技術(shù)編號:11956327
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種具有高阻值GaN電流阻擋層的發(fā)光二極管及其制作方法。背景技術(shù)在發(fā)光二極管中,從頂電極注入的電流會直接流入頂電極下方的有源區(qū),因此有源區(qū)發(fā)出的光會被不透明的電極所遮蔽,導(dǎo)致發(fā)光二極管的光萃取效率降低。解決該問題的方法之一是在頂電極下方增加一層電流阻擋層。該電流阻擋層能夠阻止電流直接流入頂電極下方的有源區(qū),使電流擴(kuò)展到未被頂電極所遮蔽的芯片區(qū)域,從而提高發(fā)光二極管的光萃取效率。如圖1所示,在傳統(tǒng)的氮化鎵(GaN)發(fā)光二極管芯片的制作工藝中,在襯底1上使用金屬有...
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