本發(fā)明大體來說涉及半導(dǎo)體激光器，且更特定來說涉及垂直腔半導(dǎo)體激光器(VCSEL)。

背景技術(shù)：

在各種各樣的光學(xué)應(yīng)用中，中等功率到高功率半導(dǎo)體激光器是高度合意的。更特定來說，對(duì)于若干種應(yīng)用(例如有源夜視裝置及三維(3D)成像裝置)，在介于從約760nm到約900nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)下操作的高功率近紅外激光器是合意的。

在可用于此類應(yīng)用的各種類型的激光器當(dāng)中，工業(yè)中通常稱為邊緣發(fā)射法布里-珀羅(Fabry-Perot，F(xiàn)P)激光器的一種類型的激光器可滿足與高功率光學(xué)輸出有關(guān)的一些要求。然而，舉例來說，由于發(fā)光小面處的高光學(xué)功率密度，高功率邊緣發(fā)射FP激光器易于遭受毀壞性故障。由于各種晶片后制作處理步驟難以按比例放大以滿足大量制造，因此高功率邊緣發(fā)射FP激光器的制造成本也往往較高。此外，高功率邊緣發(fā)射FP激光器的輸出激光束可不合意地分散且因此難以對(duì)準(zhǔn)到目標(biāo)物體。

工業(yè)中通常稱為垂直腔半導(dǎo)體激光器(VCSEL)的另一類型的激光器解決了與邊緣發(fā)射FP激光器相關(guān)聯(lián)的缺點(diǎn)中的一些缺點(diǎn)。舉例來說，不同于其中光學(xué)功率密度集中于發(fā)光小面處的小區(qū)上的邊緣發(fā)射FP激光器，VCSEL中的光學(xué)功率密度分布于顯著較大橫向表面區(qū)上，借此提供更好的裝置可靠性。并且，由于例如在晶片級(jí)處多個(gè)VCSEL之可測(cè)試性等各種因素，VCSEL可以大量制造。此測(cè)試與邊緣發(fā)射FP激光器的和制造相關(guān)的測(cè)試形成對(duì)比，邊緣發(fā)射FP激光器的和制造相關(guān)的測(cè)試可僅在半導(dǎo)體晶片的單個(gè)化之后在個(gè)別裝置上執(zhí)行。

進(jìn)一步參考VCSEL，VCSEL通常以兩種風(fēng)格制造：-“頂部發(fā)射”VCSEL及“底部發(fā)射”VCSEL?！绊敳堪l(fā)射”VCSEL遭受各種障礙，所述障礙妨礙“頂部發(fā)射”VCSEL在高功率光學(xué)應(yīng)用中的使用。此類障礙包含“頂部發(fā)射”VCSEL不能夠滿足與(舉例來說)裝置的作用區(qū)域中的激光發(fā)光電流約束相關(guān)聯(lián)的熱耗散要求。

另一方面，“底部發(fā)射”VCSEL可用于其中可準(zhǔn)許“結(jié)向下(junction-down)”焊接以在高功率操作期間實(shí)現(xiàn)更高效散熱的應(yīng)用中。在此類型的VCSEL中，光發(fā)射穿過構(gòu)成裝置的頂部表面的襯底而發(fā)生。然而，由于光必須傳播穿過襯底，因此“底部發(fā)射”VCSEL通常限于在某些波長(zhǎng)內(nèi)操作，在所述波長(zhǎng)下光可傳播穿過襯底的材料。換句話說，襯底材料必須對(duì)這些光學(xué)波長(zhǎng)為“透明的”，且此要求對(duì)可使用光學(xué)波長(zhǎng)提出限制。

總之，鑒于上文的評(píng)論，解決與傳統(tǒng)激光器相關(guān)、特別是與VCSEL相關(guān)的各種缺點(diǎn)是合意的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在本發(fā)明的一方面中，提供一種垂直腔發(fā)射激光器(VCSEL)，其包括：作用層，其夾置在第一多個(gè)半導(dǎo)體層與第二多個(gè)半導(dǎo)體層之間；襯底，其具有孔隙，所述孔隙從所述襯底的第一主要表面至少延伸到所述第一多個(gè)半導(dǎo)體層當(dāng)中的第一半導(dǎo)體層的第一主要表面；及不透明底部層，其經(jīng)配置以阻擋在所述作用層中產(chǎn)生且傳播穿過所述第二多個(gè)半導(dǎo)體層的光。

