本申請要求以日本專利申請2016-48898號(申請日:2016年3月11日)為在先申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該在先申請而包含在先申請的全部內(nèi)容。

本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體裝置中，例如，存在如下結(jié)構(gòu)：將多個半導(dǎo)體芯片層疊，并利用凸塊將其之間電連接。期望得到穩(wěn)定的電連接。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供能夠容易得到穩(wěn)定的連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，半導(dǎo)體裝置包括布線基板、第1半導(dǎo)體元件、第2半導(dǎo)體元件、凸塊、粘接部以及樹脂部。所述第2半導(dǎo)體元件設(shè)置在所述布線基板與所述第1半導(dǎo)體元件之間。所述凸塊設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體元件與所述第2半導(dǎo)體元件之間，將所述第1半導(dǎo)體元件與所述第2半導(dǎo)體元件電連接。所述粘接部具有第1彈性模量，其設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體元件與所述第2半導(dǎo)體元件之間，將所述第1半導(dǎo)體元件與所述第2半導(dǎo)體元件粘接。所述樹脂部具有比所述第1彈性模量高的第2彈性模量。所述樹脂部的第1部分設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體元件與所述第2半導(dǎo)體元件之間。在所述樹脂部的第2部分與所述布線基板之間，配置所述第1半導(dǎo)體元件以及所述第2半導(dǎo)體元件。所述樹脂部的第3部分在與從所述布線基板朝向所述第1半導(dǎo)體元件的第1方向交叉的第2方向上與所述第1半導(dǎo)體元件以及所述第2半導(dǎo)體元件重疊。

附圖說明

圖1的(a)以及圖1的(b)是例示實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意性剖視圖。

圖2的(a)～圖2的(f)是例示半導(dǎo)體裝置的特性的示意性剖視圖。

圖3的(a)以及圖3的(b)是例示與半導(dǎo)體裝置相關(guān)的實驗結(jié)果的表。

圖4的(a)～圖4的(f)是例示實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置的示意性剖視圖。

圖5的(a)～圖5的(d)是例示實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序順序示意性剖視圖。

標(biāo)號的說明

10…半導(dǎo)體元件；11～13…第1～第3半導(dǎo)體元件；15…層疊體；16…引線框；21…凸塊；25…粘接部；30…樹脂部；31～35…第1～第5部分；40…布線基板；41…貫通電極；42…基板；43…連接部件；45…連接部件；110～116、118、119…半導(dǎo)體裝置；110a…加工體；d1、d2…彈性模量；e1～e3…第1～第3評價結(jié)果；ht…高溫狀態(tài)；r1…面積比率；rt…室溫狀態(tài)

具體實施方式

以下，一邊參照附圖，一邊對本發(fā)明的各實施方式進(jìn)行說明。

附圖是示意性或概念性的附圖，各部分的厚度和寬度的關(guān)系、部分間的大小的比率等不一定限于與現(xiàn)實的是相同的。即便在表示相同部分的情況下，也存在根據(jù)附圖而使相互的尺寸和/或比率不同地表示的情況。

在本申請說明書和各圖中，對于與針對已示出的圖所描述過的要素同樣的要素，標(biāo)注同一標(biāo)號而適當(dāng)省略詳細(xì)的說明。

圖1的(a)以及圖1的(b)是例示實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意性剖視圖。

圖1的(a)是圖1的(b)的a1-a2線剖視圖。圖1的(b)是圖1的(a)的b1-b2線剖視圖。

如圖1的(a)以及圖1的(b)所示，實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置110包括：布線基板40、多個半導(dǎo)體元件10、凸塊21、粘接部25及樹脂部30。

多個半導(dǎo)體元件10(例如，半導(dǎo)體芯片)在z軸方向上層疊。多個半導(dǎo)體元件10可以相互不相同。在該例中，多個半導(dǎo)體元件10在z軸方向上相互分離。在兩個半導(dǎo)體元件10之間，設(shè)置有凸塊21以及粘接部25。在該例中，還設(shè)置有引線框16。在引線框16與布線基板40之間配置有多個半導(dǎo)體元件10。

