本發(fā)明涉及薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如：移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動(dòng)器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中的主要驅(qū)動(dòng)元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。

氧化物半導(dǎo)體(Oxide Semiconductor)由于具有較高的電子遷移率，具有非晶結(jié)構(gòu)，與非晶硅制程兼容性較高，從而在薄膜晶體管中得到了廣泛的應(yīng)用。氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的導(dǎo)帶是由金屬離子的S軌道交疊而成，氧化物半導(dǎo)體的晶型(多晶還是非晶)對(duì)遷移率的影響不大。目前，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管在市場(chǎng)上具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，甚至有可能取代當(dāng)前的主流技術(shù)-硅基薄膜晶體管技術(shù)。

頂柵極金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管有著優(yōu)越的性能，如短溝道、低寄生電容等，已經(jīng)被用于大尺寸OLED面板；頂柵結(jié)構(gòu)中，溝道接源漏極區(qū)域的半導(dǎo)體通常通過導(dǎo)體化降低電阻，目前一般采取離子處理如離子注入等方法使半導(dǎo)體導(dǎo)體化。然而，離子處理導(dǎo)體化的半導(dǎo)體層通常不穩(wěn)定，容易導(dǎo)致器件性能下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，可避免氧化物半導(dǎo)體層兩端的導(dǎo)體區(qū)影響對(duì)應(yīng)于柵極下方的溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。

本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT基板，氧化物半導(dǎo)體層兩端的導(dǎo)體區(qū)與對(duì)應(yīng)于柵極下方的溝道區(qū)之間存在一段距離，從而可避免導(dǎo)體區(qū)影響溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積一層氧化物半導(dǎo)體薄膜，并對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行圖形化處理，形成氧化物半導(dǎo)體層；

步驟2、在所述氧化物半導(dǎo)體層、及基板上沉積第一絕緣層，在所述第一絕緣層上沉積第一導(dǎo)電層；

在所述第一導(dǎo)電層上形成光阻層，并對(duì)所述光阻層進(jìn)行圖形化處理；

步驟3、以所述光阻層為遮擋層，對(duì)所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，得到柵極，所述柵極的尺寸小于所述光阻層的尺寸，且所述光阻層的邊緣超出所述柵極的邊緣一段距離；

步驟4、以所述光阻層與柵極為遮擋層，對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行蝕刻，使所述第一絕緣層的邊緣與所述柵極的邊緣對(duì)齊；

步驟5、以所述光阻層為掩膜，在所述氧化物半導(dǎo)體層及基板上沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料，形成位于所述第一絕緣層外圍的誘導(dǎo)金屬層，所述誘導(dǎo)金屬層與所述第一絕緣層之間存在一定間隙；

步驟6、剝離所述光阻層，對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層進(jìn)行退火處理，所述誘導(dǎo)金屬層誘導(dǎo)其下方的氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)體化，在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成分別位于兩側(cè)的第一導(dǎo)體區(qū)與第二導(dǎo)體區(qū)、以及位于所述第一導(dǎo)體區(qū)與第二導(dǎo)體區(qū)之間的半導(dǎo)體區(qū)，所述半導(dǎo)體區(qū)中對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)；

步驟7、對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層進(jìn)行氧化處理，使所述誘導(dǎo)金屬層轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的金屬氧化物層；

步驟8、在所述柵極、金屬氧化物層、及氧化物半導(dǎo)體層上形成第二絕緣層；

對(duì)所述第二絕緣層、及金屬氧化物層進(jìn)行圖形化處理，在所述第二絕緣層與金屬氧化物層上形成對(duì)應(yīng)于所述第一導(dǎo)體區(qū)上方的第一過孔以及對(duì)應(yīng)于所述第二導(dǎo)體區(qū)上方的第二過孔；

在所述第二絕緣層上沉積第二導(dǎo)電層，對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，形成源極與漏極，所述源極通過所述第一過孔與所述氧化物半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)體區(qū)相接觸，所述漏極通過所述第二過孔與所述氧化物半導(dǎo)體層的第二導(dǎo)體區(qū)相接觸。

