1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成一個或多個第一條狀結(jié)構(gòu)；
在所述第一條狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于所述襯底上的第一側(cè)墻；
去除所述第一條狀結(jié)構(gòu)；
形成覆蓋所述第一側(cè)墻和所述襯底的犧牲層；
在所述犧牲層上形成一個或多個第二條狀結(jié)構(gòu)，所述第二條狀結(jié)構(gòu)的長度方向與所述第一側(cè)墻的長度方向呈大于或等于45°且小于或等于90°的夾角；
在所述第二條狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于所述犧牲層上的第二側(cè)墻；
以所述第二側(cè)墻為掩模，蝕刻所述犧牲層和所述第一側(cè)墻，并去除所述犧牲層，形成立柱。
2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一條狀結(jié)構(gòu)和第二條狀結(jié)構(gòu)的材料包括光刻膠材料、含硅底部抗反射層材料、無定形碳材料和氮化硅材料的一種或者多種的任意組合。
3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的制作材料包括氮化銅，在形成所述多個立柱之后，還包括在氫氣氣氛中對所述多個立柱進行退火處理，使所述氮化銅被還原成銅。
4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，還包括：在所述立柱之間的襯底上形成超低k介質(zhì)材料。
5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化鈦和氮化銅中的一種或者多種的任意組合。