1.一種能快速檢測芯片彈坑的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、水；
S2、按25-35%重量百分比的濃度來計算稱取所需要使用的氫氧化鈉和水；
S3、將步驟S2中稱取的水倒入100ML燒杯A中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌8-15min，直至完全溶解呈無色透明狀；
S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺加熱至80-110℃，保溫備用；
S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱3-5min；
S6、將一定量的丙酮倒入100ml燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；
S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能快速檢測芯片彈坑的方法，其特征在于，所述步驟S1中的水為純水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能快速檢測芯片彈坑的方法，其特征在于，所述步驟S2中的重量百分比濃度為28-32%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能快速檢測芯片彈坑的方法，其特征在于，所述步驟S4中的加熱溫度為85-100℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能快速檢測芯片彈坑的方法，其特征在于，所述步驟S5中的加熱時間為4min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能快速檢測芯片彈坑的方法，其特征在于，所述步驟S6中的丙酮量與純水量的比為1-1.4:1。