本發(fā)明涉及一種通過對被切割物進(jìn)行單片化而制造出的被稱為QFN(Quad Flat Non-leaded Package：方形扁平無引腳封裝)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

將包括印刷電路板、引線框架等的基板虛擬地劃分為格子狀的多個(gè)區(qū)域，在各個(gè)區(qū)域安裝芯片狀的元件(例如半導(dǎo)體芯片)，之后對整個(gè)基板進(jìn)行樹脂密封，將這樣得到的基板稱為已密封基板。通過使用旋轉(zhuǎn)刀等的切割機(jī)構(gòu)對已密封基板進(jìn)行切割，以各個(gè)區(qū)域?yàn)閱挝贿M(jìn)行單片化，這樣得到之物即成為產(chǎn)品。

以往以來，使用切割裝置來通過旋轉(zhuǎn)刀等切割機(jī)構(gòu)對已密封基板的規(guī)定區(qū)域進(jìn)行切割。首先，將已密封基板載置在安裝于切割用臺的切割用夾具之上。接著，對已密封基板進(jìn)行對準(zhǔn)(位置對準(zhǔn))。通過進(jìn)行對準(zhǔn)，來設(shè)定用于劃分多個(gè)區(qū)域的虛擬切割線的位置。接著，使載置了已密封基板的切割用臺與切割機(jī)構(gòu)相對移動(dòng)。向已密封基板的切割位置噴射切削水，并且通過切割機(jī)構(gòu)沿著已密封基板上設(shè)定的切割線對已密封基板進(jìn)行切割。通過對已密封基板進(jìn)行切割來制造單片化的產(chǎn)品(半導(dǎo)體裝置)。

近年來，便攜式電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備日益小型化、多功能化，從而強(qiáng)烈要求一種能夠高密度地安裝的安裝技術(shù)。作為高密度安裝技術(shù)之一，使用包含銅(Cu)、42合金(Fe-Ni)等金屬的引線框架來制造的被稱為QFN的半導(dǎo)體裝置受到關(guān)注。將搭載于引線框架的規(guī)定區(qū)域(芯片焊盤)的多個(gè)半導(dǎo)體芯片統(tǒng)一進(jìn)行樹脂密封，沿著切割線進(jìn)行切割，由此制造QFN。下面，將為了制造QFN而將搭載于引線框架的多個(gè)半導(dǎo)體芯片統(tǒng)一進(jìn)行樹脂密封而成的已密封基板稱為QFN基板，將通過對QFN基板進(jìn)行單片化而制造出的 產(chǎn)品稱為QFN產(chǎn)品。

QFN產(chǎn)品是在產(chǎn)品的外部不具有電連接用的引線的無引線型的產(chǎn)品。由于在產(chǎn)品的外部不具有引線，因此能夠減小產(chǎn)品的安裝面積。在單片化的QFN產(chǎn)品中，芯片焊盤的底面和各引線的底面仍維持進(jìn)行過鍍覆處理的當(dāng)初的狀態(tài)。然而，被旋轉(zhuǎn)刀切割出的各引線的側(cè)面為未進(jìn)行鍍覆處理的原本的金屬露出的狀態(tài)。在將QFN產(chǎn)品與印刷電路板(PCB：Printed Circuit Board)進(jìn)行焊料連接的情況下，焊料難以附著于未進(jìn)行鍍覆處理的引線的側(cè)面。因而，在車載領(lǐng)域等可靠性嚴(yán)格的用途中，在焊接的安裝強(qiáng)度、可靠性上存在問題。

作為防止封裝裝配中的凹部的殘骸的堆積的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，提出了如下一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝：“(略)，具備：半導(dǎo)體設(shè)備，其密封于具有多個(gè)引線的封裝主體，各引線具有露出到封裝外的部分；以及各引線的角的凹部，各凹部具有大致凹面的構(gòu)造，至少部分被潤濕性的材料所填充”(例如參照日本特開2014-11457號公報(bào)的段落[0023]、圖7、圖8)。

根據(jù)該以往技術(shù)，在形成于引線框架112的凹部130處填充潤濕性的材料200或能夠去除的材料300。然而，形成于引線框架112的凹部130的寬度窄且深度淺，因此在凹部130處均勻地填充潤濕性的材料200或能夠去除的材料300在技術(shù)上是非常難的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明用于解決上述問題，其目的在于提供一種通過在作為半導(dǎo)體裝置所具有的與外部連接的連接用端子的引線的底面以及形成于引線的側(cè)面的凹部的表面形成鍍層來在安裝半導(dǎo)體裝置時(shí)增大焊接的安裝強(qiáng)度的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置具備芯片焊盤、配置于芯片焊盤的周圍且與芯片焊盤相離的多個(gè)引線以及安裝于芯片焊盤的頂面的功能元件，至少芯片焊盤、多個(gè)引線以及功能元件被密封樹脂進(jìn)行樹脂密 封，該半導(dǎo)體裝置具備：凹部，其從芯片焊盤的底面一側(cè)形成，形成于多個(gè)引線的側(cè)面的厚度方向上的一部分；以及鍍層，其形成于芯片焊盤的底面、多個(gè)引線的底面以及凹部中的多個(gè)引線的表面，其中，多個(gè)引線的側(cè)面中的厚度方向上的剩余部分的側(cè)面與密封樹脂的側(cè)面存在于同一面。