所述步驟3中，所述光阻層的邊緣超出所述柵極的邊緣的距離為0.1μm～2μm；

所述步驟5中，所述誘導(dǎo)金屬層與所述第一絕緣層之間的間隙的寬度為0.1μm～2μm；

所述步驟6中，所述第一導(dǎo)體區(qū)、及第二導(dǎo)體區(qū)分別與所述溝道區(qū)之間的距離為0.1μm～2μm。

所述步驟5中，所述誘導(dǎo)金屬層的材料為鋁；所述步驟7中，所述金屬氧化物層的材料為氧化鋁；

所述步驟7中，采用退火處理或者氧氣等離子體處理的方法對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層進(jìn)行氧化處理。

所述TFT基板的制作方法還包括步驟9、在所述源極、漏極、及第二絕緣層上形成第三絕緣層，對(duì)所述第三絕緣層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第三過孔；

在所述第三絕緣層上沉積第三導(dǎo)電層，對(duì)所述第三導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，得到像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極相接觸。

所述TFT基板的制作方法還包括步驟9、在所述源極、漏極、及第二絕緣層上形成第三絕緣層，在所述第三絕緣層上沉積第三導(dǎo)電層，對(duì)所述第三導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，形成公共電極；

在所述公共電極及第三絕緣層上形成第四絕緣層，對(duì)所述第四絕緣層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第三過孔；

在所述第四絕緣層上沉積第四導(dǎo)電層，對(duì)所述第四導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，形成像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極相接觸。

本發(fā)明還提供一種TFT基板，包括基板、設(shè)于所述基板上的氧化物半導(dǎo)體層、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層的第一絕緣層、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層及基板上的金屬氧化物層、設(shè)于所述第一絕緣層上的柵極、設(shè)于所述柵極、金屬氧化物層、及氧化物半導(dǎo)體層上的第二絕緣層、以及設(shè)于所述第二絕緣層上的源極與漏極；

所述第一絕緣層的邊緣與所述柵極的邊緣對(duì)齊，所述金屬氧化物層位于所述第一絕緣層的外圍，且與所述第一絕緣層之間存在一定間隙；

所述氧化物半導(dǎo)體層包括分別位于兩側(cè)的第一導(dǎo)體區(qū)與第二導(dǎo)體區(qū)、以及位于所述第一導(dǎo)體區(qū)與第二導(dǎo)體區(qū)之間的半導(dǎo)體區(qū)，所述半導(dǎo)體區(qū)中對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)；所述第一導(dǎo)體區(qū)與第二導(dǎo)體區(qū)上靠近所述半導(dǎo)體區(qū)一側(cè)的邊緣分別與所述金屬氧化物層上靠近所述第一絕緣層一側(cè)的邊緣對(duì)齊；

所述第二絕緣層與金屬氧化物層上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述第一導(dǎo)體區(qū)上方的第一過孔以及對(duì)應(yīng)于所述第二導(dǎo)體區(qū)上方的第二過孔；所述源極通過所述第一過孔與所述氧化物半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)體區(qū)相接觸，所述漏極通過所述第二過孔與所述氧化物半導(dǎo)體層的第二導(dǎo)體區(qū)相接觸。

所述金屬氧化物層與所述第一絕緣層之間的間隙的寬度為0.1μm～2μm；所述第一導(dǎo)體區(qū)、及第二導(dǎo)體區(qū)分別與所述溝道區(qū)之間的距離為0.1μm～2μm。

所述金屬氧化物層的材料為氧化鋁。

所述TFT基板還包括：位于所述源極、漏極、及第二絕緣層上的第三絕緣層、以及位于所述第三絕緣層上的像素電極；所述第三絕緣層上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第三過孔，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極相接觸。

