本發(fā)明涉及一種磁性組件及其制造方法，尤其涉及一種具有堆疊式繞組與絕緣件的磁性組件及其制造方法。

背景技術(shù)：

磁性組件為重要的電子組件，用以?xún)?chǔ)存能量、轉(zhuǎn)換能量以及隔離電氣。在大多數(shù)的電路中，均安裝有磁性組件。一般而言，磁性組件主要包含變壓器(transformer)以及電感器(inductor)，且磁性組件通常是由至少一個(gè)繞組以及芯體組成。舉例而言，變壓器可具有設(shè)置于芯體中的至少一個(gè)一次側(cè)繞組以及二次側(cè)繞組，而電感器可具有設(shè)置于芯體中的單一繞組。在現(xiàn)有技術(shù)中，繞組是以人工方式纏繞于芯體的中柱周?chē)?，且繞組的繞組端部也是以人工方式纏繞于連接引腳周?chē)?，因此，無(wú)法以自動(dòng)化方式來(lái)制造磁性組件，進(jìn)而使得制造成本增加，且制造效率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有堆疊式繞組與絕緣件的磁性組件及其制造方法，以解決上述問(wèn)題。

根據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明的磁性組件包含第一芯體、支撐座、至少一個(gè)繞組、至少一個(gè)絕緣件以及第二芯體，第一芯體具有容置空間；支撐座設(shè)置于容置空間中，且支撐座具有電極平臺(tái)；至少一個(gè)繞組設(shè)置于容置空間中且堆疊于支撐座上，其中至少一個(gè)繞組的繞組端部設(shè)置于電極平臺(tái)的連接部上；至少一個(gè)絕緣件設(shè)置于容置空間中且堆疊于至少一個(gè)繞組上；第二芯體設(shè)置于第一芯體上且遮蓋容置空間。

根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明的磁性組件的制造方法包含下列步驟：提供第一芯體、支撐座、至少一個(gè)繞組、至少一個(gè)絕緣件以及第二芯體，其中第一芯體具有容置空間，且支撐座具有電極平臺(tái)；將至少一個(gè)繞組與至少一個(gè)絕緣件交錯(cuò)地堆疊于支撐座上，且將至少一個(gè)繞組的繞組端部設(shè)置于電極平臺(tái)的連接部上；將支撐座設(shè)置于容置空間中；以及將第二芯體設(shè)置于第一芯體上，其中第二芯體遮蓋容置空間。

綜上所述，本發(fā)明是將支撐座設(shè)置于芯體的容置空間中，且將繞組與絕緣件交錯(cuò)地堆疊于支撐座上。由于繞組與絕緣件堆疊于支撐座上，而非纏繞于芯體的中柱的周?chē)@組與絕緣件可預(yù)先形成，且本發(fā)明的磁性組件可以自動(dòng)化方式制造。此外，當(dāng)繞組堆疊于支撐座上時(shí)，繞組的繞組端部設(shè)置且固定于電極平臺(tái)的連接部上而形成電性連接。由于繞組的繞組端部設(shè)置且固定于電極平臺(tái)的連接部上而形成電性連接，因此，本發(fā)明可輕易且有效地達(dá)成磁性組件的自動(dòng)化制造。借此，即可降低制造成本，且增加制造效率。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的磁性組件的立體圖；

圖2為圖1中的磁性組件的爆炸圖；

圖3為圖2中的支撐座的放大圖；

圖4為圖2中的繞組、屏蔽件與絕緣件交錯(cuò)地堆疊于支撐座上的立體圖；

圖5為繞組、屏蔽件與絕緣件交錯(cuò)地堆疊于支撐座上的剖面圖；

圖6為繞組的繞組端部與屏蔽件的連接端部通過(guò)焊料固定于圖2中的電極平臺(tái)的連接部的立體圖；

圖7為支撐座設(shè)置于圖1中的第一芯體的容置空間中的立體圖；

圖8為圖1中的磁性組件的制造方法的流程圖；

圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件的立體圖；

圖10為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件的立體圖；

圖11為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件的立體圖；

圖12為圖11中的磁性組件于另一視角的立體圖；

圖13為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件的立體圖；

圖14為圖13中的磁性組件的引腳下壓前的立體圖；

圖15為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件的立體圖；

圖16A至圖16H為八種型式的繞組的示意圖；

圖17A至圖17B為兩種型式的屏蔽件的示意圖；

圖18為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件的剖面圖；

圖19為一次側(cè)繞組并聯(lián)時(shí)的等效電路示意圖；

圖20為一次側(cè)繞組串聯(lián)時(shí)的等效電路示意圖；

圖21為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的繞組、屏蔽件與絕緣件交錯(cuò)地堆疊于支撐座上的剖面圖。

