qū)域，是所述兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層之間的區(qū)域；以及
第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第二氮化物半導(dǎo)體層在該第一側(cè)面和該第二側(cè)面露出，
所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別沿第一方向延伸，
所述兩個(gè)第四氮化物半導(dǎo)體層之間的區(qū)域即電流狹窄區(qū)域沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，具有：第一部；第二部，配置于作為所述第一部的一側(cè)的所述第一側(cè)面部；第三部，配置于作為所述第一部的另一側(cè)的所述第二側(cè)面部；第四部；位于所述第一部與所述第二部之間；以及第五部，位于所述第一部與所述第三部之間，
所述第二部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第四部的平面形狀為所述第一方向上的寬度從所述第一部的寬度依次變大到所述第二部的寬度的錐狀，
所述第五部的平面形狀為所述第一方向上的寬度從所述第一部的寬度依次變大到所述第三部的寬度的錐狀，
所述第四部和所述第五部的所述第二方向上的長(zhǎng)度為0.65×Lad以上且1.35×Lad以下，
其中，Lad為0.37×λ/(Neff0-Neff2)，
Neff0為第二部的基本模式的有效折射率，
Neff2為第二部的二次模式的有效折射率。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第四部的所述第二方向上的長(zhǎng)度比所述第五部的所述第二方向上的長(zhǎng)度小。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第一氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大，所述第一氮化物半導(dǎo)體層是第一導(dǎo)電型，
所述第三氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第二氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大，所述第三氮化物半導(dǎo)體層是與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型，
所述第四氮化物半導(dǎo)體層的帶隙比所述第三氮化物半導(dǎo)體層的帶隙大。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，
具有絕緣膜，該絕緣膜配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層的上方，在所述電流狹窄區(qū)域的上方具有開口部，
所述第二部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第二部的寬度比位于所述第二部的上方的所述絕緣膜的所述開口部的寬度大，
所述第二部的兩端由所述絕緣膜覆蓋。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第三部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第三部的寬度比位于所述第三部的上方的所述絕緣膜的所述開口部的寬度大，
所述第三部的兩端由所述絕緣膜覆蓋。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第一部的寬度比位于所述第一部的上方的所述絕緣膜的所述開口部的寬度小。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，
具有第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域，該第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域分離地配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層中，且導(dǎo)電型與所述第三氮化物半導(dǎo)體層相反，
所述第二部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第二部的寬度比所述第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域之間的寬度大，
所述第二部的兩端分別由所述第一對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，
具有第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域，該第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域分離地配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層中，且是所述第一導(dǎo)電型，
所述第三部的寬度比所述第一部的寬度大，
所述第三部的寬度比所述第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域之間的寬度大，
所述第三部的兩端分別由所述第二對(duì)氮化物半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，
具有絕緣膜，該絕緣膜配置于所述第三氮化物半導(dǎo)體層的上方，在所述電流狹窄區(qū)域的上方具有開口部，
所述絕緣膜的開口部的寬度比所述第二部的寬度和所述第三部的寬度都大。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，
所述第一部、所述第四部以及所述第二部的平面形狀的端部具有余弦曲線部，
所述第一部、所述第五部以及所述第三部的平面形狀的端部具有余弦曲線部。