本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電致發(fā)光顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示技術(shù)具有自發(fā)光、廣視角、高對比度、低功耗、高反應(yīng)速度等優(yōu)點被越來越多的應(yīng)用到顯示領(lǐng)域。OLED器件在具體制作過程中，通常采用溶液制程制作OLED器件的發(fā)光膜層等膜層，溶液制程可以采用旋涂(Spin Coating)、狹縫涂布(Slot Die Coating)、噴嘴印刷(Nozzle Printing)、噴墨打印(Inkjet Printing)、噴涂(Spray Coating)等多種方式。

OLED器件是電致發(fā)光器件，電致發(fā)光器件對采用溶液制程制作的膜層的厚度均勻性有較高的要求，頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED器件采用溶液制程制作的膜層對OLED器件背板上形成的各膜層厚度依賴性較強。而OLED器件背板由于設(shè)計的原因，會存在成膜分布不均勻的區(qū)域，這樣后續(xù)通過溶液制程制作膜層時，會導(dǎo)致制作的膜層不均勻，最終會導(dǎo)致OLED器件發(fā)光不均勻的問題。

為了解決以上問題，現(xiàn)有技術(shù)通常采用的方法是，在溶液制程制作膜層前，在OLED器件背板上制作一層平坦層，但由于平坦層的特性限制，制作形成的平坦層的厚度一般在1微米(μm)到3μm之間，如果平坦層下面有金屬線等的段差，平坦層將無法達(dá)到平坦的效果，這時OLED器件仍然存在發(fā)光不均勻的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種電致發(fā)光顯示面板、顯示裝置，用以提升電致發(fā)光顯示面板發(fā)光的均勻性。

本發(fā)明實施例提供的一種電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的像素電路、與所述像素電路電連接的若干導(dǎo)電走線，其中，至少部分所述導(dǎo)電走線的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線；

所述導(dǎo)電走線與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線電連接；以及

第一厚度值與第二厚度值的差值小于等于預(yù)設(shè)值；所述第一厚度值為所述導(dǎo)電走線的厚度值與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線的厚度值之和；所述第二厚度值為所述像素電路包括的柵極層的厚度值與所述像素電路包括的源漏極層的厚度值之和。

由本發(fā)明實施例提供的電致發(fā)光顯示面板，由于該電致發(fā)光顯示面板至少部分導(dǎo)電走線的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線，導(dǎo)電走線與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線電連接，第一厚度值與第二厚度值的差值小于等于預(yù)設(shè)值；因此，本發(fā)明實施例能夠在不改變原有像素設(shè)計電學(xué)原理的基礎(chǔ)上，使得至少部分導(dǎo)電走線的厚度增加，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例導(dǎo)電走線和導(dǎo)電連接線與像素電路包括的柵極層和源漏極層之間的段差減小，能夠使得像素區(qū)域平坦化，為后續(xù)的溶液制程提供了較好的打印條件，從而能夠提升電致發(fā)光顯示面板發(fā)光的均勻性。

較佳地，所述第一厚度值與所述第二厚度值的差值小于等于10納米。

較佳地，所述第一厚度值與所述第二厚度值的差值為零。

較佳地，所述導(dǎo)電走線在所述襯底基板上的正投影區(qū)域與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線在所述襯底基板上的正投影區(qū)域重疊。

較佳地，所述像素電路中的電容包括：位于所述襯底基板上與所述柵極層同層設(shè)置的底電極、位于所述底電極上的絕緣層、位于所述絕緣層上與所述像素電路包括的半導(dǎo)體有源層同層設(shè)置的半導(dǎo)體層、位于所述半導(dǎo)體層上與所述源漏極層同層設(shè)置的頂電極。

較佳地，全部所述導(dǎo)電走線的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線，部分所述導(dǎo)電連接線為第一導(dǎo)電連接線，另一部分所述導(dǎo)電連接線為第二導(dǎo)電連接線，其余部分所述導(dǎo)電連接線為第三導(dǎo)電連接線；

所述第一導(dǎo)電連接線位于所述導(dǎo)電走線中的掃描線的正上方或正下方，并與該第一導(dǎo)電連接線正上方或正下方位置處的所述掃描線電連接；

所述第二導(dǎo)電連接線位于所述導(dǎo)電走線中的數(shù)據(jù)線的正上方或正下方，并與該第二導(dǎo)電連接線正上方或正下方位置處的所述數(shù)據(jù)線電連接；