在上述的半導(dǎo)體裝置中，鍍層也可以至少包括焊料鍍層或金屬鍍層。

在上述的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體裝置也可以是QFN。

在上述的半導(dǎo)體裝置中，也可以是，半導(dǎo)體裝置通過鍍層隔著焊料與電路基板的外部端子連接而安裝于電路基板。

在上述的半導(dǎo)體裝置中，鍍層也可以是通過電鍍形成的。

在上述的半導(dǎo)體裝置中，鍍層也可以是化學(xué)鍍形成的。

為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備以下步驟：準(zhǔn)備引線框架，該引線框架具有排列成矩陣(matrix)狀的芯片焊盤、配置于芯片焊盤的周圍的多個(gè)引線以及將多個(gè)引線彼此連結(jié)的連接條；將功能元件安裝于芯片焊盤的頂面；至少將芯片焊盤、多個(gè)引線、連接條以及功能元件進(jìn)行樹脂密封，由此形成包括引線框架和密封樹脂的被切割物；以及使用切割機(jī)構(gòu)對被切割物進(jìn)行切割，其中，通過對被切割物進(jìn)行切割來單片化從而制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置，進(jìn)行切割的步驟具備以下步驟：使用具有第一厚度的圓板狀的第一旋轉(zhuǎn)刀，沿著連接條從芯片焊盤的底面一側(cè)切削引線框架的總厚度中的一部分，由此形成切削槽；通過對被切割物進(jìn)行鍍覆處理，來至少在芯片焊盤的底面、多個(gè)引線的底面以及切削槽中的多個(gè)引線的表面形成鍍層；以及使用具有小于第一厚度且大于連接條的寬度的第二厚度的圓板狀的第二旋轉(zhuǎn)刀，沿著切削槽來統(tǒng)一切削引線框架的總厚度中的剩余部分和密封樹脂，其中，通過統(tǒng)一切削引線框架的總厚度中的剩余部分和密封樹脂來制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置。

在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以是，在形成鍍層的步驟中，使鍍層至少包括焊料鍍層或金屬鍍層。

在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以是，在形成切削槽的步驟中， 至少在引線框架所包括的端部的構(gòu)件的一部分殘留不形成切削槽的部分，在形成切削槽的步驟中，第一旋轉(zhuǎn)刀的外緣處的相對于被切割物伸出的部分不與引線框架接觸。

在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，特征在于，在形成切削槽的步驟中，在切割機(jī)構(gòu)中安裝第一旋轉(zhuǎn)刀來使用，在統(tǒng)一切削的步驟中，在切割機(jī)構(gòu)中安裝第二旋轉(zhuǎn)刀來使用。

本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法也可以是，在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具備以下步驟：準(zhǔn)備第一切割機(jī)構(gòu)和第二切割機(jī)構(gòu)來作為切割機(jī)構(gòu)；在第一切割機(jī)構(gòu)中安裝第一旋轉(zhuǎn)刀；以及在第二切割機(jī)構(gòu)中安裝第二旋轉(zhuǎn)刀。

在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，半導(dǎo)體裝置也可以是QFN。

在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以在形成鍍層的步驟中使用電鍍。

在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以在形成鍍層的步驟中使用化學(xué)鍍。

根據(jù)本發(fā)明，通過對具有排列成矩陣(matrix)狀的芯片焊盤、配置于芯片焊盤的周圍的多個(gè)引線以及安裝于芯片焊盤的頂面的功能元件的引線框架進(jìn)行樹脂密封，來形成包括引線框架和密封樹脂的被切割物。通過分為2個(gè)階段切削被切割物來制造半導(dǎo)體裝置。在第一個(gè)階段的切削中，通過切削多個(gè)引線的總厚度中的一部分來形成切削槽。在半導(dǎo)體裝置中，通過形成切削槽來在多個(gè)引線的側(cè)面形成凹部，在引線的底面和形成于引線的側(cè)面的凹部的表面形成鍍層。在將半導(dǎo)體裝置安裝于電路基板時(shí)，焊料附著于形成于引線的側(cè)面的一部分的鍍層，由此引線與焊料相連接的連接面積變大。因而，能夠增大半導(dǎo)體裝置的安裝強(qiáng)度(半導(dǎo)體裝置與電路基板的隔著焊料的焊接的接合強(qiáng)度)。

