技術(shù)特征：

1.一種在接觸孔中制備薄膜的方法，在具有接觸孔以及位于接觸孔底部的金屬硅化物和/或硅區(qū)的襯底上進行，其特征在于，包括：

步驟01：采用除氣工藝去除襯底表面和接觸孔表面的水汽；

步驟02：采用預(yù)清洗工藝清洗襯底表面和接觸孔表面；

步驟03：在第一溫度下在接觸孔底部和頂部表面形成Ti層；

步驟04：在第二溫度下在Ti層表面和接觸孔側(cè)壁形成TiN層；

步驟05：在第三溫度下采用除氣工藝促進Ti層和位于Ti層底部的硅區(qū)的Si的反應(yīng)生成鈦硅化物；其中，所述第三溫度與所述第一溫度、所述第二溫度不相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三溫度高于所述第一溫度，且高于所述第二溫度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，襯底表面和接觸孔表面具有氧化膜，所述步驟02中，采用預(yù)清洗工藝時將襯底表面和接觸孔表面的氧化膜去除。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，去除氧化膜的厚度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟03中，采用氣相沉積法在接觸孔底部、側(cè)壁和頂部沉積Ti層，然后，圖案化Ti層，去除接觸孔側(cè)壁和頂部的Ti層，保留接觸孔底部的Ti層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟04中，采用金屬有機化合物氣相沉積工藝在Ti層表面和接觸孔側(cè)壁和頂部沉積TiN層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述TiN層的厚度為。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟05中，所述除氣工藝的反應(yīng)時間為30～60S。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟05中的除氣工藝和所述步驟01中的除氣工藝的溫度和時間不相同，其它參數(shù)均相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述除氣工藝的過程采用加熱使不穩(wěn)定核素釋出并離子化后排出，從而去除水汽和前道刻蝕工序的殘留物。