【符號(hào)說(shuō)明】

1、2、3、4、5、6、7 磁性組件

10 第一芯體

12 支撐座

14、18、22、24 繞組

16、20 屏蔽件

26、28、30、32、34、36 絕緣件

38 第二芯體

40、42、44、46、48、50、52、54、56、58、60、62 膠體

64、70 焊料

100 容置空間

102 中柱

120 電極平臺(tái)

121 擋墻

122 連接部

124 接觸面

126 底面

128 引腳

130 中空管部

131 底座部

140、180、220、240 繞組端部

160、200 連接端部

202 接觸接點(diǎn)

D1、D4、D5 外徑

D2、D3 內(nèi)徑

D7、D8 距離

S10-S16 步驟

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱如圖1至圖8，圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的磁性組件1的立體圖，圖2為圖1中的磁性組件1的爆炸圖，圖3為圖2中的支撐座12的放大圖，圖4為圖2中的繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36交錯(cuò)地堆疊于支撐座12上的立體圖，圖5為繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36交錯(cuò)地堆疊于支撐座12上的剖面圖，圖6為繞組14、22、24的繞組端部140、220、240與屏蔽件16、20的連接端部160、200通過(guò)焊料接合固定于圖2中的電極平臺(tái)120的連接部122的立體圖，圖7為支撐座12設(shè)置于圖1中的第一芯體10的容置空間100中的立體圖，圖8為圖1中的磁性組件1的制造方法的流程圖。

本發(fā)明的磁性組件1可為變壓器、電感器或其它磁性組件。如圖1與圖2所示，在此實(shí)施例中，磁性組件1以變壓器作為說(shuō)明之用，因此，磁性組件1可包含第一芯體10、支撐座12、多個(gè)繞組14、18、22、24、多個(gè)屏蔽件16、20、多個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36以及第二芯體38。然而，若磁性組件1為電感器，則磁性組件1可包含單一繞組(也就是，由多個(gè)相互串聯(lián)或并聯(lián)的繞組所形成的單一等效繞組)以及單一絕緣件。換言之，本發(fā)明的磁性組件1可包含至少一個(gè)繞組以及至少一個(gè)絕緣件，視實(shí)際應(yīng)用而定。

在制造磁性組件1時(shí)，首先，執(zhí)行圖8中的步驟S10，提供第一芯體10、支撐座12、繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20、絕緣件26、28、30、32、34、36以及第二芯體38，其中第一芯體10具有容置空間100，且支撐座12具有電極平臺(tái)120。在此實(shí)施例中，電極平臺(tái)120包含多個(gè)連接部122，且連接部122排列成T字型式，也就是，部分連接部122自電極平臺(tái)120向上突出，使得至少兩個(gè)連接部122的高度彼此相異，如圖3所示。此外，每一個(gè)連接部122的接觸面124平行支撐座12的底面126。再者，每一個(gè)連接部122具有引腳128，且引腳128向下延伸出第一芯體10。在實(shí)際應(yīng)用中，每一個(gè)連接部122的引腳128用以安裝于電路板(圖中未示)上。需說(shuō)明的是，每一個(gè)連接部122的接觸面124是由引腳128的另一端所提供。