所述第三導(dǎo)電連接線位于所述導(dǎo)電走線中的電源線的正上方或正下方，并與該第三導(dǎo)電連接線正上方或正下方位置處的所述電源線電連接。

較佳地，所述第一導(dǎo)電連接線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；所述第二導(dǎo)電連接線與所述掃描線同層設(shè)置；所述第三導(dǎo)電連接線與所述掃描線同層設(shè)置。

較佳地，所述第一導(dǎo)電連接線通過貫穿位于所述第一導(dǎo)電連接線和所述掃描線之間的第一絕緣層的至少一個第一過孔與所述掃描線電連接；

所述第二導(dǎo)電連接線通過貫穿位于所述第二導(dǎo)電連接線和所述數(shù)據(jù)線之間的第二絕緣層的至少一個第二過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接；

所述第三導(dǎo)電連接線通過貫穿位于所述第三導(dǎo)電連接線和所述電源線之間的第三絕緣層的至少一個第三過孔與所述電源線電連接。

較佳地，所述第一導(dǎo)電連接線、所述第二導(dǎo)電連接線和所述第三導(dǎo)電連接線的材料均為金屬材料。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的電致發(fā)光顯示面板。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的電致發(fā)光顯示面板中的像素電路的電路圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的另一電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種電致發(fā)光顯示面板、顯示裝置，用以提升電致發(fā)光顯示面板發(fā)光的均勻性。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實施例提供的電致發(fā)光顯示面板。

附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

如圖1所示，本發(fā)明具體實施例提供了一種電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板10、位于襯底基板10上的像素電路11、與像素電路11電連接的若干導(dǎo)電走線12，其中，至少部分導(dǎo)電走線12的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線13；

導(dǎo)電走線12與設(shè)置于該導(dǎo)電走線12正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線13電連接(圖中僅示出了導(dǎo)電走線12與導(dǎo)電連接線13的位置關(guān)系)；以及

第一厚度值與第二厚度值的差值小于等于預(yù)設(shè)值；第一厚度值為導(dǎo)電走線12的厚度值與設(shè)置于該導(dǎo)電走線12正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線13的厚度值之和；第二厚度值為像素電路11包括的柵極層(圖中未示出)的厚度值與像素電路11包括的源漏極層(圖中未示出)的厚度值之和。

本發(fā)明具體實施例中的像素電路11的具體設(shè)置與現(xiàn)有技術(shù)類似，本發(fā)明具體實施例中的像素電路可以為包括兩個晶體管和一個電容(2T1C)的像素電路，也可以為包括三個晶體管和兩個電容(3T2C)的像素電路，本發(fā)明具體實施例中的像素電路并不對晶體管和電容的具體個數(shù)做限定，具體實施時，本發(fā)明具體實施例中的晶體管為薄膜晶體管。其中，本發(fā)明具體實施例的2T1C的像素電路的具體電路如圖2所示，該像素電路11包括第一晶體管T1、第二晶體管T2和電容Cst，另外，圖中還示出了有機發(fā)光二極管20。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明具體實施例中的部分導(dǎo)電走線12為數(shù)據(jù)線121，另一部分導(dǎo)電走線12為掃描線122，還有一部分的導(dǎo)電走線123為電源線123，圖1和圖2中僅示出了部分區(qū)域的導(dǎo)電走線12和像素電路11。當(dāng)然，在實際設(shè)計時，本發(fā)明具體實施例的導(dǎo)電走線還可以包括其它類型的導(dǎo)電走線，本發(fā)明具體實施例僅以導(dǎo)電走線12包括數(shù)據(jù)線121、掃描線122和電源線123三種類型的走線為例說明。

本發(fā)明具體實施例中的預(yù)設(shè)值為根據(jù)實際生產(chǎn)需要設(shè)定的值，在生產(chǎn)工藝允許的范圍內(nèi)，該值設(shè)定的越小越好，具體地，本發(fā)明具體實施例中第一厚度值與第二厚度值的差值小于等于10納米。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中第一厚度值與第二厚度值的差值為零，導(dǎo)電走線12在襯底基板10上的正投影區(qū)域與設(shè)置于該導(dǎo)電走線12正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線13在襯底基板10上的正投影區(qū)域重疊。這樣，能夠進(jìn)一步提升襯底基板10上膜層的均勻性。