多個半導(dǎo)體元件10例如包含第1半導(dǎo)體元件11、第2半導(dǎo)體元件12以及第3半導(dǎo)體元件13等。第1半導(dǎo)體元件11以及第2半導(dǎo)體元件12例如是存儲器芯片。第3半導(dǎo)體元件13是用于將從連接部件45輸入的數(shù)據(jù)變換為能夠向半導(dǎo)體元件10輸入的形式、或?qū)陌雽?dǎo)體元件10輸出的數(shù)據(jù)變換為能夠通過連接部件45輸出的形式的接口。半導(dǎo)體元件10的功能是任意的。例如，第3半導(dǎo)體元件13的尺寸與其它的半導(dǎo)體元件(例如第1半導(dǎo)體元件11)的尺寸不同。

例如，第2半導(dǎo)體元件12被設(shè)置在布線基板40與第1半導(dǎo)體元件11之間。在該例中，第3半導(dǎo)體元件13被設(shè)置在布線基板40與第2半導(dǎo)體元件12之間。多個半導(dǎo)體元件10的數(shù)量是任意的。

將從布線基板40朝向第1半導(dǎo)體元件11的方向(第1方向)設(shè)為z軸方向。將與z軸方向垂直的一個方向設(shè)為x軸方向。將與z軸方向以及x軸方向垂直的方向設(shè)為y軸方向。

布線基板40的主面例如與x-y平面平行。布線基板40例如是沿著x-y平面擴(kuò)展的板狀。多個半導(dǎo)體元件10的各個是沿著x-y平面擴(kuò)展的板狀。多個半導(dǎo)體元件10的層疊方向與z軸方向?qū)?yīng)。

以下，對于多個半導(dǎo)體元件10中的第1半導(dǎo)體元件11以及第2半導(dǎo)體元件12進(jìn)行說明。

凸塊21被設(shè)置在第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12之間。凸塊21將第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12電連接。

粘接部25被設(shè)置在第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12之間。粘接部25將第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12粘接。粘接部25在x-y平面內(nèi)與凸塊21并排。粘接部25具有第1彈性模量。第1彈性模量比較低。

如圖1的(a)所示，也可以設(shè)置多個凸塊21。多個凸塊21在x-y平面內(nèi)排列。例如，多個凸塊21的一部分沿x軸方向排列，多個凸塊21的一部分沿y軸方向排列。

如圖1的(a)所示，也可以設(shè)置多個粘接部25。多個粘接部25在x-y平面內(nèi)排列。例如，多個粘接部25的一部分沿x軸方向排列，多個粘接部25的一部分沿y軸方向排列。粘接部25的尺寸可以比凸塊21的尺寸大，也可以比凸塊21的尺寸小，還可以是相同的。

例如，多個半導(dǎo)體元件10與布線基板40通過連接部件43而電連接。在該例中，布線基板40包括基板42和貫通電極41。貫通電極41在基板42中貫通。在布線基板40的底面設(shè)置有連接部件45(凸塊等)。半導(dǎo)體裝置110經(jīng)由連接部件45安裝于其它的安裝部件(未圖示)等而被使用。

樹脂部30被設(shè)置于多個半導(dǎo)體元件10的周圍。樹脂部30也被設(shè)置于多個半導(dǎo)體元件10之間的區(qū)域。

如圖1的(b)所示，樹脂部30的第1部分31被設(shè)置在第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12之間。在樹脂部30的第2部分32與布線基板40之間，配置有多個半導(dǎo)體元件10(第1半導(dǎo)體元件11以及第2半導(dǎo)體元件12)。樹脂部30的第3部分33在與z軸方向(從布線基板40朝向第1半導(dǎo)體元件11的第1方向)交叉的第2方向(x-y平面內(nèi)的任意的方向)上，與第1半導(dǎo)體元件11以及第2半導(dǎo)體元件12重疊。例如，第3部分33包圍多個半導(dǎo)體元件10的側(cè)面。

樹脂部30具有第2彈性模量。第2彈性模量比粘接部25的第1彈性模量高。換言之，粘接部25的第1彈性模量比樹脂部30的第2彈性模量低。粘接部25使用低彈性模量的材料。另一方面，樹脂部30使用高彈性模量的材料。例如，粘接部25使用低彈性模量的丙烯樹脂等。另一方面，樹脂部30使用高彈性模量的環(huán)氧樹脂等。