本發(fā)明的上述以及其它目的、特征、方面及優(yōu)點(diǎn)通過結(jié)合附圖而理解的有關(guān)本發(fā)明的下面的詳細(xì)說明會(huì)變得明確。

附圖說明

圖1A是要通過本發(fā)明所涉及的制造方法切削的QFN基板的俯視圖，圖1B是A-A線截面圖。

圖2A是在切削圖1A、圖1B所示的QFN基板時(shí)使用的切割用夾具的俯視圖，圖2B是B-B線截面圖。

圖3A～圖3D是表示通過本發(fā)明所涉及的制造方法切削QFN基板的過程的概要截面圖。

圖4A是對圖1A、圖1B所示的QFN基板進(jìn)行單片化而制造出的QFN產(chǎn)品的仰視圖，圖4B是其主要部分截面圖，圖4C是圖4B所示的引線部分的放大圖。

圖5A是表示將QFN產(chǎn)品安裝于印刷電路板之前的狀態(tài)的概要截面圖，圖5B是表示將QFN產(chǎn)品安裝于印刷電路板之后的狀態(tài)的概要截面圖。

圖6A、圖6B是分別表示在QFN基板形成有切削槽的狀態(tài)的俯視圖。

圖7A、圖7B是分別表示在具有包括多個(gè)塊的密封樹脂的QFN基板形成有切削槽的狀態(tài)的俯視圖。

圖8是表示在制造本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)使用的切割裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

附圖標(biāo)記說明

1：QFN基板(被切割物)；2：引線框架；3：半導(dǎo)體芯片(功能元件)；4：芯片焊盤；4a：底面；5：引線；5a：底面；5b：側(cè)面；5c：突出面；5d：突出側(cè)面；6：連接條；7：鍵合線；8：密封樹脂；9、10：切割線；11：區(qū)域；12：切割用臺；13：切割用夾具；14：金屬板；15：樹脂片；16：突起部；17：吸附孔；18：空間；19、20：切割槽；21：旋轉(zhuǎn)刀(第一旋轉(zhuǎn)刀)；22：切削槽；23：鍍層；24：旋轉(zhuǎn)刀(第二旋轉(zhuǎn)刀)；25：切削痕跡；26：QFN產(chǎn)品(半導(dǎo)體裝置)；27：凹部；28：印刷電路板(電路基板)；29：第一連接盤(外部端子)；30：第二連接盤(外部端子)；31A：膏狀焊料(焊料)；31B： 已凝固焊料(焊料)；32a、32b、32c、32d：邊角料部分(端部的構(gòu)件)；33a、33b：區(qū)域；34A、34B：切割裝置；35：準(zhǔn)備臺；36：移動(dòng)機(jī)構(gòu)；37：旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；38：主軸(切割機(jī)構(gòu)、第一切割機(jī)構(gòu)、第二切割機(jī)構(gòu))；39：檢查用臺；40：電鍍處理裝置；41：已切削的QFN基板；A：接受部；B：切割部；C：送出部；CTL：控制部。

具體實(shí)施方式

如圖3A～圖3D所示，使用比通常的旋轉(zhuǎn)刀24厚的旋轉(zhuǎn)刀21，在QFN基板1所具有的引線框架2的連接條6處切削總厚度中的規(guī)定的厚度部分來形成切削槽22。接著，通過電鍍處理在引線框架2的底面和切削槽22中的引線框架2的表面形成鍍層23。接著，使用具有通常的厚度的旋轉(zhuǎn)刀24將QFN基板1的連接條6處的剩余的厚度部分和密封樹脂8的總厚度部分統(tǒng)一進(jìn)行切削。分為2個(gè)階段對QFN基板1進(jìn)行切削，以將連接條6全部去除，由此制造QFN產(chǎn)品26。在QFN產(chǎn)品26中，能夠在引線5的底面和形成于引線5的側(cè)面的凹部27的表面穩(wěn)定地形成鍍層23。

【實(shí)施例1】

參照圖1A～圖5B來說明本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例1。為了便于理解，本申請書中的每個(gè)圖都是適當(dāng)省略或夸張地示意性地描繪的。對同一結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注同一標(biāo)記，適當(dāng)省略說明。