在此實(shí)施例中，繞組14、18、22、24包含兩個(gè)一次側(cè)繞組14、22、二次側(cè)繞組18以及輔助繞組24。屏蔽件16設(shè)置于一次側(cè)繞組14與二次側(cè)繞組18之間，且另一屏蔽件20設(shè)置于一次側(cè)繞組22與二次側(cè)繞組18之間，其中屏蔽件16、20用以屏蔽兩組繞組(例如，包含二次側(cè)繞組18的第一組繞組與包含一次側(cè)繞組14、22及輔助繞組24的第二組繞組)間的電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)，以降低電磁干擾耦合效應(yīng)。此外，絕緣件26設(shè)置于一次側(cè)繞組14與屏蔽件16之間，絕緣件28設(shè)置于屏蔽件16與二次側(cè)繞組18之間，絕緣件30設(shè)置于二次側(cè)繞組18與屏蔽件20之間，絕緣件32設(shè)置于屏蔽件20與一次側(cè)繞組22之間，絕緣件34設(shè)置于一次側(cè)繞組22與輔助繞組24之間，且絕緣件36設(shè)置于輔助繞組24與第二芯體38之間，其中絕緣件26、28、30、32、34、36用以產(chǎn)生絕緣效果。于實(shí)際應(yīng)用中，絕緣件26、28、30、32、34、36可為卡普頓(Kapton)膠帶或薄膜，或其它絕緣材料。再者，一次側(cè)繞組14、22及/或二次側(cè)繞組18可由三層絕緣線(xiàn)制成，以增進(jìn)絕緣效果。

在圖8中的步驟S10之后，執(zhí)行圖8中的步驟S12，將繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36交錯(cuò)地堆疊于支撐座12上，且將每一個(gè)繞組14、22、24的繞組端部與每一個(gè)屏蔽件16、20的一連接端部設(shè)置于電極平臺(tái)120的對(duì)應(yīng)的連接部122上。

在此實(shí)施例中，本發(fā)明先將膠體40設(shè)置于支撐座12上，再將一次側(cè)繞組14堆疊于支撐座12上。當(dāng)一次側(cè)繞組14堆疊于支撐座12上時(shí)，一次側(cè)繞組14的二繞組端部140設(shè)置于電極平臺(tái)120的對(duì)應(yīng)的二連接部122上。接著，本發(fā)明可以使用點(diǎn)焊(spot welding)制程將一次側(cè)繞組14的繞組端部140接合于電極平臺(tái)120的連接部122上。于此實(shí)施例中，連接部122的接觸面124的高度或位置與繞組端部140的高度或位置實(shí)質(zhì)相同，使得繞組端部140可水平延伸至連接部122的接觸面124。借此，當(dāng)對(duì)繞組端部140進(jìn)行焊接時(shí)，本發(fā)明可增進(jìn)焊接強(qiáng)度且防止繞組端部140斷裂。

接著，本發(fā)明將膠體42設(shè)置于一次側(cè)繞組14上，再將絕緣件26堆疊于一次側(cè)繞組14上。接著，本發(fā)明將膠體44設(shè)置于絕緣件26上，再將屏蔽件16堆疊于絕緣件26上。當(dāng)屏蔽件16堆疊于絕緣件26上時(shí)，屏蔽件16的連接端部160設(shè)置于電極平臺(tái)120的對(duì)應(yīng)的連接部122上。接著，本發(fā)明以熱壓焊(hot pressure welding)制程將屏蔽件16的連接端部160接合于電極平臺(tái)120的連接部122上。在此實(shí)施例中，連接部122的接觸面124的高度或位置與連接端部160的高度或位置實(shí)質(zhì)相同，使得連接端部160可水平延伸至連接部122的接觸面124。借此，當(dāng)對(duì)連接端部160進(jìn)行焊接時(shí)，本發(fā)明可增進(jìn)焊接強(qiáng)度且防止連接端部160斷裂。上述的熱壓焊制程與點(diǎn)焊制程可為雷射焊接(laser welding)或加熱焊接(heating welding)，上述的焊接對(duì)電極平臺(tái)120的連接部122的接觸面124與對(duì)應(yīng)的繞組的繞組端部或屏蔽件的連接端部進(jìn)行加熱，使兩者對(duì)應(yīng)處之間產(chǎn)生接合結(jié)構(gòu)，例如由繞組端部或連接端部的表面處的少量錫材(接合)因加熱將少量聚集在繞組端部或連接端部之間而形成接合結(jié)構(gòu)，或者，將兩接合部件的對(duì)應(yīng)處之間局部熔化而產(chǎn)生的接合結(jié)構(gòu)，其中，更可以選擇性地加入熔接材料，將兩接合部件及熔接材料熔化而接合。此外，上述的熱壓焊制程與點(diǎn)焊制程可互換。