作為密封多個半導(dǎo)體元件10的周圍的樹脂部30，使用彈性模量高的材料，由此，例如能夠抑制封裝的翹曲。例如，能夠使針對來自外部的應(yīng)力的耐性高。能夠保護(hù)半導(dǎo)體元件10以免受到來自外部的損壞。這種密封用的樹脂部30例如是模制樹脂。

可知：如果將這種彈性模量比較高的模制樹脂也設(shè)置在多個半導(dǎo)體元件10之間，則在利用設(shè)置于多個半導(dǎo)體元件10之間的凸塊21的連接中會發(fā)生不良。例如，在凸塊21與半導(dǎo)體元件10之間的面上，容易產(chǎn)生龜裂，甚至存在產(chǎn)生剝離的情況。或者，在連接有凸塊21的半導(dǎo)體元件10的電極層等中，有時產(chǎn)生龜裂或剝離。

根據(jù)本申請發(fā)明人們的實驗可知：在多個半導(dǎo)體元件10之間設(shè)置粘接部25，將多個半導(dǎo)體元件10彼此粘接，由此，連接不良的癥狀得以減輕。另外，可知：通過使粘接部25的彈性模量比較低，能夠抑制凸塊21中的連接不良。

在實施方式中，利用粘接部25將多個半導(dǎo)體元件10彼此粘接，使粘接部25的第1彈性模量比樹脂部30的第2彈性模量低。由此，能夠抑制凸塊21中的連接不良。在實施方式中，能夠提供容易得到穩(wěn)定的連接的半導(dǎo)體裝置。在實施方式中，能夠抑制封裝的翹曲而維持高的外部應(yīng)力耐性，并且，能夠得到穩(wěn)定的電連接。

如圖1的(b)所示，在實施方式中，也可以在布線基板40與第2半導(dǎo)體元件12之間配置樹脂部30的第4部分34。能夠抑制該部分中的連接不良。也可以在布線基板40與第3半導(dǎo)體元件13之間配置樹脂部30的第5部分35。能夠抑制該部分中的連接不良。例如，在多個半導(dǎo)體元件10內(nèi)，在距離布線基板40最近的半導(dǎo)體元件10與布線基板40之間，也可以配置樹脂部30的一部分。例如，由樹脂部30包圍多個半導(dǎo)體元件10的周圍。多個半導(dǎo)體元件10被樹脂部30密封而被保護(hù)。

圖2的(a)～圖2的(f)是例示半導(dǎo)體裝置的特性的示意性剖視圖。

這些圖示出具有不同的構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中的翹曲的特性的例子。

圖2的(a)以及圖2的(b)與實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置110對應(yīng)。在半導(dǎo)體裝置110中，在兩個半導(dǎo)體元件10之間，設(shè)置有凸塊21、上述的粘接部25和樹脂部30。圖2的(c)以及圖2的(d)與第1參考例的半導(dǎo)體裝置118對應(yīng)。在半導(dǎo)體裝置118中，在兩個半導(dǎo)體元件10之間設(shè)置有凸塊21和樹脂部30，而未設(shè)置有粘接部。圖2的(e)以及圖2的(f)與第2參考例的半導(dǎo)體裝置119對應(yīng)。在半導(dǎo)體裝置119中，也在兩個半導(dǎo)體元件10之間設(shè)置有凸塊21和樹脂部30，未設(shè)置有粘接部。半導(dǎo)體裝置118中的凸塊21的數(shù)量(密度)比半導(dǎo)體裝置119中的凸塊21的數(shù)量(密度)高。

圖2的(a)、圖2的(c)以及圖2的(e)與制造中途的高溫狀態(tài)ht對應(yīng)。該狀態(tài)例如與利用凸塊21進(jìn)行的連接以及樹脂部30的固化時的狀態(tài)對應(yīng)。高溫狀態(tài)ht的溫度為約150℃～約175℃。圖2的(b)、圖2的(d)以及圖2的(f)與制造后的室溫狀態(tài)rt(常溫狀態(tài))對應(yīng)。室溫狀態(tài)rt的溫度例如為約23℃。

