1.一種半導(dǎo)體裝置，其為在同一半導(dǎo)體基板上形成有絕緣柵雙極性晶體管區(qū)和二極管區(qū)，且在所述半導(dǎo)體基板的表面上形成有表面電極的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置的特征在于，
所述絕緣柵雙極性晶體管區(qū)具備：
n型的漂移區(qū)；
n型的勢壘區(qū)，其被形成于所述漂移區(qū)的表面?zhèn)龋?/p>
p型的體區(qū)，其被形成于所述勢壘區(qū)的表面?zhèn)龋?/p>
n型的發(fā)射區(qū)，其被形成于所述體區(qū)的表面?zhèn)?，且與所述表面電極導(dǎo)通；
p型的體接觸區(qū)，其被形成于所述體區(qū)的表面?zhèn)惹遗c所述發(fā)射區(qū)不同的位置處，并且與所述體區(qū)相比雜質(zhì)濃度較高，且與所述表面電極導(dǎo)通；
多個柵極溝槽，其從所述半導(dǎo)體基板的表面起貫穿所述發(fā)射區(qū)、所述體區(qū)和所述勢壘區(qū)并延伸至到達(dá)所述漂移區(qū)的深度為止；
n型的柱區(qū)，其在所述柵極溝槽與所述柵極溝槽之間從所述半導(dǎo)體基板的表面起貫穿所述體區(qū)并延伸至到達(dá)所述勢壘區(qū)的深度為止，且與所述表面電極和所述勢壘區(qū)導(dǎo)通；
所述二極管區(qū)具備：
n型的漂移區(qū)；
n型的勢壘區(qū)，其被形成于所述漂移區(qū)的表面?zhèn)龋?/p>
p型的陽極區(qū)，其被形成于所述勢壘區(qū)的表面?zhèn)龋?/p>
p型的陽極接觸區(qū)，其被形成于所述陽極區(qū)的表面?zhèn)鹊闹辽僖徊糠稚希⑶遗c所述陽極區(qū)相比雜質(zhì)濃度較高，且與所述表面電極導(dǎo)通；
多個柵極溝槽，其從所述半導(dǎo)體基板的表面起至少貫穿所述陽極區(qū)和所述勢壘區(qū)并延伸至到達(dá)所述漂移區(qū)的深度為止；
n型的柱區(qū)，其在所述柵極溝槽與所述柵極溝槽之間從所述半導(dǎo)體基板的表面起貫穿所述陽極接觸區(qū)與所述陽極區(qū)并延伸至到達(dá)所述勢壘區(qū)的深度為止，且與所述表面電極和所述勢壘區(qū)導(dǎo)通，
在對所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行俯視觀察時，存在如下范圍，即，所述柱區(qū)露出于所述半導(dǎo)體基板的表面的柱露出范圍、所述柱區(qū)與所述陽極接觸區(qū)的深部側(cè)相接的柱接觸范圍、所述陽極區(qū)與所述陽極接觸區(qū)的深部側(cè)相接的陽極接觸范圍，
在所述柱接觸范圍與所述陽極接觸范圍所并排的方向上的所述柱接觸范圍的寬度與所述陽極接觸范圍的寬度相比而較窄。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述柱接觸范圍的寬度隨著從所述半導(dǎo)體基板的表面向所述半導(dǎo)體基板的深度方向遠(yuǎn)離而減小，
所述柱接觸范圍的下端部的寬度大于所述柱接觸范圍的上端部的寬度的二分之一。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述陽極接觸區(qū)的雜質(zhì)濃度隨著從所述半導(dǎo)體基板的表面向所述半導(dǎo)體基板的深度方向遠(yuǎn)離而連續(xù)地降低，
所述陽極接觸區(qū)的下端部的雜質(zhì)濃度高于所述陽極接觸區(qū)的上端部的雜質(zhì)濃度的二分之一。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述柱區(qū)具備濃度降低范圍，在所述濃度降低范圍中，雜質(zhì)濃度隨著從所述半導(dǎo)體基板的表面向所述半導(dǎo)體基板的深度方向遠(yuǎn)離而連續(xù)地降低。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
在被形成于所述二極管區(qū)的多個所述柱區(qū)中的、最靠近所述絕緣柵雙極性晶體管區(qū)的所述柱區(qū)中的所述柱接觸范圍的寬度，與所述最靠近的柱區(qū)以外的柱區(qū)中的所述柱接觸范圍的寬度相比而較窄。