技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種TFT基板及其制作方法。本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過在柵極的蝕刻制程中對(duì)柵極進(jìn)行過度蝕刻，使所述柵極的尺寸小于其上方光阻層的尺寸，且所述光阻層的邊緣超出所述柵極的邊緣一段距離，從而在后續(xù)沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料時(shí)，形成的誘導(dǎo)金屬層與對(duì)應(yīng)于柵極下方的第一絕緣層之間存在一定間隙，采用誘導(dǎo)金屬層誘導(dǎo)其下方的氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)體化后，形成的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)分別與對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的溝道區(qū)之間存在一段距離，避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)影響溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：盧馬才
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201610579246
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.21
技術(shù)公布日：2016.11.16