技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭露一種制造氮化鉭隔離層的方法及金屬柵極堆。制造用于超低臨界電壓半導(dǎo)體裝置的氮化鉭隔離層的方法包含：形成一高介電常數(shù)介電層于一半導(dǎo)體基材上。接著，形成一氮化鉭隔離層于該高介電常數(shù)介電層上，其中該氮化鉭隔離層具有一鉭氮比(Ta:N)介于1.2至3之間。再來，沉積多個(gè)第一金屬柵極于該氮化鉭隔離層上，并且圖案化位于該于該氮化鉭隔離層上的該多個(gè)第一金屬柵極。最后，形成一第二金屬柵極于該氮化鉭隔離層上。氮化鉭隔離層的鉭氮比可精準(zhǔn)調(diào)整，且氮化鉭隔離層抑制不同層間物質(zhì)擴(kuò)散，介電泄滯的情況大幅減少。

技術(shù)研發(fā)人員：洪奇成;王喻生;陳文成;魏浩涵;鐘明錦;鄭志成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.18
技術(shù)公布日：2017.07.25