接著，本發(fā)明將膠體46設(shè)置于屏蔽件16上，再將絕緣件28堆疊于屏蔽件16上。接著，本發(fā)明將膠體48設(shè)置于絕緣件28上，再將二次側(cè)繞組18堆疊于絕緣件28上。接著，本發(fā)明將膠體50設(shè)置于二次側(cè)繞組18上，再將絕緣件30堆疊于二次側(cè)繞組18上。接著，本發(fā)明將膠體52設(shè)置于絕緣件30上，再將屏蔽件20堆疊于絕緣件30上。當(dāng)屏蔽件20堆疊于絕緣件30上時(shí)，屏蔽件20的連接端部200設(shè)置于電極平臺(tái)120的對(duì)應(yīng)的連接部122上。接著，本發(fā)明以一熱壓焊制程將屏蔽件20的連接端部200接合于電極平臺(tái)120的連接部122上。在此實(shí)施例中，連接部122的接觸面124的高度或位置與連接端部200的高度或位置實(shí)質(zhì)相同，使得連接端部200可水平延伸至連接部122的接觸面124。借此，當(dāng)對(duì)連接端部200進(jìn)行焊接時(shí)，本發(fā)明可增進(jìn)焊接強(qiáng)度且防止連接端部200斷裂。

接著，本發(fā)明將膠體54設(shè)置于屏蔽件20上，再將絕緣件32堆疊于屏蔽件20上。接著，本發(fā)明將膠體56設(shè)置于絕緣件32上，再將一次側(cè)繞組22堆疊于絕緣件32上。當(dāng)一次側(cè)繞組22堆疊于絕緣件32上時(shí)，一次側(cè)繞組22的二繞組端部220被彎曲而設(shè)置于電極平臺(tái)120的對(duì)應(yīng)的連接部122上。接著，本發(fā)明以點(diǎn)焊制程將一次側(cè)繞組22的繞組端部220接合于電極平臺(tái)120的連接部122上。

接著，本發(fā)明將膠體58設(shè)置于一次側(cè)繞組22上，再將絕緣件34堆疊于一次側(cè)繞組22上。接著，本發(fā)明將膠體60設(shè)置于絕緣件34上，再將輔助繞組24堆疊于絕緣件34上。當(dāng)輔助繞組24堆疊于絕緣件34上時(shí)，輔助繞組24的二繞組端部240設(shè)置于電極平臺(tái)120的對(duì)應(yīng)的二連接部122上。接著，本發(fā)明以點(diǎn)焊制程將輔助繞組24的繞組端部240接合于電極平臺(tái)120的連接部122上。在此實(shí)施例中，連接部122的接觸面124的高度或位置與繞組端部240的高度或位置實(shí)質(zhì)相同，使得繞組端部240可水平延伸至連接部122的接觸面124。借此，當(dāng)對(duì)繞組端部240進(jìn)行焊接時(shí)，本發(fā)明可增進(jìn)焊接強(qiáng)度且防止繞組端部240斷裂。

接著，本發(fā)明將膠體62設(shè)置于輔助繞組24上，再將絕緣件36堆疊于輔助繞組24上。

通過(guò)上述制程，繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36即交錯(cuò)地堆疊于支撐座12上，如圖4與圖5所示。接著，本發(fā)明可將膠體40、42、44、46、48、50、52、54、56、58、60、62烘干，使得繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36通過(guò)膠體40、42、44、46、48、50、52、54、56、58、60、62于支撐座12上彼此黏合在一起。

接著，本發(fā)明可以用焊料64在繞組14、22、24的繞組端部140、220、240與屏蔽件16、20的連接端部160、200固定于電極平臺(tái)120的連接部122上加熱，使較多量的焊料64在接合處聚集而形成凸?fàn)罨虬步雍咸?例如繞組14、22、24的繞組端部140、220、240與屏蔽件16、20的連接端部160、200)，而使接合部件兩者的接合強(qiáng)度增加，如圖6所示。上述的焊料可為導(dǎo)電合金材料，例如，錫金合金(SnAu)、錫銀合金(SnAg)、錫銀銅合金(SnAgCu)或其它合金。