本發(fā)明具體實施例像素電路中的薄膜晶體管包括的各膜層以與現(xiàn)有技術(shù)類似的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，具體地薄膜晶體管包括的膜層為：柵極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和源漏極層；像素電路中的電容包括的各膜層以與現(xiàn)有技術(shù)類似的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，具體地電容包括的膜層為：柵極層、柵極絕緣層、刻蝕阻擋層和源漏極層。

本發(fā)明具體實施例與現(xiàn)有技術(shù)的不同在于，現(xiàn)有技術(shù)走線區(qū)域僅包括導(dǎo)電走線，這樣會導(dǎo)致后續(xù)進(jìn)行溶液制程時，溶液制程制作的膜層的下面膜層不均勻，從而導(dǎo)致電致發(fā)光顯示面板的發(fā)光不均勻；而本發(fā)明具體實施例中在導(dǎo)電走線的正上方或正下方位置處設(shè)置有導(dǎo)電連接線，能夠提升溶液制程制作的膜層的下面膜層的均勻性，進(jìn)而提升電致發(fā)光顯示面板發(fā)光的均勻性，提高產(chǎn)品性能。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例的像素電路中的電容包括：位于襯底基板上與柵極層同層設(shè)置的底電極、位于底電極上的絕緣層、位于絕緣層上與像素電路包括的半導(dǎo)體有源層同層設(shè)置的半導(dǎo)體層、位于半導(dǎo)體層上與源漏極層同層設(shè)置的頂電極。

此時，本發(fā)明具體實施例中的電容與現(xiàn)有技術(shù)的電容相比，設(shè)置了與頂電極直接接觸的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層可以作為電容的頂電極，為了保證電容值不減小，實際設(shè)計時需要去掉電容包括的刻蝕阻擋層。本發(fā)明具體實施例中可以將半導(dǎo)體層的厚度設(shè)置的大于刻蝕阻擋層的厚度，從而進(jìn)一步提升溶液制程制作的膜層的下面膜層的均勻性。

如圖3所示，本發(fā)明具體實施例中全部導(dǎo)電走線12的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線13，其中，部分導(dǎo)電連接線13為第一導(dǎo)電連接線131，另一部分導(dǎo)電連接線13為第二導(dǎo)電連接線132，其余部分導(dǎo)電連接線131為第三導(dǎo)電連接線133；

第一導(dǎo)電連接線131位于導(dǎo)電走線中的掃描線122的正上方或正下方，并與該第一導(dǎo)電連接線131正上方或正下方位置處的掃描線122電連接；具體地，第一導(dǎo)電連接線131通過貫穿位于第一導(dǎo)電連接線131和掃描線122之間的第一絕緣層(圖中未示出)的至少一個第一過孔31與掃描線122電連接，圖3中僅示出了兩個第一過孔31；

第二導(dǎo)電連接線132位于導(dǎo)電走線中的數(shù)據(jù)線121的正上方或正下方，并與該第二導(dǎo)電連接線132正上方或正下方位置處的數(shù)據(jù)線121電連接；具體地，第二導(dǎo)電連接線132通過貫穿位于第二導(dǎo)電連接線132和數(shù)據(jù)線121之間的第二絕緣層(圖中未示出)的至少一個第二過孔32與數(shù)據(jù)線121電連接，圖3中僅示出了兩個第二過孔32；

第三導(dǎo)電連接線133位于導(dǎo)電走線中的電源線123的正上方或正下方，并與該第三導(dǎo)電連接線133正上方或正下方位置處的電源線123電連接；具體地，第三導(dǎo)電連接線133通過貫穿位于第三導(dǎo)電連接線133和電源線123之間的第三絕緣層(圖中未示出)的至少一個第三過孔33與電源線123電連接，圖3中僅示出了兩個第三過孔33。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中第一導(dǎo)電連接線131、第二導(dǎo)電連接線132和第三導(dǎo)電連接線133的材料均為金屬材料，這樣，設(shè)置的第一導(dǎo)電連接線131、第二導(dǎo)電連接線132和第三導(dǎo)電連接線133的電阻較低，不會影響流經(jīng)第一導(dǎo)電連接線131、第二導(dǎo)電連接線132和第三導(dǎo)電連接線133上的信號的強度。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中第一導(dǎo)電連接線131與數(shù)據(jù)線121同層設(shè)置；第二導(dǎo)電連接線132與掃描線122同層設(shè)置；第三導(dǎo)電連接線133與掃描線122同層設(shè)置，這樣，設(shè)置第一導(dǎo)電連接線131、第二導(dǎo)電連接線132和第三導(dǎo)電連接線133不會增加新的工藝，能夠節(jié)省生產(chǎn)流程，降低生產(chǎn)成本。