如圖1A所示，QFN基板1是最終要被切削來單片化的被切割物。QFN基板1具有引線框架2。在引線框架2中，分別搭載有半導(dǎo)體芯片(功能元件)3的半導(dǎo)體芯片搭載部(芯片焊盤)4排列成矩陣(matrix)狀。引線框架2包含銅(Cu)、42合金(Fe-Ni)等金屬。在引線框架2的表面預(yù)先形成有無鉛的金屬鍍層或無鉛的焊料鍍層(未圖示)的情況多。在各芯片焊盤4的周圍配置有作為與外部連接的連接用端子的大量的引線5。在圖1A中，示出了在芯片焊盤4的周圍的各邊分別配置有4個(gè)與半導(dǎo)體芯片3的電極(未圖示)連接的引線5的情況。配置于各芯片焊盤4的周圍的大量的引線5與連接條6分別連接，該連接條6是在引線 框架2中排列成格子狀的金屬框。連接條6是排列成具有0.2mm左右的寬度的格子狀的金屬框。

在通常使用的QFN基板中，在引線框架的表面形成有無鉛的鍍層的情況多，但是在實(shí)施例1中，示出在引線框架2的表面未形成鍍層的實(shí)施方式。

如圖1B所示，在各芯片焊盤4的頂面分別搭載有半導(dǎo)體芯片3。在引線框架2中，將搭載半導(dǎo)體芯片3的一側(cè)的面稱為頂面，將未搭載半導(dǎo)體芯片3的一側(cè)的面稱為底面(在QFN基板1中也相同)。設(shè)置于各半導(dǎo)體芯片3的多個(gè)電極(未圖示)經(jīng)由包括金線或銅線的鍵合線(bonding wire)7而與配置于芯片焊盤4的周圍的各個(gè)引線5電連接。引線框架2的芯片焊盤4上搭載的所有半導(dǎo)體芯片3和鍵合線7被密封樹脂8統(tǒng)一進(jìn)行樹脂密封。QFN基板1是包括引線框架2和密封樹脂8的被切割物。

在圖1A中，示出了排列有沿著長邊方向(圖中上下方向)4個(gè)、沿著短邊方向(圖中左右方向)3個(gè)、合計(jì)12個(gè)芯片焊盤4的引線框架2。如圖1A所示，在QFN基板1中，在沿著長邊方向延伸的連接條6的中心線上設(shè)定有沿著長邊方向延伸的多個(gè)切割線9。同樣地，在沿著短邊方向延伸的連接條6的中心線上設(shè)定有沿著短邊方向延伸的多個(gè)切割線10。多個(gè)切割線9和多個(gè)切割線10是在QFN基板1中虛擬地設(shè)定的格子狀的切割線。

如圖1B所示，切割線9和切割線10處的QFN基板1的切割部的構(gòu)造是在包含金屬的連接條6之上形成有密封樹脂8的多層構(gòu)造體(2層構(gòu)造體)。因而，通過對連接條6與密封樹脂8層疊而成的多層構(gòu)造體進(jìn)行切削，來對QFN基板1進(jìn)行單片化。由多個(gè)切割線9和多個(gè)切割線10包圍的多個(gè)區(qū)域11分別與單片化后的QFN產(chǎn)品對應(yīng)。

如圖2A、圖2B所示，切割用臺12是用于在切割裝置中切削QFN基板1來進(jìn)行單片化的臺。切割用臺12上安裝有與產(chǎn)品對應(yīng)的切割用夾具13。切割用夾具13具備金屬板14以及固定在金屬板14之上的樹脂片15。要求樹脂片15具有適度的柔軟性以緩和機(jī)械性沖擊。優(yōu)選的是，樹脂片15例如由硅類樹脂、氟類樹脂等形成。為了降低切割裝置的運(yùn)用成本，使切割用臺12相對于多個(gè) 產(chǎn)品通用化，與產(chǎn)品的大小、數(shù)量對應(yīng)地更換切割用夾具13。在生產(chǎn)量多到某種程度的情況下，與使用粘著片的情況相比，使用切割用夾具13更能夠抑制運(yùn)用成本。

在切割用夾具13的樹脂片15上設(shè)置有分別吸附保持QFN基板1中的多個(gè)區(qū)域11的多個(gè)臺地狀的突起部16。在圖2A中，設(shè)置有沿著長邊方向6個(gè)、沿著短邊方向3個(gè)、合計(jì)18個(gè)突起部16。切割用夾具13上分別設(shè)置有從多個(gè)突起部16的表面將樹脂片15與金屬板14貫通的多個(gè)吸附孔17。多個(gè)吸附孔17與設(shè)置于切割用臺12的空間18分別連接。切割用臺12的空間18與設(shè)置于外部的吸引機(jī)構(gòu)(未圖示)連接。QFN基板1中的多個(gè)區(qū)域11被分別對應(yīng)的吸附孔17吸附到切割用夾具13上。