在圖8中的步驟S12之后，執(zhí)行圖8中的步驟S14，將支撐座12設(shè)置于第一芯體10的容置空間100中，使得支撐座12、繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36皆設(shè)置于第一芯體10的容置空間100中，如圖7所示。

在此實(shí)施例中，第一芯體10可具有中柱102，中柱102位于容置空間100中，支撐座12可具有中空管部130以及底座部131，且中空管部130與底座部131形成T字截面。在一些實(shí)施例中，第二芯體38可具有位于容置空間100中的中柱(圖中未示)且與第一芯體10組合。當(dāng)支撐座12設(shè)置于第一芯體10的容置空間100中時(shí)，中空管部130套設(shè)于中柱102上。此外，中空管部130的外徑D1小于每一個(gè)繞組14、18、22、24與每一個(gè)屏蔽件16、20的內(nèi)徑D2(D1<D2)且小于每一個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36的內(nèi)徑D3(D1<D3)，其中每一個(gè)繞組14、18、22、24與每一個(gè)屏蔽件16、20的內(nèi)徑D2不限定相同，同理每一個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36的內(nèi)徑D3不限定相同。換言之，中空管部130的頂端并無(wú)設(shè)置擋板，使得繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36可由上而下套設(shè)于中空管部130上。

在圖8中的步驟S14之后，執(zhí)行圖8中的步驟S16，將第二芯體38設(shè)置于第一芯體10上。當(dāng)?shù)诙倔w38設(shè)置于第一芯體10上時(shí)，第二芯體38遮蓋第一芯體10的容置空間100，如圖1所示。通過(guò)上述制程，即完成本發(fā)明的磁性組件1的制造。于此實(shí)施例中，第一芯體10與第二芯體38為E-I型式。然而，除了E-I型式外，第一芯體10與第二芯體38也可為F-L型式、T-U型式、E-E型式或T-I型式，視實(shí)際應(yīng)用而定。

如圖4所示，一次側(cè)繞組14、22的繞組端部140、220與二次側(cè)繞組18的繞組端部180朝向相反方向，以防止一次側(cè)繞組14、22的繞組端部140、220與二次側(cè)繞組18的繞組端部180產(chǎn)生交叉。此外，繞組14、22、24的繞組端部140、220、240與屏蔽件16、20的連接端部160、200亦彼此交錯(cuò)，以防止繞組14、22、24的繞組端部140、220、240與屏蔽件16、20的連接端部160、200彼此之間產(chǎn)生磁耦合(磁感應(yīng))效應(yīng)與降低磁通泄漏(magnetic flux leakage)。

在此實(shí)施例中，繞組14、22、24的繞組端部140、220、240與屏蔽件16、20的連接端部160、200可同時(shí)以焊料與焊接的方式連接于電極平臺(tái)120的連接部122，以增進(jìn)連接的可靠性。然而，在另一實(shí)施例中，也可以用焊料焊接或熔接二擇一的方式進(jìn)行連接，以降低自動(dòng)化機(jī)臺(tái)成本且增進(jìn)制造效率。

如圖5所示，每一個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36的外徑D4大于每一個(gè)繞組14、18、22、24與每一個(gè)屏蔽件16、20的外徑D5(D4>D5)，且每一個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36的內(nèi)徑D3小于每一個(gè)繞組14、18、22、24與每一個(gè)屏蔽件16、20的內(nèi)徑D2(D3<D2)，使得絕緣件26、28、30、32、34、36可于繞組14、18、22、24與屏蔽件16、20之間提供較佳的絕緣效果。較佳地，每一個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36的外側(cè)邊緣與每一個(gè)繞組14、18、22、24及每一個(gè)屏蔽件16、20的外側(cè)邊緣間的距離D7可大于或等于0.2毫米，且每一個(gè)絕緣件26、28、30、32、34、36的內(nèi)側(cè)邊緣與每一個(gè)繞組14、18、22、24及每一個(gè)屏蔽件16、20的內(nèi)側(cè)邊緣間的距離D8可大于或等于0.2毫米，以增進(jìn)絕緣效果，也就是，增加絕緣電阻(insulation resistance)或耐電壓(withstanding voltage)，例如大于3千伏(kV)。

