技術編號:12181125
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大體來說涉及半導體激光器,且更特定來說涉及垂直腔半導體激光器(VCSEL)。背景技術在各種各樣的光學應用中,中等功率到高功率半導體激光器是高度合意的。更特定來說,對于若干種應用(例如有源夜視裝置及三維(3D)成像裝置),在介于從約760nm到約900nm的范圍內的波長下操作的高功率近紅外激光器是合意的。在可用于此類應用的各種類型的激光器當中,工業(yè)中通常稱為邊緣發(fā)射法布里-珀羅(Fabry-Perot,FP)激光器的一種類型的激光器可滿足與高功率光學輸出有關的一些要求。然而,舉例來說,由于發(fā)...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。