1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括半導(dǎo)體有源元件；
接地圖案，所述接地圖案設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上，在所述半導(dǎo)體襯底和所述接地圖案之間夾有絕緣層；
信號線，所述信號線設(shè)置在所述絕緣層中，所述信號線連接到所述半導(dǎo)體有源元件并且構(gòu)成通過面對所述接地圖案而伴隨所述接地圖案的傳輸線；
焊盤，所述焊盤設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上，所述焊盤連接到所述信號線；以及
短截線，所述短截線與所述接地圖案重疊并且插入所述絕緣層中，所述短截線的一端連接到所述焊盤并且所述短截線的另一端連接到所述接地圖案，
其中，所述短截線具有比所述傳輸線上攜載的信號的四分之一波長(λ/4)短的長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括電容器，所述短截線在AC模式下通過所述電容器連接到所述接地圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
還包括另一個焊盤和另一個短截線，
其中，所述另一個短截線連接在所述另一個焊盤和所述接地圖案之間，并且具有比所述信號的四分之一波長(λ/4)短的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
還包括設(shè)置在所述焊盤和所述傳輸線之間的加寬的線，其中，所述加寬的線具有比所述信號線的寬度寬的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，
其中，所述加寬的線的寬度從所述信號線向著所述焊盤逐漸增大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
其中，所述焊盤設(shè)置在形成在所述接地圖案中的空位點中，所述焊盤通過所述空位點與所述接地圖案電隔離，以及
其中，所述空位點在從所述焊盤抽出所述信號線的一側(cè)處具有在所述焊盤和所述接地圖案之間的第一距離，并且在從所述焊盤抽出所述短截線的另一側(cè)處具有在所述焊盤和所述接地圖案之間的第二距離，所述第一距離小于所述第二距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
其中，從所述焊盤向著下述方向抽出所述短截線，所述方向相對于沿著從所述焊盤抽出所述信號線的方向成至少90°的角。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
其中，所述絕緣層包括多個層，每個層都具有互連，以及
其中，所述信號線和所述短截線設(shè)置在所述多個層中的對所述信號線和所述短截線公共的一個層中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，
其中，所述信號線和所述短截線通過通孔連接到所述焊盤，所述通孔的每個都設(shè)置在對應(yīng)層中并且連接對應(yīng)的互連。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
其中，所述短截線具有比所述波長的十二分之一(λ/12)長的長度。