如圖2A所示，例如，以與圖1A、圖1B所示的沿著QFN基板1的長邊方向延伸的切割線9對應(yīng)的方式設(shè)置沿著長邊方向延伸的多個(gè)切割槽19。同樣地，以與沿著短邊方向延伸的切割線10對應(yīng)的方式設(shè)置沿著短邊方向延伸的多個(gè)切割槽20。多個(gè)切割槽19形成為沿著樹脂片15(切割用夾具13)的長邊方向延伸、沿著短邊方向并排。多個(gè)切割槽20形成為沿著樹脂片15(切割用夾具13)的短邊方向延伸、沿著長邊方向并排。

如圖2B所示，以QFN基板1中的引線框架2一側(cè)的面(底面)為上，將QFN基板1載置于切割用臺12。在將QFN基板1載置于切割用臺12的狀態(tài)下，QFN基板1的各區(qū)域11分別被載置在固定于切割用臺12之上的吸附夾具13的突起部16之上。因而，沿著QFN基板1的長邊方向延伸的多個(gè)切割線9被配置在沿著吸附夾具13的長邊方向延伸的多個(gè)切割槽19之上。同樣地，沿著QFN基板1的短邊方向延伸的多個(gè)切割線10被配置在沿著吸附夾具13的短邊方向延伸的多個(gè)切割槽20之上。在將QFN基板1載置于切割用臺12的規(guī)定位置的狀態(tài)下，QFN基板1的各區(qū)域11被設(shè)置于切割用夾具13的各吸附孔17分別吸附。切割用夾具13分別吸附各區(qū)域11，由此QFN基板1固定于切割用臺12。

參照圖3A～圖3D來說明通過本發(fā)明所涉及的制造方法對QFN基板1進(jìn)行切削來單片化的步驟。首先，如圖3A所示，在切割裝置中，以QFN基板1所 具有的引線框架2一側(cè)的面為上，將QFN基板1載置在設(shè)置于切割裝置的切割用臺12(參照圖2B)上。切割用臺12上安裝有切割用夾具13。設(shè)定于QFN基板1的切割線被配置在形成于吸附夾具13的切割槽之上。在該狀態(tài)下，將QFN基板1吸附固定于切割用臺12。

接著，如圖3B所示，使用設(shè)置于切割機(jī)構(gòu)(未圖示)的旋轉(zhuǎn)刀21來切削QFN基板1所具有的引線框架2的總厚度中的規(guī)定的厚度部分。例如，使旋轉(zhuǎn)刀21以30000rpm～40000rpm左右高速旋轉(zhuǎn)。在QFN基板1的外側(cè)，使旋轉(zhuǎn)刀21的下端下降到QFN基板1所具有的引線框架2的規(guī)定的深度位置。通過使旋轉(zhuǎn)刀21在X方向上移動(dòng)，來使旋轉(zhuǎn)刀21與沿著QFN基板1的長邊方向延伸的切割線9的位置對準(zhǔn)。在該階段，旋轉(zhuǎn)刀21不與QFN基板1接觸。

接著，使用移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)來使載置于切割用臺12(參照圖2B)的QFN基板1在Y方向上移動(dòng)。由此，高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21與QFN基板1接觸。通過高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的切割線9來切削引線框架2的總厚度中的規(guī)定的厚度部分。由此，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的切割線9形成切削槽22。優(yōu)選的是，通過沿著設(shè)定于QFN基板1的切割線切削引線框架2的總厚度中的1/2～2/3左右的厚度部分，來形成切削槽22。

如后所述，在QFN基板1中，對引線框架2的露出金屬的部分實(shí)施電鍍處理。因而，需要在引線框架2殘留固定的厚度部分以在引線框架2的整個(gè)面電導(dǎo)通。在切削引線框架2的步驟中，使用比通常使用的旋轉(zhuǎn)刀的厚度厚的旋轉(zhuǎn)刀21來形成切削槽22。例如，在切割裝置中，如果處于通常使用0.3mm的厚度的旋轉(zhuǎn)刀的情況，則優(yōu)選使用具有0.4mm～0.5mm左右的厚度的旋轉(zhuǎn)刀21。換言之，優(yōu)選使切削槽22的寬度比通常切割的寬度寬。

在圖3A～圖3D中，首先，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的多個(gè)切割線9在引線框架2中形成多個(gè)切削槽22。接著，使QFN基板1旋轉(zhuǎn)90度，沿著沿QFN基板1的短邊方向延伸的多個(gè)切割線10在引線框架2中形成多個(gè)切削槽22。由此，在QFN基板1所具有的引線框架2中，形成切削成格子狀的切削槽22。

