1.一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：由襯底、基礎(chǔ)GaN外延層、高阻值GaN電流阻擋層、透明導(dǎo)電層、頂電極和側(cè)面電極組成；在襯底上依次生長(zhǎng)基礎(chǔ)GaN外延層和高阻值GaN外延層，將基礎(chǔ)GaN外延層部分刻蝕掉形成臺(tái)面，將高阻值GaN外延層部分刻蝕掉形成高阻值GaN電流阻擋層，在臺(tái)面和高阻值GaN電流阻擋層上覆蓋透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上設(shè)置與高阻值GaN電流阻擋層對(duì)應(yīng)的頂電極，在臺(tái)面的側(cè)方設(shè)置側(cè)面電極。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述高阻值GaN電流阻擋層采用摻雜有Fe元素的GaN材料。
3.如權(quán)利要求2所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述Fe元素來(lái)源于金屬有機(jī)源，其可以是二茂鐵。
4.如權(quán)利要求2所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述高阻值GaN電流阻擋層中Fe元素的濃度范圍為1x1018cm-3-1x1020cm-3。
5.如權(quán)利要求4所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述高阻值GaN電流阻擋層中Fe元素的濃度范圍為5x1018cm-3到5x1019cm-3。
6.如權(quán)利要求2所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述高阻值GaN電流阻擋層的厚度范圍為50-10000?。
7.如權(quán)利要求6所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述高阻值GaN電流阻擋層的厚度范圍為500-5000?。
8.如權(quán)利要求1所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述基礎(chǔ)GaN外延層至少包含由下至上排列的緩沖層、非故意摻雜層、N型層、有源層、電子阻擋層和P型層。
9.一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、在襯底上采用MOCVD生長(zhǎng)基礎(chǔ)GaN外延層；
步驟二、在基礎(chǔ)GaN外延層上采用MOCVD生長(zhǎng)高阻值GaN外延層；
步驟三、在基礎(chǔ)GaN外延層上光刻和ICP刻蝕制作出臺(tái)面，同時(shí)將高阻值GaN外延層部分刻蝕掉，留下位于臺(tái)面上的部分作為高阻值GaN電流阻擋層；
步驟四、在臺(tái)面以及高阻值GaN電流阻擋層上采用E-Gun或sputter方法生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層；
步驟五、將頂電極設(shè)置在透明導(dǎo)電層上且使頂電極位于高阻值GaN電流阻擋層的正上方，將側(cè)面電極設(shè)置在臺(tái)面的側(cè)方。
10.如權(quán)利要求9所述的一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述高阻值GaN外延層的生長(zhǎng)溫度為800-1100℃，生長(zhǎng)壓力為50-500Torr。