技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體光電倍增器件，包括多個(gè)陣列式并聯(lián)分布的探測(cè)單元，所述探測(cè)單元由工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管、淬滅電阻和透明電容構(gòu)成；所述透明電容由兩個(gè)透明導(dǎo)電極板以及位于透明導(dǎo)電極板之間的透明介質(zhì)組成；所述透明電容位于雪崩光電二極管光敏面的正上方。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置透明電容的方式來(lái)降低探測(cè)單元以及器件的整體電容，從而改善半導(dǎo)體光電倍增器的時(shí)間特性，這不僅可以提高半導(dǎo)體光電倍增器光電信號(hào)的轉(zhuǎn)換速度，也可以提高基于半導(dǎo)體光電倍增器的應(yīng)用系統(tǒng)的符合時(shí)間分辨率。透明電容保證了較高的光透過(guò)率，位于探測(cè)單元光敏面正上方的透明電容并沒(méi)有使半導(dǎo)體光電探測(cè)器損失額外的探測(cè)面積，這保證了半導(dǎo)體光電倍增器較高的探測(cè)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：徐青;楊健;王麟;李開(kāi)富
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢京邦科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610658704
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.12
技術(shù)公布日：2016.11.16