接著，如圖3C所示，從切割裝置取出QFN基板1。例如，使用電鍍處理裝置對QFN基板1實(shí)施電鍍處理。由此，在QFN基板1所具有的引線框架2中，在露出金屬的部分(露出部)形成鍍層23。具體地說，在QFN基板1中，在芯片焊盤4的底面、各引線5的底面以及沿著多個(gè)切割線形成的多個(gè)切削槽22的表面形成鍍層23。在圖3A～圖3D中，以QFN基板1所具有的引線框架2一側(cè)的面(底面)為上，因此芯片焊盤4的底面和各引線5的底面向上。

作為電鍍處理，優(yōu)選實(shí)施無鉛的焊料鍍覆處理。例如，實(shí)施錫-銅(Sn-Cu)系、錫-銀(Sn-Ag)系、錫-鉍(Sn-Bi)系等焊料鍍覆處理。引線框架2所包括的格子狀的連接條6沒有被切削總厚度而殘留了固定的厚度部分。引線框架2通過格子狀的連接條6而整個(gè)面均進(jìn)行連接，因此能夠?qū)σ€框架2的整個(gè)面上的露出部實(shí)施電鍍處理。在本實(shí)施例中，通過該步驟在引線框架2的露出部形成鍍層23。因而，在準(zhǔn)備引線框架2的步驟中，可以不預(yù)先形成無鉛的鍍層。不限于此，也可以在引線框架2預(yù)先形成無鉛的金屬鍍層或焊料鍍層。

接著，如圖3D所示，將完成電鍍處理的QFN基板1再次送入到切割裝置。在切割裝置中，將QFN基板1載置于切割用臺12(參照圖2B)。使用設(shè)置于切割機(jī)構(gòu)(未圖示)的旋轉(zhuǎn)刀24來統(tǒng)一切削QFN基板1所具有的引線框架2的剩余的厚度部分和密封樹脂8的總厚度部分。例如，使旋轉(zhuǎn)刀24以30000rpm～40000rpm左右高速旋轉(zhuǎn)。在QFN基板1的外側(cè)，使旋轉(zhuǎn)刀24的下端下降到比QFN基板1所具有的密封樹脂8的頂面(圖3A～圖3D中下側(cè)的面)靠下的位置。通過使旋轉(zhuǎn)刀24在X方向上移動(dòng)，來使旋轉(zhuǎn)刀24與沿著QFN基板1的長邊方向延伸的切割槽22的位置對準(zhǔn)。在該階段，旋轉(zhuǎn)刀24不與QFN基板1接觸。

接著，使用移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)來使載置于切割用臺12的QFN基板1在Y方向上移動(dòng)。由此，高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)刀24與QFN基板1接觸。通過高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)刀24，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的切削槽22來統(tǒng)一切削引線框架2的剩余的厚度部分和密封樹脂8的總厚度部分。由此，沿著QFN基板1的長邊方向形成切削掉與QFN基板1的總厚度相當(dāng)?shù)牟糠趾蟮那邢骱圹E25。

接著，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的多個(gè)切削槽22形成多個(gè)切削痕跡25。使QFN基板1旋轉(zhuǎn)90度，沿著沿QFN基板1的短邊方向延伸的多個(gè)切削槽22形成多個(gè)切削痕跡25。由此，在QFN基板1形成切削成格子狀的切削痕跡25。被多個(gè)切削痕跡25包圍的區(qū)域與QFN產(chǎn)品26相當(dāng)。

在本實(shí)施例中，使用厚度不同的2種旋轉(zhuǎn)刀21、24來分2個(gè)階段切削QFN基板1。旋轉(zhuǎn)刀24是具有通常的厚度的旋轉(zhuǎn)刀，旋轉(zhuǎn)刀21是具有比旋轉(zhuǎn)刀24厚的厚度的旋轉(zhuǎn)刀。旋轉(zhuǎn)刀24的厚度小于切削槽22的寬度且大于連接條6的寬度。因而，即使使用旋轉(zhuǎn)刀24來沿著切削槽22切削QFN基板1，形成于切削槽22的側(cè)面的鍍層23也不會(huì)被旋轉(zhuǎn)刀24削掉。除此以外，連接條6被全部去除。因而，QFN產(chǎn)品26的各引線5具備在各引線5的側(cè)面具有形成有鍍層23的凹部27的構(gòu)造。在QFN產(chǎn)品26中，引線5的底面和形成于引線5的側(cè)面的凹部27的表面具有連續(xù)的鍍層23。

如圖4A～圖4C所示，通過對QFN基板1進(jìn)行切削來單片化，由此制造QFN產(chǎn)品26。QFN基板1是使用厚度比連接條6的寬度厚的旋轉(zhuǎn)刀24來切削的。旋轉(zhuǎn)刀24的厚度比連接條6的寬度厚，因此通過旋轉(zhuǎn)刀24，連接條6在總寬度上都被切削掉。在QFN基板1的切削完成之后，連接條6被完全去除。因而，如圖4A、圖4B所示，單片化后的QFN產(chǎn)品26的各引線5變?yōu)榕c連接條6分別分離而在電氣上獨(dú)立的端子。作為在電氣上獨(dú)立的端子的各引線5經(jīng)由鍵合線7而與形成于半導(dǎo)體芯片3的電極(未圖示)分別連接。QFN產(chǎn)品26是在俯視的情況下在產(chǎn)品的外部不具有電連接用的引線的無引線型的產(chǎn)品。

