1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
殼體，所述殼體對半導體元件進行收納；
第一配線圖案，所述第一配線圖案配置于所述殼體的底面的主表面；
第二配線圖案，所述第二配線圖案與所述第一配線圖案間設有間隙地相鄰配置于所述主表面；以及
塊部，所述塊部沿著所述第一配線圖案與所述第二配線圖案配置于所述主表面的所述間隙。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部由與所述殼體相同的材質(zhì)構成。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部的高度為所述第一配線圖案與所述第二配線圖案間的空間距離的0.1倍至1.0倍。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部沿剖面觀察呈矩形。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部具有沿剖面觀察使與所述底面相對一側的寬度變窄的傾斜。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部沿剖面觀察在與所述底面相對一側具有呈凸狀的橢圓弧形。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部沿剖面觀察呈橢圓弧形。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述塊部沿剖面觀察在與所述底面相對一側具有呈凹狀的橢圓弧形。
9.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
殼體，所述殼體對半導體元件進行收納；
第一配線圖案，所述第一配線圖案配置于所述殼體的底面的主表面；
第二配線圖案，所述第二配線圖案與所述第一配線圖案間設有間隙地相鄰配置于所述主表面；以及
槽部，所述槽部沿著所述第一配線圖案與所述第二配線圖案配置于所述主表面的所述間隙。
10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，
所述槽部距所述底面的深度為所述第一配線圖案與所述第二配線圖案間的空間距離的0.1倍至1.0倍。
11.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，
所述槽部沿剖面觀察呈矩形。
12.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述槽部的底部具有沿剖面觀察，使所述槽部的底部的寬度比所述底面一側的寬度窄的傾斜。
13.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述槽部的底部具有沿剖面觀察呈凸狀的橢圓弧形。
14.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，
所述槽部沿剖面觀察呈橢圓弧形。
15.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述槽部的底部具有沿剖面觀察呈凹狀的橢圓弧形。
16.如權利要求1或9所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述第一配線圖案或所述第二配線圖案上，通過導電性粘接劑配置有電子元器件。
17.如權利要求1或9所述的半導體裝置，其特征在于，
使用封裝樹脂對所述殼體內(nèi)進行封裝。