技術(shù)特征：

1.一種顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一晶體管和第二晶體管；

所述第一晶體管包括依次疊的第一柵極、第一柵極絕緣層、第一有源層、第一源極和第一漏極；

所述第二晶體管包括依次疊設(shè)的第二柵極、第二柵極絕緣層、第二有源層、第二源極和第二漏極；

第二晶體管垂直疊設(shè)于第一晶體管之上，第一晶體管的漏極通過(guò)接觸孔與第二晶體管的第二柵極連接，第二晶體管的部分第二柵極、第二柵極絕緣層和第二漏極構(gòu)成存儲(chǔ)電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第一平坦層和第二平坦層；

所述第一平坦層設(shè)于第一晶體管和第二晶體管之間；

所述第二平坦層設(shè)于第二晶體管之上；

所述第一平坦層和第二平坦層由絕緣材料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一平坦層為單層或多層絕緣薄膜；所述絕緣薄膜由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、Ta₂O₅或Y₂O₃制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二平坦層為單層或多層絕緣薄膜；所述絕緣薄膜由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、Ta₂O₅或Y₂O₃制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一平坦層的厚度為50nm至500nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二平坦層的厚度為50nm至500nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6任意一項(xiàng)所述的顯示器件的像素單元版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過(guò)如下步驟制備：

(1)在襯底上制備緩沖層；

(2)在步驟(1)制備的緩沖層上第一金屬層和第一絕緣層分別作為第一柵極和第一柵極絕緣層；

(3)沉積第一金屬氧化物半導(dǎo)體層，并圖形化第一金屬氧化物半導(dǎo)體層作為第一有源層；

(4)沉積并圖形化第二金屬層，作為第一源極和第一漏極；

(5)沉積第一平坦層,并圖形化第一平坦層形成接觸孔；

(6)在第一平坦層上沉積第三金屬層和第二絕緣層分別作為第二柵極和第二柵極絕緣層；

(7)再沉積第二金屬氧化物半導(dǎo)體層，并圖形化第二金屬氧化物半導(dǎo)體層作為第二有源層；

(8)沉積并圖形化第四金屬層，作為第二源極和第二漏極；

(9)沉積第二平坦層。