在本發(fā)明的另一方面中，提供一種垂直腔發(fā)射激光器(VCSEL)，其包括：作用層，其夾置在第一多個(gè)半導(dǎo)體層與第二多個(gè)半導(dǎo)體層之間；襯底，其具有孔隙，所述孔隙經(jīng)配置以允許在所述作用層中產(chǎn)生的光在傳播穿過所述第一多個(gè)半導(dǎo)體層之后射出所述VCSEL；及不透明底部層，其經(jīng)配置以阻擋在所述作用層中產(chǎn)生且傳播穿過所述第二多個(gè)層的光。

在本發(fā)明的又一方面中，提供一種垂直腔發(fā)射激光器(VCSEL)，其包括：襯底，其具有延伸穿過所述襯底的孔，所述孔經(jīng)配置以允許在所述VCSEL的作用層中產(chǎn)生的光射出所述VCSEL；及不透明底部層，其位于所述VCSEL的相對(duì)側(cè)上，所述不透明底部層經(jīng)配置以阻擋在所述VCSEL的所述作用層中產(chǎn)生的光。

附圖說明

通過連同所附權(quán)利要求書及附圖一起參考以下描述可更好地理解本發(fā)明的許多方面。在各圖中，相同編號(hào)指示相同結(jié)構(gòu)元件及特征。為了清晰，并未在每一圖中以編號(hào)標(biāo)示每一元件，且并未在每一圖中展示或在各圖中復(fù)制每一類似元件。圖式未必按比例繪制，替代地，重點(diǎn)放在圖解說明本發(fā)明的原理上。圖式不應(yīng)解釋為將本發(fā)明的范圍限制于本文中所展示的實(shí)例性實(shí)施例。

圖1展示VCSEL的第一示范性實(shí)施例，所述VCSEL并有具有光穿過其從所述VCSEL射出的孔隙的襯底。

圖2展示VCSEL的第二示范性實(shí)施例，所述VCSEL并有具有光穿過其從所述VCSEL射出的孔隙的襯底。

圖3展示VCSEL的第三示范性實(shí)施例，所述VCSEL并有具有光穿過其從所述VCSEL射出的孔隙的襯底。

圖4展示并有根據(jù)本發(fā)明的VCSEL以及一或多個(gè)額外組件的示范性光學(xué)裝置。

圖5展示并有根據(jù)本發(fā)明的VCSEL以及一或多個(gè)額外組件的另一示范性光學(xué)裝置。

圖6展示并有根據(jù)本發(fā)明的VCSEL以及一或多個(gè)額外組件的又一示范性光學(xué)裝置。

圖7A及7B展示描述與制作根據(jù)本發(fā)明的VCSEL的方法相關(guān)聯(lián)的各種步驟的流程圖。

具體實(shí)施方式

遍及本描述，出于說明發(fā)明性概念的使用及實(shí)施的目的而描述各實(shí)施例及變化。說明性描述應(yīng)理解為呈現(xiàn)發(fā)明性概念的實(shí)例，而不應(yīng)理解為限制如本文中所揭示的概念的范圍。應(yīng)進(jìn)一步理解，本文中僅為了方便而使用某些字詞及短語，且此類字詞及短語應(yīng)解釋為指的是所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員通常以各種形式及等效物理解的各種物體及動(dòng)作。舉例來說，字詞“孔隙”可在一些實(shí)例中在本文中所描述的上下文中理解為“通孔”，且在其它實(shí)例中理解為“部分延伸孔”或“凹部”。還應(yīng)理解，如本文中所使用的字詞“實(shí)例”打算本質(zhì)上為非排他性的及非限制性的。更特定來說，如本文中所使用的字詞“示范性”指示數(shù)個(gè)實(shí)例當(dāng)中的一者，且其應(yīng)理解為不針對(duì)于所描述的特定實(shí)例有過度強(qiáng)調(diào)或偏好。