請(qǐng)參閱圖9，圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件2的立體圖。磁性組件2與上述的磁性組件1的主要不同之處在于，磁性組件2的電極平臺(tái)120的連接部122排列成平面型式，使得連接部122的高度實(shí)質(zhì)相同，如圖9所示。

請(qǐng)參閱圖10，圖10為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件3的立體圖。磁性組件3與上述的磁性組件1的主要不同之處在于，磁性組件3的電極平臺(tái)120的連接部122排列成階梯型式，使得連接部122的高度呈梯度變化，如圖10所示。

請(qǐng)參閱圖11以及圖12，圖11為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件4的立體圖，圖12為圖11中的磁性組件4在另一視角的立體圖。磁性組件4與上述的磁性組件1的主要不同之處在于，磁性組件4的電極平臺(tái)120的連接部122排列成側(cè)立型式，使得連接部122的接觸面124朝遠(yuǎn)離支撐座12的底座部131的底面126的方向(非平行底面126的方向)向上延伸。舉例而言，如圖11與圖12所示，連接部122的接觸面124可垂直支撐座12的底面126。于此實(shí)施例中，兩個(gè)連接部122設(shè)置于支撐座12的一側(cè)，且另兩個(gè)連接部122設(shè)置于支撐座12的另一側(cè)。

根據(jù)圖1與圖9至圖12所示的實(shí)施例，本發(fā)明的電極平臺(tái)120的連接部122可排列成平面型式、T字型式、階梯型式或側(cè)立型式，視實(shí)際應(yīng)用而定。

請(qǐng)參閱圖13以及圖14，圖13為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件5的立體圖，圖14為圖13中的磁性組件5的引腳128下壓前的立體圖。磁性組件5與上述的磁性組件1的主要不同之處在于，在磁性組件5中，繞組的繞組端部以機(jī)械方式固定于電極平臺(tái)120的連接部122上。在此實(shí)施例中，繞組的繞組端部位于對(duì)應(yīng)的連接部122的接觸面124下方或位于對(duì)應(yīng)的引腳128的頂面與支撐座12的底面126之間。如圖13與圖14所示，當(dāng)繞組堆疊于支撐座12上時(shí)，本發(fā)明可使用引腳128以機(jī)械方式固定繞組的繞組端部。接著，本發(fā)明可進(jìn)一步用焊料將繞組的繞組端部固定于電極平臺(tái)120的連接部122上。

請(qǐng)參閱圖15，圖15為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件6的立體圖。磁性組件6與上述的磁性組件1的主要不同之處在于，磁性組件6的連接部122的引腳128具有卡槽134，且每一個(gè)繞組的繞組端部卡合于卡槽134中。如圖15所示，當(dāng)繞組堆疊于支撐座12上時(shí)，繞組的繞組端部卡合于卡槽134中，且由卡槽134或其它剪切裝置以機(jī)械方式剪斷。接著，本發(fā)明可進(jìn)一步用焊料將繞組的繞組端部固定于卡槽134中。

請(qǐng)參閱圖16，圖16為八種型式的繞組的示意圖。如圖16A至圖16E所示，上述的一次側(cè)繞組14、22、屏蔽件16、20與輔助繞組24可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用而設(shè)計(jì)成不同型式。舉例而言，繞組14、22、24與屏蔽件16、20可為圓線(xiàn)繞成多圈單層(如圖16A所示)、圓線(xiàn)繞成多圈多層(如圖16B所示)、扁線(xiàn)繞成單圈多層(具有方形截面，如圖16C所示)、扁線(xiàn)繞成多圈單層(如圖16D所示)或扁線(xiàn)繞成多圈多層(如圖16E所示)。此外，繞組14、22、24與屏蔽件16、20可為內(nèi)外繞繞組(如圖16A與圖16D所示)或外外繞繞組(如圖16B、圖16C與圖16E所示)。再者，對(duì)于圖16A、圖16B、圖16D與圖16E而言，繞組的水平圈數(shù)(螺旋數(shù))大于繞組的垂直圈數(shù)(層數(shù))。