所述TFT基板還包括：設(shè)于所述源極、漏極、及第二絕緣層上的第三絕緣層、設(shè)于所述第三絕緣層上的公共電極、設(shè)于所述公共電極及第三絕緣層上的第四絕緣層、以及設(shè)于所述第四絕緣層上的像素電極；所述第四絕緣層上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第三過孔，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極相接觸。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種TFT基板的制作方法，通過在柵極的蝕刻制程中對(duì)柵極進(jìn)行過度蝕刻，使所述柵極的尺寸小于其上方光阻層的尺寸，且所述光阻層的邊緣超出所述柵極的邊緣一段距離，從而在后續(xù)沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料時(shí)，形成的誘導(dǎo)金屬層與對(duì)應(yīng)于柵極下方的第一絕緣層之間存在一定間隙，采用誘導(dǎo)金屬層誘導(dǎo)其下方的氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)體化后，形成的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)分別與對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的溝道區(qū)之間存在一段距離，避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)影響溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。本發(fā)明提供的一種TFT基板，氧化物半導(dǎo)體層上的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)與對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的溝道區(qū)之間存在一段距離，從而可避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)影響溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟1的示意圖；

圖3-4為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖；

圖5為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；

圖6為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟4的示意圖；

圖7為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟5的示意圖；

圖8為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖；

圖9為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟7的示意圖；

圖10-11為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟8的示意圖；

圖12為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟9的第一實(shí)施例的示意圖暨本發(fā)明的TFT基板的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟9的第二實(shí)施例的示意圖暨本發(fā)明的TFT基板的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、請(qǐng)參閱圖2，提供一基板10，在所述基板10上沉積一層氧化物半導(dǎo)體薄膜，并對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行圖形化處理，形成氧化物半導(dǎo)體層20。

具體的，所述基板10為玻璃基板。

具體的，所述氧化物半導(dǎo)體層20的材料包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、及銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)中的一種。

步驟2、請(qǐng)參閱圖3-4，在所述氧化物半導(dǎo)體層20、及基板10上沉積第一絕緣層30，在所述第一絕緣層30上沉積第一導(dǎo)電層40；

在所述第一導(dǎo)電層40上形成光阻層50，并對(duì)所述光阻層50進(jìn)行圖形化處理。

具體的，所述第一絕緣層30的材料包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_x)、氧化鉿(HfO)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。

具體的，所述第一導(dǎo)電層40的材料為金屬；優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電層40的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的至少一種。

步驟3、請(qǐng)參閱圖5，以所述光阻層50為遮擋層，對(duì)所述第一導(dǎo)電層40進(jìn)行蝕刻，得到柵極41，所述柵極41的尺寸小于所述光阻層50的尺寸，且所述光阻層50的邊緣超出所述柵極41的邊緣一段距離。

具體的，所述步驟3采用濕蝕刻的方法對(duì)所述第一導(dǎo)電層40進(jìn)行蝕刻，在蝕刻過程中，通過控制蝕刻液的組分、濃度、及蝕刻時(shí)間等工藝參數(shù)，使所述柵極41相對(duì)于光阻層50的尺寸產(chǎn)生過度蝕刻的效果，即所述柵極41的尺寸小于所述光阻層50的尺寸，且所述光阻層50的邊緣超出所述柵極41的邊緣一段距離。

具體的，所述步驟3中，所述光阻層50的邊緣超出所述柵極41的邊緣的距離為0.1μm～2μm。

步驟4、請(qǐng)參閱圖6，以所述光阻層50與柵極41為遮擋層，對(duì)所述第一絕緣層30進(jìn)行蝕刻，使所述第一絕緣層30的邊緣與所述柵極41的邊緣對(duì)齊。

具體的，所述步驟4采用干蝕刻的方法對(duì)所述第一絕緣層30進(jìn)行蝕刻。

步驟5、請(qǐng)參閱圖7，以所述光阻層50為掩膜，在所述氧化物半導(dǎo)體層20及基板10上沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料，形成位于所述第一絕緣層30外圍的誘導(dǎo)金屬層60，所述誘導(dǎo)金屬層60與所述第一絕緣層30之間存在一定間隙。

具體的，所述步驟5中，由于所述光阻層50的邊緣超出所述柵極41的邊緣一段距離，且所述第一絕緣層30的邊緣與所述柵極41的邊緣對(duì)齊，因此，以該光阻層50為掩膜在所述氧化物半導(dǎo)體層20及基板10上沉積得到的誘導(dǎo)金屬層60與所述第一絕緣層30之間存在一定間隙。