如圖4C所示，在QFN產(chǎn)品26中，在各引線5的側(cè)面分別形成有凹部27。各引線5具有包含金屬的底面5a、側(cè)面5b、突出面5c以及突出側(cè)面5d。在引線5的底面5a、側(cè)面5b以及突出面5c連續(xù)地形成有鍍層23。在引線5的突出側(cè)面5d未形成鍍層，原本的金屬露出。引線5的突出側(cè)面5d與密封樹脂8的側(cè)面存在于同一面(圖4C中的鉛直面)。

在本實(shí)施例中，在QFN產(chǎn)品26的引線5的底面5a、側(cè)面5b以及突出面5c連續(xù)地形成有鍍層23，因此作為用于與外部電連接的端子的引線5中的鍍覆 形成區(qū)域變大。因而，能夠提高對QFN產(chǎn)品26進(jìn)行焊料連接時(shí)的焊料潤濕性。由于焊料潤濕性提高，因此能夠使焊料填角(fillet)的形狀良好從而增大將QFN產(chǎn)品26安裝于印刷電路板時(shí)的安裝強(qiáng)度。

如圖5A所示，QFN產(chǎn)品26例如通過焊料連接于印刷電路板(PCB)28等來使用。QFN產(chǎn)品26是以密封樹脂8一側(cè)為上且以芯片焊盤4一側(cè)為下而安裝于印刷電路板28的。在印刷電路板28中，在與QFN產(chǎn)品26的芯片焊盤4對應(yīng)的位置形成第一連接盤(作為散熱部而發(fā)揮功能的外部端子)29。在與各引線5對應(yīng)的位置分別形成第二連接盤(外部端子)30。在第一連接盤29和第二連接盤30之上，通過絲網(wǎng)印刷等涂敷有膏狀焊料31A。

如圖5B所示，在使QFN產(chǎn)品26的芯片焊盤4的位置對準(zhǔn)第一連接盤29之上、使QFN產(chǎn)品26的各引線5的位置對準(zhǔn)第二連接盤30之上的狀態(tài)下，將QFN產(chǎn)品26載置在印刷電路板28之上。在該狀態(tài)下，將印刷電路板28和QFN產(chǎn)品26放入回流焊爐來進(jìn)行熱處理。膏狀焊料31A因熱而熔化，由此將芯片焊盤4與第一連接盤29連接，將各引線5與第二連接盤30分別連接。膏狀焊料31A被冷卻后變?yōu)橐涯毯噶?1B，由此QFN產(chǎn)品26安裝于印刷電路板28。

在QFN產(chǎn)品26中，在引線5的底面5a、側(cè)面5b以及突出面5c形成有鍍層23(參照圖4C)。涂敷于印刷電路板28的第二連接盤30的膏狀焊料31A與形成于QFN產(chǎn)品26的引線5的鍍層23相接觸的面積增加。因而，被已凝固焊料31B所連接的面積增加，因此能夠增大安裝強(qiáng)度。并且，膏狀焊料31A還上升至引線5的側(cè)面5b，因此焊料潤濕性提高。因而，焊料填角的形狀變?yōu)榱己玫男螤?，因此能夠提高焊料連接的可靠性。除此以外，能夠延長焊料連接的壽命。并且，即使處于如車載用途等那樣環(huán)境嚴(yán)峻的狀況(例如，高溫、低溫、高濕、振動(dòng)等)，也難以發(fā)生焊料不良，因此QFN產(chǎn)品26的可靠性提高。

根據(jù)本實(shí)施例，首先，使用切割裝置來切削QFN基板1所具有的引線框架2的總厚度中的規(guī)定的厚度部分。使用厚度比通常的旋轉(zhuǎn)刀24厚的旋轉(zhuǎn)刀21來在引線框架2中形成切削槽22。接著，使用電鍍處理裝置對QFN基板1實(shí)施電鍍處理，由此在引線框架2的底面和切削槽22的表面形成鍍層23。接著， 再次使用切割裝置來統(tǒng)一切削QFN基板1所具有的引線框架2的剩余的厚度部分和密封樹脂8的總厚度部分。通過使用具有通常的厚度的旋轉(zhuǎn)刀24對QFN基板1進(jìn)行單片化來制造QFN產(chǎn)品26。通過這種簡單的制造方法，能夠在QFN產(chǎn)品26中在引線5的底面和形成于引線5的側(cè)面的凹部27的表面穩(wěn)定地形成鍍層23。