就總體概述來說，根據(jù)本發(fā)明的垂直腔半導(dǎo)體激光器(VCSEL)包含具有孔隙的襯底，所述孔隙允許在VCSEL的作用層中產(chǎn)生的光在傳播穿過第一組半導(dǎo)體層之后射出VCSEL。所述VCSEL進(jìn)一步包含阻擋在作用層中產(chǎn)生且傳播穿過第二組半導(dǎo)體層的光的不透明底部層。不透明底部層可附接到散熱片以進(jìn)行熱耗散，借此允許在高功率電平下操作VCSEL。作用層夾置在第一組半導(dǎo)體層與第二組半導(dǎo)體層之間。不同于其中僅某些波長(zhǎng)的光可傳播穿過對(duì)這些特定波長(zhǎng)“透明”的實(shí)心襯底的傳統(tǒng)VCSEL，根據(jù)本發(fā)明的VCSEL的襯底中所提供的孔隙允許許多不同波長(zhǎng)的傳播。

下文描述的是根據(jù)本發(fā)明的VCSEL的各種示范性實(shí)施方案。舉例來說，每一示范性實(shí)施方案并有在連接性及可操作性方面的各種有利特征。

首先關(guān)注圖1，其展示并有具有孔隙185的襯底110的VCSEL 100的第一示范性實(shí)施例。VCSEL 100經(jīng)配置以用于至少沿著主光學(xué)軸106穿過孔隙185將光從底部射出。如本技術(shù)領(lǐng)域中已知，激光產(chǎn)生于VCSEL的作用區(qū)域中。作用區(qū)域可通常就各種半導(dǎo)體層界定，例如，多量子阱(MQW)層155、n型分布式布拉格反射器(DBR)層150、p型DBR層165及電流約束層160，所述層展示于圖1中。MQW層155為構(gòu)成VCSEL 100的作用層的作用區(qū)域的一部分，光由于自發(fā)發(fā)射而在所述MQW層處起源。作用區(qū)域的操作是本技術(shù)領(lǐng)域中已知的，且此處為了簡(jiǎn)潔而將不進(jìn)行詳述。

鄰近于p型DBR層165的是p型接觸層170，所述p型接觸層接近于金屬接觸層172而定位。p型接觸層170可任選地包含經(jīng)蝕刻臺(tái)面部分，在此示范性實(shí)施例中，所述經(jīng)蝕刻臺(tái)面部分部分地由斜邊171界定。經(jīng)蝕刻臺(tái)面部分準(zhǔn)許在如此期望的情況下進(jìn)行偏振控制或折射率導(dǎo)引。此外，p型接觸層170連同金屬接觸層172一起實(shí)現(xiàn)VCSEL100的作用區(qū)域中的均勻電流注入。以向上指向的箭頭的形式展示均勻電流注入方面，所述向上指向的箭頭還指示來自VCSEL 100的光學(xué)發(fā)射的方向。此外，此布置準(zhǔn)許VCSEL 100的作用區(qū)域中的均勻溫度分布及低結(jié)溫度。

金屬接觸層172作為不透明底部層操作，其阻擋在作用區(qū)域中產(chǎn)生的光從VCSEL100穿過半導(dǎo)體堆疊的底半部分朝向子基臺(tái)190(舉例來說，穿過p型DBR層165及p型接觸層170)傳播出去。金屬接觸層172還通過可附接到金屬接觸層172的散熱片175而促進(jìn)熱耗散。散熱片175安裝于第一接合墊180上，所述第一接合墊位于子基臺(tái)190的主要表面上。第二接合墊135也位于子基臺(tái)190的主要表面上，如所展示。第二接合墊135提供接合線130到n型觸點(diǎn)125的連接，所述n型觸點(diǎn)定位成與VCSEL 100的發(fā)射表面126共面。

發(fā)射表面126可通常視為與襯底110的頂部主要表面及孔隙185的頂部部分共面?？紫?85的頂部部分具有大于較接近于VCSEL 100的作用區(qū)域而定位的相對(duì)底部部分的直徑。更特定來說，在此示范性實(shí)施例中，孔隙185包含由斜壁120界定的第一漸縮桶狀部分及由斜壁113界定的第二漸縮桶狀部分，其中臺(tái)階部分111將第一漸縮桶狀部分與第二漸縮桶狀部分劃分開。孔隙185從襯底110的頂部主要表面至少延伸到蝕刻停止層140?？蔀锳lGaAs蝕刻停止層的蝕刻停止層140在一側(cè)上鄰近于n型電流擴(kuò)散層145而定位且在另一側(cè)上鄰近于襯底110的底部表面而定位。在一些實(shí)例性實(shí)施方案中，孔隙185可延伸到蝕刻停止層140中，且在又一些實(shí)例性實(shí)施方案中，延伸到n型電流擴(kuò)散層145中。