具體的，所述步驟5中，所述誘導(dǎo)金屬層60與所述第一絕緣層30之間的間隙的寬度為0.1μm～2μm。

優(yōu)選的，所述步驟5中，所述誘導(dǎo)金屬層60的材料為鋁。

步驟6、請(qǐng)參閱圖8，剝離所述光阻層50，對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層60進(jìn)行退火處理，所述誘導(dǎo)金屬層60誘導(dǎo)其下方的氧化物半導(dǎo)體層20導(dǎo)體化，在所述氧化物半導(dǎo)體層20上形成分別位于兩側(cè)的第一導(dǎo)體區(qū)21與第二導(dǎo)體區(qū)22、以及位于所述第一導(dǎo)體區(qū)21與第二導(dǎo)體區(qū)22之間的半導(dǎo)體區(qū)23，所述半導(dǎo)體區(qū)23中對(duì)應(yīng)于所述柵極41下方的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)231。

具體的，所述步驟6中，對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層60進(jìn)行退火處理時(shí)，退火溫度為200～350℃，保溫時(shí)間為30min～120min，優(yōu)選為60min。

所述步驟6中，所述誘導(dǎo)金屬層60誘導(dǎo)氧化物半導(dǎo)體層20導(dǎo)體化的機(jī)理為：高溫退火過程中，所述誘導(dǎo)金屬層60與所述氧化物半導(dǎo)體層20中的氧氣反應(yīng)，降低所述氧化物半導(dǎo)體層20中的氧含量，從而提高氧化物半導(dǎo)體層20中的導(dǎo)電性能，使其導(dǎo)體化。

具體的，所述步驟6中，所述第一導(dǎo)體區(qū)21、及第二導(dǎo)體區(qū)22分別與所述溝道區(qū)231之間的距離為0.1μm～2μm。

由于所述第一導(dǎo)體區(qū)21、及第二導(dǎo)體區(qū)22均與所述半導(dǎo)體區(qū)23中對(duì)應(yīng)于所述柵極41下方的溝道區(qū)231之間存在一定距離，因此可避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)21、22對(duì)溝道區(qū)231造成影響，從而提升TFT基板的性能。

步驟7、請(qǐng)參閱圖9，對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層60進(jìn)行氧化處理，使所述誘導(dǎo)金屬層60轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的金屬氧化物層61。

具體的，當(dāng)所述誘導(dǎo)金屬層60的材料為鋁時(shí)，所述步驟7中，所述金屬氧化物層61的材料為氧化鋁。

具體的，所述步驟7中，采用退火處理或者氧氣等離子體處理的方法對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層60進(jìn)行氧化處理。

所述步驟7中，通過對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層60進(jìn)行氧化處理，使所述誘導(dǎo)金屬層60轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的金屬氧化物層61，可避免漏電。

具體的，所述步驟7中，所述金屬氧化物層61與所述第一絕緣層30之間的間隙的寬度為0.1μm～2μm。

步驟8、請(qǐng)參閱圖10-11，在所述柵極41、金屬氧化物層61、及氧化物半導(dǎo)體層20上形成第二絕緣層70；

對(duì)所述第二絕緣層70、及金屬氧化物層61進(jìn)行圖形化處理，在所述第二絕緣層70與金屬氧化物層61上形成對(duì)應(yīng)于所述第一導(dǎo)體區(qū)21上方的第一過孔71以及對(duì)應(yīng)于所述第二導(dǎo)體區(qū)22上方的第二過孔72；

在所述第二絕緣層70上沉積第二導(dǎo)電層80，對(duì)所述第二導(dǎo)電層80進(jìn)行圖形化處理，形成源極81與漏極82，所述源極81通過所述第一過孔71與所述氧化物半導(dǎo)體層20的第一導(dǎo)體區(qū)21相接觸，所述漏極82通過所述第二過孔72與所述氧化物半導(dǎo)體層20的第二導(dǎo)體區(qū)22相接觸。

