1.一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括：
下保護(hù)金屬層，所述下保護(hù)金屬層位于基板上；
緩沖層，所述緩沖層位于所述下保護(hù)金屬層上；
半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述緩沖層上并且包括溝道區(qū)、多個(gè)輕摻雜區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)；
第一絕緣膜，所述第一絕緣膜位于所述半導(dǎo)體層上；
柵極，所述柵極位于所述第一絕緣膜上并且與所述下保護(hù)金屬層連接；
第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位于所述柵極上；
源極和漏極，所述源極和所述漏極位于所述第二絕緣膜上，并且所述源極與所述源極區(qū)連接以及所述漏極與所述漏極區(qū)連接；以及
第一電極，所述第一電極與所述漏極連接，
其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)交疊并且不與所述輕摻雜區(qū)交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層的寬度小于所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)和所述輕摻雜區(qū)交疊并且不與所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層的寬度大于所述溝道區(qū)的寬度并且小于所述溝道區(qū)的寬度與所述輕摻雜區(qū)的寬度之和。
6.一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括：
下保護(hù)金屬層，所述下保護(hù)金屬層位于基板上；
緩沖層，所述緩沖層位于所述下保護(hù)金屬層上；
半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述下保護(hù)金屬層上并且包括溝道區(qū)、多個(gè)輕摻雜區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)；
第一絕緣膜，所述第一絕緣膜位于所述半導(dǎo)體層上；
柵極，所述柵極位于所述第一絕緣膜上；
第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位于所述柵極上；
漏極，所述漏極位于所述第二絕緣膜上并且與所述漏極區(qū)連接；
源極，所述源極與所述源極區(qū)和所述下保護(hù)金屬層連接；以及
第一電極，所述第一電極與所述漏極連接，
其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)交疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)交疊并且不與所述輕摻雜區(qū)交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層的寬度小于所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)和所述輕摻雜區(qū)交疊并且不與所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)交疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層的寬度大于所述溝道區(qū)的寬度并且小于所述溝道區(qū)的寬度與所述輕摻雜區(qū)的寬度之和。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)、所述輕摻雜區(qū)、所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)交疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，所述下保護(hù)金屬層的寬度小于所述半導(dǎo)體層的總體寬度并且大于所述溝道區(qū)的寬度與所述輕摻雜區(qū)的寬度之和。
13.一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括：
下保護(hù)金屬層，所述下保護(hù)金屬層位于基板上；
緩沖層，所述緩沖層位于所述下保護(hù)金屬層上；
半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述緩沖層上并且包括溝道區(qū)、多個(gè)輕摻雜區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)；
第一絕緣膜，所述第一絕緣膜位于所述半導(dǎo)體層上；
柵極，所述柵極位于所述第一絕緣膜上并且與所述下保護(hù)金屬層連接；
第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位于所述柵極上；
源極和漏極，所述源極和所述漏極位于所述第二絕緣膜上，并且所述源極與所述源極區(qū)連接以及所述漏極與所述漏極區(qū)連接；
第一電極，所述第一電極與所述漏極連接；
有機(jī)層，所述有機(jī)層位于所述第一電極上；以及
第二電極，所述第二電極位于所述有機(jī)層上，
其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)交疊。
14.一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括：
下保護(hù)金屬層，所述下保護(hù)金屬層位于基板上；
緩沖層，所述緩沖層位于所述下保護(hù)金屬層上；
半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述下保護(hù)金屬層上并且包括溝道區(qū)、多個(gè)輕摻雜區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)；
第一絕緣膜，所述第一絕緣膜位于所述半導(dǎo)體層上；
柵極，所述柵極位于所述第一絕緣膜上；
第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位于所述柵極上；
漏極，所述漏極位于所述第二絕緣膜上并且與所述漏極區(qū)連接；
源極，所述源極與所述源極區(qū)和所述下保護(hù)金屬層連接；
第一電極，所述第一電極與所述漏極連接；
有機(jī)層，所述有機(jī)層位于所述第一電極上；以及
第二電極，所述第二電極位于所述有機(jī)層上，
其中，所述下保護(hù)金屬層與所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)交疊。