技術(shù)編號：11870063
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光電子和微電子領(lǐng)域，特別是涉及一種用于光子探測的半導(dǎo)體光電倍增器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體光電倍增器是一種利用半導(dǎo)體雪崩倍增機制對光子進行探測的新型半導(dǎo)體器件。它是由多個探測單元并聯(lián)排列而成的陣列式探測結(jié)構(gòu)，所有的探測單元共用一個電極用作信號的輸出，其探測單元由工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管串聯(lián)淬滅電阻組成。當(dāng)光子入射到二極管中被吸收后,便會在雪崩光電二極管的光敏區(qū)內(nèi)產(chǎn)生電子-空穴對。由于雪崩光電二極管的光敏區(qū)內(nèi)存在較高的電場，漂移的電子會通過雪崩倍增的方式在這個高電場中產(chǎn)生大量電子-空穴對...
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