球形透鏡105安裝于孔隙185的臺(tái)階部分111上且通過使用適合環(huán)氧樹脂化合物115而錨定到蝕刻停止層140。臺(tái)階部分111相對(duì)于蝕刻停止層140的高度116(“h”)可基于各種準(zhǔn)則而選擇，例如，球形透鏡105的直徑、與球形透鏡105相關(guān)聯(lián)的聚焦參數(shù)及球形透鏡105的操作的本質(zhì)(舉例來說，作為準(zhǔn)直透鏡或聚焦透鏡)。在一個(gè)示范性實(shí)施方案中，球形透鏡105具有約100微米的直徑，且臺(tái)階部分111相對(duì)于蝕刻停止層140的高度116為約50微米。在此布置中，處于850納米的波長(zhǎng)的光可從具有約30微米的直徑的VCSEL 100傳播出去。

由于孔隙185的幾何形狀(特別是由于斜壁120及臺(tái)階部分111)，球形透鏡105可以高度精確度放置于孔隙185內(nèi)部?？紫?85的幾何形狀(直徑、深度等)經(jīng)選擇使得球形透鏡105的頂部表面位于VCSEL 100的發(fā)射表面126下方。此特征在VCSEL 100的制造期間提供若干個(gè)優(yōu)點(diǎn)，例如，在裸片拾取與放置操作期間保護(hù)球形透鏡105、在晶片級(jí)處消除與線接合操作的干擾、在晶片級(jí)處在線接合操作完成之后促進(jìn)較容易測(cè)試程序及在制造期間準(zhǔn)許與倒裝芯片相關(guān)的動(dòng)作。此與傳統(tǒng)方法形成對(duì)比，在傳統(tǒng)方法中，透鏡必須僅在完成某些晶片級(jí)操作(例如線接合及裸片拾取與放置)之后放置于VCSEL中。在完成晶片級(jí)操作之后將透鏡放置于VCSEL中可通常使芯片級(jí)測(cè)試而不是更有利的晶片級(jí)測(cè)試成為必須。

往回轉(zhuǎn)到VCSEL 100，在此示范性實(shí)施例中，襯底110被指示為n型GaAs襯底。然而，在其它實(shí)施例中，可替代地使用除GaAs之外的材料。無論針對(duì)襯底110所選擇的材料的本質(zhì)如何，使VCSEL 100的操作波長(zhǎng)低于襯底110的吸收閾值是合意的。在其中將適合材料用于襯底110的各種示范性實(shí)施例中，VCSEL 100可在介于從約760nm到約1060nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)下操作。

圖2展示也并有襯底110及孔隙185的VCSEL 200的第二示范性實(shí)施例。VCSEL 200的光產(chǎn)生部分及發(fā)光部分類似于上文所描述的VCSEL 100的光產(chǎn)生部分及發(fā)光部分且因此為了簡(jiǎn)潔將不在此處重復(fù)。然而，與其中接合線130附接到定位成與VCSEL 100的發(fā)射表面126共面的n型觸點(diǎn)125的VCSEL 100相比，在此第二示范性實(shí)施例中，VCSEL 200并有位于半導(dǎo)體堆疊內(nèi)的n型觸點(diǎn)205。如上文所描述，半導(dǎo)體堆疊包含各種層，例如(MQW)層155、n型DBR層150、p型DBR層165及電流約束層160，且在發(fā)現(xiàn)適合時(shí)，n型觸點(diǎn)205可位于這些層中的一或多者內(nèi)。

