技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括提供前體。該前體包括：襯底；位于襯底上方的柵極堆疊件；位于柵極堆疊件上方的第一介電層；位于柵極堆疊件的側(cè)壁上和第一介電層的側(cè)壁上的柵極間隔件；以及位于柵極堆疊件的相對(duì)側(cè)上的源極和漏極(S/D)接觸件。方法還包括開(kāi)槽所述柵極間隔件以至少部分地暴露第一介電層的側(cè)壁而不暴露柵極堆疊件的側(cè)壁。方法還包括在柵極間隔件、第一介電層和S/D接觸件上方形成間隔件保護(hù)層。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了用于具有柵極間隔件保護(hù)層的半導(dǎo)體器件的方法和結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：呂志偉;李忠儒;陳海清;黃建樺;包天一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610595143
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.26
技術(shù)公布日：2017.03.01