實際生產(chǎn)過程中，本發(fā)明具體實施例同層設(shè)置的金屬之間的間距設(shè)置的越小越有利于金屬層的平坦度，具體地，考慮生產(chǎn)工藝條件以及滿足的電學(xué)性能要求，本發(fā)明具體實施例將該間距設(shè)置為5μm或以下。

本發(fā)明具體實施例能夠使得電致發(fā)光顯示面板的背板上的金屬膜層在像素區(qū)域內(nèi)達(dá)到盡可能的均勻分布，盡力降低由于背板膜層的不均勻?qū)е氯芤褐瞥檀蛴〉哪硬痪鶆?，從而使得電致發(fā)光顯示面板發(fā)光不均勻的問題。

下面以頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示面板為例簡單的介紹一下本發(fā)明具體實施例提供的電致發(fā)光顯示面板的制作方法。

首先，在襯底基板上沉積一層金屬層，然后通過構(gòu)圖工藝形成像素電路的柵極層、走線區(qū)中的掃描線、第二導(dǎo)電連接線和第三導(dǎo)電連接線，本發(fā)明具體實施例中的金屬層可以為鉬(Mo)等金屬，沉積金屬層的方法可以采用濺射等方法，本發(fā)明具體實施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕以及去除光刻膠的部分或全部過程。

之后，在完成上述步驟的襯底基板上制作一層?xùn)艠O絕緣層，柵極絕緣層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述；之后，在柵極絕緣層上制作半導(dǎo)體有源層和刻蝕阻擋層，半導(dǎo)體有源層和刻蝕阻擋層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

之后，在完成上述步驟的襯底基板上再沉積一層金屬層，然后通過構(gòu)圖工藝形成像素電路的源漏極層、走線區(qū)中的數(shù)據(jù)線、走線區(qū)中的電源線、第一導(dǎo)電連接線，本發(fā)明具體實施例中的金屬層可以為鉬(Mo)等金屬。

之后，在完成上述步驟的襯底基板上制作絕緣層、有機平坦層，絕緣層和有機平坦層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

最后，在有機平坦層上制作電致發(fā)光顯示面板的陽極、發(fā)光層和陰極，陽極、發(fā)光層和陰極的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。本發(fā)明具體實施例中制作發(fā)光層時采用溶液制程，發(fā)光層制作在像素限定層內(nèi)，在實際生產(chǎn)過程中，還可以采用溶液制程制作空穴傳輸層、電子傳輸層等膜層。

本發(fā)明具體實施例在不改變原有像素設(shè)計電學(xué)原理的基礎(chǔ)上，在單層走線區(qū)中的走線的正上方或正下方設(shè)置有導(dǎo)電連接線，使得走線區(qū)中的走線的厚度增加，這時與像素區(qū)域中的雙層金屬層之間的段差減小，能夠使得像素區(qū)域平坦化，為后續(xù)的溶液制程提供了較好的打印條件，從而能夠很好的解決電致發(fā)光顯示面板發(fā)光不均勻的問題。

本發(fā)明具體實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明具體實施例提供的上述電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。

綜上所述，本發(fā)明具體實施例提供一種電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于襯底基板上的像素電路、與像素電路電連接的若干導(dǎo)電走線，其中，至少部分導(dǎo)電走線的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線；導(dǎo)電走線與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線電連接；以及第一厚度值與第二厚度值的差值小于等于預(yù)設(shè)值；第一厚度值為導(dǎo)電走線的厚度值與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線的厚度值之和；第二厚度值為像素電路包括的柵極層的厚度值與像素電路包括的源漏極層的厚度值之和。由于本發(fā)明具體實施例在至少部分導(dǎo)電走線的正上方或正下方位置處設(shè)置導(dǎo)電連接線，導(dǎo)電走線與設(shè)置于該導(dǎo)電走線正上方或正下方位置處的導(dǎo)電連接線電連接，第一厚度值與第二厚度值的差值小于等于預(yù)設(shè)值，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠使得導(dǎo)電走線的厚度增加，這時與像素電路包括的柵極層和源漏極層的雙層金屬層之間的段差減小，能夠使得像素區(qū)域平坦化，為后續(xù)的溶液制程提供了較好的打印條件，從而能夠提升電致發(fā)光顯示面板發(fā)光的均勻性。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。