具體的，所述第二絕緣層70的材料包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_x)、氧化鉿(HfO)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。

具體的，所述第二導(dǎo)電層80的材料為金屬；優(yōu)選的，所述第二導(dǎo)電層80的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的至少一種。

請(qǐng)參閱圖12，當(dāng)所述TFT基板用于制作OLED顯示器時(shí)，所述TFT基板的制作方法還包括步驟9、在所述源極81、漏極82、及第二絕緣層70上形成第三絕緣層90，對(duì)所述第三絕緣層90進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述漏極82上方的第三過孔91；

在所述第三絕緣層90上沉積第三導(dǎo)電層100，對(duì)所述第三導(dǎo)電層100進(jìn)行圖形化處理，得到像素電極101，所述像素電極101通過所述第三過孔91與所述漏極82相接觸。

請(qǐng)參閱圖13，當(dāng)所述TFT基板用于制作FFS型液晶顯示器時(shí)，所述TFT基板的制作方法還包括步驟9、在所述源極81、漏極82、及第二絕緣層70上形成第三絕緣層90’，在所述第三絕緣層90’上沉積第三導(dǎo)電層100’，對(duì)所述第三導(dǎo)電層100’進(jìn)行圖形化處理，形成公共電極105’；

在所述公共電極105’及第三絕緣層90’上形成第四絕緣層110’，對(duì)所述第四絕緣層110’進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述漏極82上方的第三過孔115’；

在所述第四絕緣層110’上沉積第四導(dǎo)電層120’，對(duì)所述第四導(dǎo)電層120’進(jìn)行圖形化處理，形成像素電極125’，所述像素電極125’通過所述第三過孔115’與所述漏極82相接觸。

上述TFT基板的制作方法，通過在柵極41的蝕刻制程中對(duì)柵極41進(jìn)行過度蝕刻，使所述柵極41的尺寸小于其上方光阻層50的尺寸，且所述光阻層50的邊緣超出所述柵極41的邊緣一段距離，從而在后續(xù)沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料時(shí)，形成的誘導(dǎo)金屬層60與對(duì)應(yīng)于柵極41下方的第一絕緣層30之間存在一定間隙，采用誘導(dǎo)金屬層60誘導(dǎo)其下方的氧化物半導(dǎo)體層20導(dǎo)體化后，形成的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)21、22與對(duì)應(yīng)于所述柵極41下方的溝道區(qū)231之間存在一段距離，避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)21、22影響溝道區(qū)231，提升TFT器件的電學(xué)性能。在采用誘導(dǎo)金屬層60誘導(dǎo)所述氧化物半導(dǎo)體層20導(dǎo)體化后，對(duì)所述誘導(dǎo)金屬層60進(jìn)行完全氧化，避免產(chǎn)生漏電；同時(shí)，由于光阻層50的邊緣覆蓋作用，沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料時(shí)，無半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料沉積于第一絕緣層30的側(cè)壁上，避免了殘留的金屬原子對(duì)TFT器件可靠性的影響。

請(qǐng)參閱圖12或圖13，基于上述TFT基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種TFT基板，包括基板10、設(shè)于所述基板10上的氧化物半導(dǎo)體層20、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層20上的第一絕緣層30、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層20及基板10上的金屬氧化物層61、設(shè)于所述第一絕緣層30上的柵極41、設(shè)于所述柵極41、金屬氧化物層61、及氧化物半導(dǎo)體層20上的第二絕緣層70、以及設(shè)于所述第二絕緣層70上的源極81與漏極82；

所述第一絕緣層30的邊緣與所述柵極41的邊緣對(duì)齊，所述金屬氧化物層61位于所述第一絕緣層30的外圍，且與所述第一絕緣層30之間存在一定間隙；

所述氧化物半導(dǎo)體層20包括分別位于兩側(cè)的第一導(dǎo)體區(qū)21與第二導(dǎo)體區(qū)22、以及位于所述第一導(dǎo)體區(qū)21與第二導(dǎo)體區(qū)22之間的半導(dǎo)體區(qū)23，所述半導(dǎo)體區(qū)23中對(duì)應(yīng)于所述柵極41下方的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)231；所述第一導(dǎo)體區(qū)21與第二導(dǎo)體區(qū)22上靠近所述半導(dǎo)體區(qū)23一側(cè)的邊緣分別與所述金屬氧化物層61上靠近所述第一絕緣層30一側(cè)的邊緣對(duì)齊；