在此示范性實(shí)施方案中，n型觸點(diǎn)205位于n型DBR層150中且提供于可從子基臺(tái)190接達(dá)的凹部210內(nèi)部。此外，在此示范性實(shí)施方案中，凹部210具有倒置桶狀形狀，其中倒置桶的較大端較接近于子基臺(tái)190而定位且倒置桶的較小端容納n型觸點(diǎn)205。凹部210不僅給線連接或可在n型觸點(diǎn)205與位于子基臺(tái)190上的接合墊180之間做出的其它類型的連接提供保護(hù)性環(huán)境，而且消除與線接合外部線接合件(例如圖1中所展示的線接合件130)相關(guān)聯(lián)的某些操作。

圖3展示也并有襯底110及孔隙185的VCSEL 300的第三示范性實(shí)施例。VCSEL 300的光產(chǎn)生部分及發(fā)光部分類似于上文所描述的VCSEL 100的光產(chǎn)生部分及發(fā)光部分且因此為了簡(jiǎn)潔將不在此處重復(fù)。然而，在此第三示范性實(shí)施例中，p型觸點(diǎn)310以及n型觸點(diǎn)305定位成與VCSEL 300的發(fā)射表面326共面。在此布置中，n型觸點(diǎn)305及p型觸點(diǎn)310騎跨孔隙185。此外，一對(duì)凹部(具體來說，第一凹部320及第二凹部325)提供于半導(dǎo)體堆疊內(nèi)部。第一凹部320在半導(dǎo)體堆疊內(nèi)部包含臺(tái)階部分。n型觸點(diǎn)315提供于此臺(tái)階部分上。

圖4展示包含位于外殼405內(nèi)部的VCSEL的示范性光學(xué)裝置400。外殼405的頂部表面作為用于安裝各種組件(例如，投射透鏡410)的安裝平臺(tái)操作。位于外殼405內(nèi)部的VCSEL可為根據(jù)本發(fā)明的本文中所描述的VCSEL中的任一者。在此示范性說明中，VCSEL為上文所描述的VCSEL 200，且并有到VCSEL 200中的透鏡105為使經(jīng)準(zhǔn)直光束朝向投射透鏡410傳播的準(zhǔn)直透鏡。投射透鏡410包含衍射光學(xué)元件(DOE)415及折射透鏡416。投射透鏡410及特別是布置為與通過透鏡105傳播的經(jīng)準(zhǔn)直光束對(duì)準(zhǔn)的DOE415可根據(jù)各種所要功能性來選擇。

在第一實(shí)例性實(shí)施方案中，DOE 415可為非成像漫射器，其作為勢(shì)壘操作以防止人因直接觀看由VCSEL 200發(fā)射的激光束而遭受眼睛傷害。除提供眼睛傷害保護(hù)外，DOE415還漫射由VCSEL 200發(fā)射的激光束且以一或多個(gè)預(yù)定義角度跨較大照明場(chǎng)投射經(jīng)漫射光。

在第二實(shí)例性實(shí)施方案中，DOE 415可為用于產(chǎn)生各種光圖案的光束整形元件。舉例來說，DOE 415可在三維(3D)感測(cè)裝置中用于產(chǎn)生用于感測(cè)一或多個(gè)物體的一或多個(gè)經(jīng)界定二維(2D)光圖案。

圖5展示并有VCSEL的示范性光學(xué)裝置500，所述VCSEL使光朝向所述VCSEL安裝于其上的子基臺(tái)傳播。在此示范性說明中，VCSEL為上文所描述的VCSEL 300。p型觸點(diǎn)310通過使用安裝墊537及焊料536而附接到玻璃子基臺(tái)530。n型觸點(diǎn)305類似地通過使用安裝墊538及焊料539而附接到玻璃子基臺(tái)530。為VCSEL 300的一部分的透鏡105使光沿著主光學(xué)軸520傳播。第二透鏡510安裝于子基臺(tái)530的主要表面上，使得第二透鏡510的光學(xué)軸與主光學(xué)軸520重合。提供于相對(duì)主要表面上的導(dǎo)電金屬膜525包含孔隙515，光沿著主光學(xué)軸520穿過所述孔隙從光學(xué)裝置500傳播出去。

提供于導(dǎo)電金屬膜525中的孔隙515允許光學(xué)裝置500作為非常小孔隙激光器(VSAL)操作。光學(xué)軸520與孔隙515的準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)可以各種方式實(shí)現(xiàn)，例如，通過在焊料537及焊料539經(jīng)受焊料回流工藝時(shí)n型觸點(diǎn)305及p型觸點(diǎn)310的自對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作。