此外，如圖16F至圖16H所示，上述的二次側(cè)繞組18可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用而設(shè)計(jì)成不同型式。舉例而言，繞組18可為內(nèi)外繞繞組(如圖16F所示)、外外繞繞組(如圖16G所示)或扁線(xiàn)臥繞繞組(如圖16H所示)。當(dāng)一次側(cè)繞組14、22、二次側(cè)繞組18、屏蔽件16、20或輔助繞組24選擇性地設(shè)計(jì)成圖16A至圖16H所示的繞組型式時(shí)，一次側(cè)繞組14、22、二次側(cè)繞組18、屏蔽件16、20與輔助繞組24可輕易地相互堆疊，使得制造成本與磁性組件的總高度均可大幅降低。

請(qǐng)參閱圖17，圖17為兩種型式的屏蔽件的示意圖。如圖17A與圖17B所示，除了圖16A至圖16E所示的繞組外，上述的屏蔽件16、20也可經(jīng)由沖壓制程沖壓銅箔而制成(如圖17A所示)，或由印刷電路板制成(如圖17B所示)。

請(qǐng)參閱圖18，圖18為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁性組件7的剖面圖。磁性組件7與上述的磁性組件1的主要不同之處在于，磁性組件7的屏蔽件20由印刷電路板制成，使得屏蔽件20的連接端部200具有接觸接點(diǎn)202。在此實(shí)施例中，當(dāng)屏蔽件20堆疊于支撐座12上時(shí)，接觸接點(diǎn)202可以用焊料70固定于引腳128上，使得接觸接點(diǎn)202電性連接于連接部122的引腳128的接觸面124。在此實(shí)施例中，繞組可以印刷電路板的型式來(lái)實(shí)現(xiàn)。同理，繞組的繞組端部可具有朝向連接部的接觸接點(diǎn)。繞組的繞組端部的接觸接點(diǎn)可以用焊料固定于引腳上，使得接觸接點(diǎn)電性連接于連接部的引腳的接觸面。

請(qǐng)參閱圖19以及圖20，圖19為一次側(cè)繞組14、22并聯(lián)時(shí)的等效電路示意圖，圖20為一次側(cè)繞組14、22串聯(lián)時(shí)的等效電路示意圖。如圖19所示，本發(fā)明的一次側(cè)繞組14、22可彼此并聯(lián)。圖20所示，本發(fā)明的一次側(cè)繞組14、22可彼此串聯(lián)。因此，本發(fā)明的一次側(cè)繞組14、22可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用而彼此并聯(lián)或串聯(lián)。

請(qǐng)參閱圖21，圖21為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的繞組14、18、22、24、屏蔽件16、20與絕緣件26、28、30、32、34、36交錯(cuò)地堆疊于支撐座12上的剖面圖。圖21所示的實(shí)施例與圖5所示的實(shí)施例的主要不同之處在于，圖21所示的電極平臺(tái)120還具有擋墻121，使得引腳128夾持于連接部122與擋墻121之間。在此實(shí)施例中，擋墻121可進(jìn)一步增進(jìn)磁性組件的絕緣效果。

需說(shuō)明的是，本發(fā)明的繞組也可以印刷電路板來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，若一次側(cè)繞組與二次側(cè)繞組的圈數(shù)比增加，繞組的印刷電路板層數(shù)便需對(duì)應(yīng)增加，使得制造成本亦會(huì)增加。因此，若繞組的圈數(shù)比較大(例如，大于16:1或20:1)，則本發(fā)明的繞組可使用線(xiàn)材繞成線(xiàn)圈來(lái)實(shí)現(xiàn)，以有效降低制造成本。

綜上所述，本發(fā)明將支撐座設(shè)置于芯體的容置空間中，且將繞組與絕緣件交錯(cuò)地堆疊于支撐座上。由于繞組與絕緣件堆疊于支撐座上，而非纏繞于芯體的中柱的周?chē)@組與絕緣件可預(yù)先形成，且本發(fā)明的磁性組件可以自動(dòng)化方式制造。此外，當(dāng)繞組堆疊于支撐座上時(shí)，繞組的繞組端部設(shè)置且固定于電極平臺(tái)的連接部上而形成電性連接。由于繞組的繞組端部設(shè)置且固定于電極平臺(tái)的連接部上而形成電性連接，因此，本發(fā)明可輕易且有效地達(dá)成磁性組件的自動(dòng)化制造。借此，即可降低制造成本，且增加制造效率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡是依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所做的均等變化與修飾，均應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。