所述第二絕緣層70與金屬氧化物層61上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述第一導(dǎo)體區(qū)21上方的第一過孔71以及對(duì)應(yīng)于所述第二導(dǎo)體區(qū)22上方的第二過孔72；所述源極81通過所述第一過孔71與所述氧化物半導(dǎo)體層20的第一導(dǎo)體區(qū)21相接觸，所述漏極82通過所述第二過孔72與所述氧化物半導(dǎo)體層20的第二導(dǎo)體區(qū)22相接觸。

具體的，所述金屬氧化物層61與所述第一絕緣層30之間的間隙的寬度為0.1μm～2μm；所述第一導(dǎo)體區(qū)21、及第二導(dǎo)體區(qū)22分別與所述溝道區(qū)231之間的距離為0.1μm～2μm。

具體的，所述基板10為玻璃基板。

具體的，所述金屬氧化物層61的材料為氧化鋁。

具體的，所述氧化物半導(dǎo)體層20的材料包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、及銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)中的一種。

具體的，所述第一絕緣層30與第二絕緣層70的材料分別包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_x)、氧化鉿(HfO)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。

具體的，所述柵極41、源極81與漏極82的材料均為金屬；優(yōu)選的，所述柵極41、源極81與漏極82的材料均包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的至少一種。

請(qǐng)參閱圖12，當(dāng)所述TFT基板用于OLED顯示器中時(shí)，所述TFT基板還包括：位于所述源極81、漏極82、及第二絕緣層70上的第三絕緣層90、以及位于所述第三絕緣層90上的像素電極101；所述第三絕緣層90上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極82上方的第三過孔91，所述像素電極101通過所述第三過孔91與所述漏極82相接觸。

請(qǐng)參閱圖13，當(dāng)所述TFT基板用于FFS型液晶顯示器中時(shí)，所述TFT基板還包括：設(shè)于所述源極81、漏極82、及第二絕緣層70上的第三絕緣層90’、設(shè)于所述第三絕緣層90’上的公共電極105’、設(shè)于所述公共電極105’及第三絕緣層90’上的第四絕緣層110’、以及設(shè)于所述第四絕緣層110’上的像素電極125’；所述第四絕緣層110’上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述漏極82上方的第三過孔115’，所述像素電極125’通過所述第三過孔115’與所述漏極82相接觸。

上述TFT基板，氧化物半導(dǎo)體層20上的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)21、22與對(duì)應(yīng)于所述柵極41下方的溝道區(qū)231之間均存在一段距離，從而可避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)21、22影響溝道區(qū)231，提升TFT器件的電學(xué)性能。

綜上所述，本發(fā)明提供一種TFT基板及其制作方法。本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過在柵極的蝕刻制程中對(duì)柵極進(jìn)行過度蝕刻，使所述柵極的尺寸小于其上方光阻層的尺寸，且所述光阻層的邊緣超出所述柵極的邊緣一段距離，從而在后續(xù)沉積半導(dǎo)體導(dǎo)體化誘導(dǎo)金屬材料時(shí)，形成的誘導(dǎo)金屬層與對(duì)應(yīng)于柵極下方的第一絕緣層之間存在一定間隙，采用誘導(dǎo)金屬層誘導(dǎo)其下方的氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)體化后，形成的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)分別與對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的溝道區(qū)之間存在一段距離，避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)影響溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。本發(fā)明的TFT基板，氧化物半導(dǎo)體層上的第一、及第二導(dǎo)體區(qū)與對(duì)應(yīng)于所述柵極下方的溝道區(qū)之間存在一段距離，從而可避免第一、及第二導(dǎo)體區(qū)影響溝道區(qū)，提升TFT器件的電學(xué)性能。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。