技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括第一鰭式圖案和第二鰭式圖案，它們從場(chǎng)絕緣膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。柵極結(jié)構(gòu)與第一鰭式圖案和第二鰭式圖案交叉。第一外延層在柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于第一鰭式圖案上，并且第二外延層在柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于第二鰭式圖案上。金屬接觸部分覆蓋第一外延層的外周圍表面和第二外延層的外周圍表面。第一外延層接觸第二外延層。

技術(shù)研發(fā)人員：金成玟;姜智秀;柳炳贊;樸宰賢;李宥利;車東鎬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610474846
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.24
技術(shù)公布日：2017.01.25