如圖2的(a)、圖2的(c)以及圖2的(e)所示，在制造中途的高溫狀態(tài)ht下，在任意的半導(dǎo)體裝置中，層疊體(多個半導(dǎo)體元件10)中實質(zhì)上不存在翹曲。因此，實質(zhì)上不向凸塊21施加應(yīng)力。

如圖2的(b)、圖2的(d)以及圖2的(f)所示，在室溫狀態(tài)rt下，層疊體會產(chǎn)生翹曲。這基于例如層疊體(多個半導(dǎo)體元件10)中的熱膨脹系數(shù)的差異等。由于翹曲而產(chǎn)生應(yīng)力。如圖2的(d)以及圖2的(f)所示，在半導(dǎo)體裝置118以及119中，向與凸塊21連接的區(qū)域施加應(yīng)力。由此，在凸塊21與半導(dǎo)體元件10之間會產(chǎn)生龜裂或剝離。

相對于此，在半導(dǎo)體裝置110中，除了凸塊21外，設(shè)置有低彈性模量的粘接部25。由于因翹曲而產(chǎn)生的應(yīng)力，半導(dǎo)體元件10中的與粘接部25相接觸的部分會變形。由于變形，應(yīng)力被緩和。因此，半導(dǎo)體元件10中的與凸塊21連接的區(qū)域中，應(yīng)力會變小。在半導(dǎo)體元件10中的與凸塊21連接的區(qū)域中，翹曲會變小。由于半導(dǎo)體元件10中的與凸塊21連接的區(qū)域中應(yīng)力會變小，因此，在凸塊21中能夠抑制龜裂或剝離。由此，能夠得到穩(wěn)定的電連接。

以下，對本申請發(fā)明人們所進(jìn)行的實驗的結(jié)果的例進(jìn)行說明。

在以下要說明的實驗中，使用兩種類的材料作為粘接部25。第1材料的室溫(23℃)時的彈性模量d1為0.2gpa～10gpa。第2材料的室溫(23℃)時的彈性模量d1為約15gpa。使用這些材料，變更粘接部25的面積比率。例如，設(shè)置多個粘接部25，得到多個粘接部25的面積(x-y平面內(nèi)的面積)的合計面積s25。另一方面，設(shè)半導(dǎo)體元件10的一個的面積(x-y平面內(nèi)的面積)為s10。面積比率r1(％)為(s25/s10)×100(％)。進(jìn)而，作為樹脂部30，使用四種類的材料。這些材料的室溫(23℃)時的彈性模量d2為12gpa、15gpa、30gpa或35gpa。

關(guān)于使用了上述的粘接部25、面積比率r1以及樹脂部30的試樣，進(jìn)行三種類的評價。在第1評價中，評價吸濕以及回流(reflow)試驗中是否發(fā)生封裝裂紋。在第2評價中，評價溫度循環(huán)試驗中是否存在凸塊連接不良。在第3評價中，評價是否樹脂部30未向多個半導(dǎo)體元件10之間填充。

圖3的(a)以及圖3的(b)是例示與半導(dǎo)體裝置相關(guān)的實驗結(jié)果的表。

圖3的(a)示出使用第1材料(彈性模量d1＝0.2gpa～10gpa)作為粘接部25時的評價結(jié)果。圖3的(b)示出使用第2材料(彈性模量d1＝15gpa)作為粘接部25時的評價結(jié)果。在圖中(表中)，示出粘接部25的面積比率r1以及樹脂部30的彈性模量d2。

評價結(jié)果e1與第1評價相對應(yīng)，“+”標(biāo)記與吸濕以及回流試驗中未檢測到封裝裂紋相對應(yīng)?！?”標(biāo)記與吸濕以及回流試驗中檢測到封裝裂紋相對應(yīng)。

評價結(jié)果e2與第2評價相對應(yīng)，“+”標(biāo)記與溫度循環(huán)試驗中未發(fā)生凸塊連接不良相對應(yīng)?！?”標(biāo)記與溫度循環(huán)試驗中發(fā)生了凸塊連接不良相對應(yīng)。

評價結(jié)果e3與第3評價相對應(yīng)，“+”標(biāo)記與未能檢測到未填充相對應(yīng)?！?”標(biāo)記與檢測到未填充相對應(yīng)。