圖6展示是上文所描述的光學(xué)裝置500的變體的示范性光學(xué)裝置600。在此示范性實(shí)施例中，由VCSEL 300沿著主光學(xué)軸620發(fā)射的光入射于位于子基臺(tái)625上或?yàn)樽踊_(tái)625的一體式部分的光學(xué)光柵605上。光學(xué)光柵605將從VCSEL 300接收的光引導(dǎo)到也可為子基臺(tái)625的一體式部分的光學(xué)波導(dǎo)610中。子波長(zhǎng)孔隙615提供于光學(xué)波導(dǎo)610的發(fā)光小面處，因此具有子波長(zhǎng)大小的光可從子波長(zhǎng)孔隙615傳播出去。

圖7A及7B展示描述與制作根據(jù)本發(fā)明的VCSEL的方法相關(guān)聯(lián)的各種步驟的流程圖。在步驟705中，提供n型GaAs襯底。在步驟710中，在n型GaAs襯底上外延生長(zhǎng)n型AlGaAs蝕刻停止層，后續(xù)接著步驟715，在步驟715中，在n型AlGaAs蝕刻停止層上外延生長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體堆疊的額外層(DBR層、MQW層等)。在步驟720中，在n型GaAs襯底的經(jīng)暴露頂部表面上提供蝕刻深度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。此后續(xù)接著步驟725，在步驟725中，在VCSEL的對(duì)應(yīng)于VCSEL的電流約束區(qū)的指定作用孔隙區(qū)外部執(zhí)行質(zhì)子植入。在步驟730中，在期望偏振鎖定或折射率導(dǎo)引的情況下，向p型DBR層中蝕刻臺(tái)面，后續(xù)接著步驟735，在步驟735中，沉積呈p型觸點(diǎn)的形式的金屬層。在步驟740中，通過以下操作在金屬層的頂部表面上提供散熱片：通過例如厚金鍍敷等工藝或通過將散熱片結(jié)合到高導(dǎo)熱率子基臺(tái)。在步驟745中，可使用紅外(IR)對(duì)準(zhǔn)器來在子基臺(tái)的底部表面上界定n觸點(diǎn)金屬圖案，后續(xù)接著步驟750，在步驟750中，沉積歐姆金屬，后續(xù)接著合金化工藝以形成n型觸點(diǎn)。在步驟755中，可任選地在n型觸點(diǎn)的頂部上添加額外金屬以便形成接合墊。

在步驟760中，在襯底中制作孔隙以用于容納球形透鏡。在步驟765中，將孔隙的底部部分鈍化，后續(xù)接著移除n型接合墊區(qū)中的鈍化部。在步驟770中，將球形透鏡浸漬到環(huán)氧樹脂儲(chǔ)器中且允許過量環(huán)氧樹脂從球形透鏡滴落達(dá)受控持續(xù)時(shí)間。在步驟775中，將球形透鏡放置于孔隙中。在完成步驟775后，在步驟780中，在球形透鏡處于適當(dāng)位置中的情況下執(zhí)行用于測(cè)試VCSEL的測(cè)試程序。此可通過將探針放置成與其上成批制造多個(gè)VCSEL的晶片接觸而執(zhí)行。在步驟785中，執(zhí)行裸片單個(gè)化以將晶片切割成若干個(gè)別VCSEL，且用線接合互連件將個(gè)別VCSEL附接到子基臺(tái)。

總之，應(yīng)注意，已出于演示本發(fā)明的原理及概念的目的而參考數(shù)個(gè)說明性實(shí)施例描述了本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員鑒于本文中所提供的描述將理解，本發(fā)明不限于這些說明性實(shí)施例。舉例來說，雖然在本文中所描述的各種實(shí)施例中孔隙為圓形孔隙，但在各種其它實(shí)施例中，舉例來說，孔隙可為橢圓形形狀的孔隙或四邊形形狀的孔隙。此外，孔隙的壁可不僅為如各圖中所展示的平滑表面，而且可在各種實(shí)施方案中具有各種不規(guī)則形狀。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可在不背離本發(fā)明的范圍的情況下對(duì)說明性實(shí)施例做出許多此類變化。