1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一鰭式圖案和第二鰭式圖案，它們從場(chǎng)絕緣膜的上表面向上突出，所述第一鰭式圖案和所述第二鰭式圖案各自在第一方向上延伸；
柵極結(jié)構(gòu)，其與所述第一鰭式圖案和所述第二鰭式圖案交叉；
第一外延層，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于所述第一鰭式圖案上；
第二外延層，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于所述第二鰭式圖案上；以及
金屬接觸部分，其覆蓋所述第一外延層的外周圍表面和所述第二外延層的外周圍表面，
其中，所述第一外延層接觸所述第二外延層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬接觸部分包括接觸所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的第一部分和在所述第一部分的頂部上與所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁間隔開的第二部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述第一部分與所述第二部分之間的界面處，所述第一部分的寬度大于所述第二部分的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極絕緣膜、在所述柵極絕緣膜上的柵電極和在所述柵電極的至少一側(cè)上的間隔件，
其中，所述第一部分與所述間隔件接觸，并且
所述第二部分與所述間隔件間隔開。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二部分的一部分位于所述柵極結(jié)構(gòu)的上表面之下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
在所述場(chǎng)絕緣膜與所述第一外延層和所述第二外延層之間的突出空間，所述突出空間包括絕緣材料、金屬材料或者氣隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
層間絕緣膜，其覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)以及所述第一外延層和所述第二外延層，
其中，所述層間絕緣膜接觸所述第一外延層和所述第二外延層的第一區(qū)域，并且
所述金屬接觸部分覆蓋所述第一外延層和所述第二外延層的第二區(qū)域的外表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
第三外延層，其完全覆蓋所述第一外延層的外周圍表面和所述第二外延層的外周圍表面，
其中，所述第一外延層和所述第二外延層包括相同的材料，并且
所述第三外延層包括與所述第一外延層和所述第二外延層的材料不同的材料。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，其包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
第一鰭式圖案，其在所述第一區(qū)域上在第一方向上延伸；
第二鰭式圖案，其在所述第二區(qū)域上在第二方向上延伸；
第一柵極結(jié)構(gòu)，其接觸所述第一鰭式圖案，所述第一柵極結(jié)構(gòu)在與所述第一方向交叉的第三方向上延伸；
第二柵極結(jié)構(gòu)，其接觸所述第二鰭式圖案，所述第二柵極結(jié)構(gòu)在與所述第二方向交叉的第四方向上延伸；
第一外延層，其在所述第一柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于所述第 一鰭式圖案上；
第二外延層，其在所述第二柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于所述第二鰭式圖案上；
第一金屬接觸部分，其位于所述第一外延層上，并且包括第一金屬材料；以及
第二金屬接觸部分，其位于所述第二外延層上，并且包括所述第一金屬材料，
其中，所述第一金屬接觸部分完全地包圍所述第一外延層的外周圍表面，并且
所述第二金屬接觸部分僅接觸所述第二外延層的上表面的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二金屬接觸部分的最下面的表面比所述第二外延層的最上面的表面更靠近所述襯底的上表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
在所述襯底上的場(chǎng)絕緣膜，
其中，所述第一金屬接觸部分接觸所述場(chǎng)絕緣膜，并且
所述第二金屬接觸部分不接觸所述場(chǎng)絕緣膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一區(qū)域包括NMOS晶體管，并且所述第二區(qū)域包括PMOS晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
第一勢(shì)壘金屬，其完全覆蓋所述第一外延層的外周圍表面；以及
第二勢(shì)壘金屬，其僅位于所述第二外延層的一部分上。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，其包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
第一鰭式圖案，其在所述第一區(qū)域上在第一方向上延伸；
第二鰭式圖案，其在所述第二區(qū)域上在第二方向上延伸；
第一柵極結(jié)構(gòu)，其與所述第一鰭式圖案接觸，并且延伸以與所述第一方向交叉；
第二柵極結(jié)構(gòu)，其與所述第二鰭式圖案接觸，并且延伸以與所述第二方向交叉；
第一外延層，其在所述第一柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于所述第一鰭式圖案上；
第二外延層，其在所述第二柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上位于所述第二鰭式圖案上；
第一金屬接觸部分，其位于所述第一外延層上，并且包括金屬；以及
第二金屬接觸部分，其位于所述第二外延層上，并且包括金屬，
其中，所述第一金屬接觸部分包括接觸所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的第一部分和在所述第一部分的頂部上與所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁間隔開的第二部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個(gè)柵極結(jié)構(gòu)包括柵極絕緣膜、在所述柵極絕緣膜上的柵電極和在所述柵電極的至少一側(cè)上的間隔件，
其中，所述第一部分接觸所述間隔件，并且
所述第二部分不接觸所述間隔件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一部分直接接觸所述間隔件或者所述第一外延層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
層間絕緣膜，其覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第一外延層，
其中，所述層間絕緣膜不接觸所述第一外延層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬接觸部分形成在所述第一外延層與所述層間絕緣膜之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬接觸部分完全地包圍所述第一外延層的外周圍表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
層間絕緣膜，其覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第二外延層，
其中，所述層間絕緣膜與所述第二外延層的底部的外表面接觸，并且
所述第二金屬接觸部分覆蓋所述第二外延層的頂部的外表面。