在這些表中，“/”標(biāo)記表示無法實施評價。例如，在第1評價中，在吸濕以及回流試驗中產(chǎn)生了封裝裂紋的試樣中，無法實施第2評價(溫度循環(huán)試驗)。

在這些圖中，“+”標(biāo)記與為良好的結(jié)果相對應(yīng)。

如圖3的(b)所示，在粘接部25的彈性模量d1高至15gpa的情況下，得到良好的結(jié)果的條件較窄。例如，在溫度循環(huán)試驗(第2評價結(jié)果e2)中容易發(fā)生凸塊連接不良。

與此相對，如圖3的(a)所示，在粘接部25的彈性模量d1低至0.2gpa～10gpa的情況下，能夠得到良好的結(jié)果的條件較寬。例如，能夠抑制溫度循環(huán)試驗(第2評價結(jié)果e2)中的凸塊連接不良的發(fā)生。在實施方式中，優(yōu)選粘接部25在23℃時的彈性模量d1(第1彈性模量)例如為0.2gpa以上且10gpa以下。

如圖3的(a)所示，在粘接部25的彈性模量d1低的情況下，當(dāng)面積比率r1為78.5％時，產(chǎn)生未填充(第3評價結(jié)果e3)。若面積比率r1過高，則兩個半導(dǎo)體元件10之間的空間的寬度(樹脂部30的填充的路徑的面積)變窄。因此，樹脂部30會難以進(jìn)入兩個半導(dǎo)體元件10之間的空間。優(yōu)選面積比率r1小于78.5％。進(jìn)一步優(yōu)選面積比率r1為39.3％以下。

另一方面，在粘接部25的彈性模量d1低的情況下，當(dāng)面積比率r1為4.9％或8.6％時，容易發(fā)生溫度循環(huán)試驗(第2評價結(jié)果e2)中的凸塊連接不良。若面積比率r1過低，則通過設(shè)置粘接部25而產(chǎn)生的應(yīng)力的緩和的效果會變差。優(yōu)選面積比率r1比8.6％高。進(jìn)一步優(yōu)選面積比率r1為11％以上。

如圖3的(a)所示，在粘接部25的彈性模量d1低的情況下、在樹脂部30的彈性模量d2為12gpa的情況下，在吸濕以及回流試驗(第1評價結(jié)果e1)中會發(fā)生封裝裂紋。當(dāng)樹脂部30的彈性模量d2為15gpa、30gpa或35gpa時，在吸濕以及回流試驗(第1評價結(jié)果e1)中不發(fā)生封裝裂紋。

例如，樹脂部30在23℃時的彈性模量d2為15gpa以上30gpa以下時，在吸濕以及回流試驗(第1評價結(jié)果e1)、溫度循環(huán)試驗(第2評價結(jié)果e2)以及未填充(第3評價結(jié)果e3)中，得到良好的結(jié)果。在實施方式中，例如，優(yōu)選樹脂部30在23℃時的彈性模量d2(第2彈性模量)為15gpa以上且30gpa以下。

例如，優(yōu)選樹脂部30在23℃時的第2彈性模量為粘接部25在23℃時的第1彈性模量的1.5倍以上且60倍以下。在第1～第3評價結(jié)果e1～e3中，得到良好的結(jié)果。在第2彈性模量與第1彈性模量之差大的情況下，第2彈性模量的測定法與第1彈性模量的測定法也可以相互不同。

圖4的(a)～圖4的(f)是例示實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置的示意性剖視圖。

如圖4的(a)所示，如實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置111那樣，第1半導(dǎo)體元件11和第2半導(dǎo)體元件12的元件組的位置在多個半導(dǎo)體元件10中是任意的。在該例中，第1半導(dǎo)體元件11位于多個半導(dǎo)體元件10中的最上層。

如圖4的(b)所示，在實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置112中，未設(shè)置有第3半導(dǎo)體元件13(尺寸不同的元件)。

如圖4的(c)所示，在實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置113中，引線框16(參照圖1的(b))被省略。

如圖4的(d)所示，在實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置114中，在第3半導(dǎo)體元件13(尺寸不同的元件)與布線基板40之間，配置有第1半導(dǎo)體元件11以及第2半導(dǎo)體元件12。

