技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供襯底，襯底上包含介質(zhì)層；在介質(zhì)層上形成硬掩膜層；在硬掩膜層中形成條狀開口；在條狀開口上形成兩個以上沿條狀開口長度方向分布的柱狀結(jié)構(gòu)；在柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于硬掩膜層上的側(cè)墻，側(cè)墻沿同一條狀開口長度方向上的兩倍厚度小于同一條狀開口上相鄰兩個柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離；去除柱狀結(jié)構(gòu)；以側(cè)墻和硬掩膜層為掩模，在介質(zhì)層中形成通孔或者溝槽。本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件的形成方法在同一條狀開口上柱狀結(jié)構(gòu)所占據(jù)的位置和相鄰兩個側(cè)墻之間的位置都形成通孔或者溝槽，使得在同一條狀開口上相鄰兩個柱狀結(jié)構(gòu)之間增加形成一個通孔或者溝槽，從而形成密集排列的通孔或者溝槽陣列。

技術(shù)研發(fā)人員：張城龍;張海洋
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201610536743
技術(shù)研發(fā)日：2013.04.28
技術(shù)公布日：2016.12.07