技術(shù)總結(jié)
基于磁控濺射法制備的MoS2可飽和吸收體薄膜及相應(yīng)的超短脈沖光纖激光器，本發(fā)明提供了一種大面積均勻MoS2薄膜的制備方法，以及基于該MoS2薄膜構(gòu)建的被動鎖模光纖激光器。該大面積均勻MoS2薄膜由磁控濺射法制備，然后轉(zhuǎn)移到光纖光路系統(tǒng)中作為可飽和吸收體產(chǎn)生皮秒級的超短脈沖激光。本發(fā)明的MoS2可飽和吸收體薄膜分布均勻，質(zhì)量穩(wěn)定，制備方法簡單，可實現(xiàn)工業(yè)化，基于該MoS2可飽和吸收體薄膜的光纖激光器的超短脈沖激光性能穩(wěn)定。

技術(shù)研發(fā)人員：陶麗麗;李京波;鄒炳鎖;陳燚;張榮興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東工業(yè)大學(xué)
文檔號碼：201610649685
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.09
技術(shù)公布日：2016.11.16