如圖4的(e)所示，在實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置115中，未設(shè)置有第3半導(dǎo)體元件13(尺寸不同的元件)，引線框16被省略。

如圖4的(f)所示，在實施方式所涉及的其它的半導(dǎo)體裝置116中，在第3半導(dǎo)體元件13(尺寸不同的元件)與布線基板40之間，配置有第1半導(dǎo)體元件11以及第2半導(dǎo)體元件12。另外，多個半導(dǎo)體元件10中的1個與布線基板40實質(zhì)上相接觸。

這樣，在實施方式中，多個半導(dǎo)體元件10的構(gòu)成可以進(jìn)行各種變形。

以下，對于實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的例子進(jìn)行說明。以下，對于制造半導(dǎo)體裝置110的情況進(jìn)行說明。

圖5的(a)～圖5的(d)是例示實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序順序示意性剖視圖。

如圖5的(a)所示，將多個半導(dǎo)體元件10層疊而形成層疊體15。在它們之間，設(shè)置凸塊21以及粘接部25。在該例中，層疊體15設(shè)置在引線框16之上。

如圖5的(b)所示，準(zhǔn)備布線基板40。在該例中，在布線基板40的一部分之上設(shè)置有連接部件43。連接部件43也可以設(shè)置于層疊體15。

如圖5的(c)所示，將層疊體15與布線基板40層疊。它們之間通過連接部件43來電連接。由此，得到加工體110a。本實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法也可以包括準(zhǔn)備這種加工體110a的工序。

加工體110a包括：第1半導(dǎo)體元件11、第2半導(dǎo)體元件12、凸塊21和粘接部25。第2半導(dǎo)體元件12設(shè)置在布線基板40與第1半導(dǎo)體元件11之間。凸塊21設(shè)置在第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12之間，將第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12電連接。粘接部25設(shè)置在第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12之間，將第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12粘接。粘接部25具有第1彈性模量。

如圖5的(d)所示，在這種加工體110a的、第1半導(dǎo)體元件11與第2半導(dǎo)體元件12之間、以及第1半導(dǎo)體元件11和第2半導(dǎo)體元件12的周圍，形成樹脂部30。樹脂部30具有比第1彈性模量高的第2彈性模量。

之后，根據(jù)需要形成連接部件45。由此，能夠形成半導(dǎo)體裝置110。根據(jù)實施方式，能夠提供容易得到穩(wěn)定的連接的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

根據(jù)實施方式，能夠提供可容易得到穩(wěn)定的連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

此外，在本申請說明書中，“垂直”以及“平行”不僅是嚴(yán)格的垂直以及嚴(yán)格的平行，例如包含制造工序中的偏差等，只要是實質(zhì)上垂直以及實質(zhì)上平行即可。

以上，一邊參照具體例，一邊對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明。但是，本發(fā)明的實施方式不限定于這些具體例。例如，關(guān)于半導(dǎo)體裝置所含的布線基板、半導(dǎo)體元件、凸塊、粘接部以及樹脂部等各要素的具體的構(gòu)成，只要通過從本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的范圍中進(jìn)行適當(dāng)選擇，而能夠?qū)⒈景l(fā)明同樣地實施、得到同樣的效果，就包含于本發(fā)明的范圍。

另外，在技術(shù)可行的范圍將各具體例的任意兩個以上的要素組合而成的具體例，只要包含本發(fā)明的要旨，則也包含于本發(fā)明的范圍。

此外，以作為本發(fā)明的實施方式的上述的半導(dǎo)體裝置及其制造方法為基礎(chǔ)，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過適當(dāng)設(shè)計變更而可以實施的所有的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，只要包含本發(fā)明的要旨，則也屬于本發(fā)明的范圍。

此外，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員就應(yīng)了解：在本發(fā)明的思想的范疇內(nèi)，可以想到各種變形例以及修正例，這些變形例以及修正例也屬于本發(fā)明的范圍。

對本發(fā)明的幾個實施方式進(jìn)行了說明，但這些實施方式是作為例子被提示的，并不旨在限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實施方式可以以其它的各種方式被實施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、置換、和變形。這些實施方式和其變形包含于發(fā)明的范圍和要旨中，并且包含于與權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。