根據(jù)本實(shí)施例，在QFN產(chǎn)品26中，能夠在引線5的底面和形成于引線5的側(cè)面的凹部27的表面通過相同的步驟穩(wěn)定地形成鍍層23。因而，能夠增大在作為QFN產(chǎn)品26的電極的引線5處形成的鍍覆形成區(qū)域的面積。在將QFN產(chǎn)品26安裝于印刷電路板28時(shí)，能夠增大QFN產(chǎn)品26的引線5與膏狀焊料31A相接觸的鍍覆形成區(qū)域。因而，將引線5與已凝固焊料31B連接的連接面積變大，因此能夠增大QFN產(chǎn)品26的安裝強(qiáng)度。

根據(jù)本實(shí)施例，在QFN產(chǎn)品26中，能夠在引線5的底面和形成于引線5的側(cè)面的凹部27的表面通過相同的步驟穩(wěn)定地形成鍍層23。在將QFN產(chǎn)品26安裝于印刷電路板28時(shí)，引膏狀焊料31A還上升至線5的側(cè)面，因此焊料潤濕性提高。焊料填角的形狀變?yōu)榱己玫男螤?，因此能夠提高焊料連接的可靠性。除此以外，能夠延長焊料連接的壽命。并且，即使處于如車載用途等那樣環(huán)境嚴(yán)峻的狀況，也難以發(fā)生焊料不良，因此QFN產(chǎn)品26的可靠性提高。

根據(jù)本實(shí)施例，使用切割裝置來分2個(gè)階段切削QFN基板1，由此制造QFN產(chǎn)品26。在切削QFN基板1時(shí)，能夠使用相同的切割用夾具13來進(jìn)行切削。由于未采用使用粘著帶來進(jìn)行切削的方法，因此要處理的QFN基板1的數(shù)量越大越能夠抑制材料成本。通過削減材料成本，能夠降低QFN產(chǎn)品26的制造成本。

【實(shí)施例2】

參照圖6A、圖6B、圖7A、圖7B來分別說明對本發(fā)明所涉及的QFN基板1進(jìn)行電鍍處理的方法。圖6A、圖6B所示的QFN基板1是沿著長邊方向排列有9個(gè)芯片焊盤4、沿著短邊方向排列有3個(gè)芯片焊盤4的QFN基板。圖6A、圖6B、圖7A、圖7B均省略了引線的圖示。

關(guān)于圖6A，例如在俯視時(shí)形成有密封樹脂8的區(qū)域(圖中以虛線包圍的區(qū)域)的部分形成有切削槽22(圖中以實(shí)線表示的部分)。因而，引線框架2所包括的邊角料部分32a、32b、32c、32d(圖中以陰影表示的部分)處未形成切削槽22。在該情況下，在QFN基板1的內(nèi)側(cè)的各切割線(實(shí)際切削的部分)的其中一端，使旋轉(zhuǎn)刀21為下切(向下削)的狀態(tài)，使用旋轉(zhuǎn)刀21來開始切削引線框架2。換言之，使旋轉(zhuǎn)刀21的外緣進(jìn)入引線框架2的上表面的部分(進(jìn)入的部分)為有助于切削引線框架2的狀態(tài)，使用旋轉(zhuǎn)刀21來開始切削引線框架2。沿著沿引線框架2的長邊方向延伸的切割線9和沿短邊方向延伸的切割線10，使旋轉(zhuǎn)刀21為下切狀態(tài)來切削引線框架2。由此，分別沿著引線框架2的長邊方向和短邊方向來分別形成多條切削槽22。

如下那樣設(shè)定開始切削引線框架2的時(shí)間點(diǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21的位置。以使切削完引線框架2的旋轉(zhuǎn)刀21的外緣相對于包含引線框架2的上表面的面向上方伸出的部分(伸出的部分)位于引線框架2的外側(cè)(外部)的方式設(shè)定旋轉(zhuǎn)刀21的位置。在從各切割線的其中一端到另一端形成切削槽22的過程中，旋轉(zhuǎn)刀21的伸出的部分不與引線框架2接觸。換言之，旋轉(zhuǎn)刀21的伸出的部分完全無助于切削引線框架2。因而，根據(jù)本實(shí)施例，與使旋轉(zhuǎn)刀21為上切(向上削)的狀態(tài)來切削引線框架2的情況相比，能夠防止產(chǎn)生毛刺。換言之，根據(jù)本實(shí)施例，與旋轉(zhuǎn)刀21的伸出的部分有助于切削引線框架2的情況相比，能夠防止產(chǎn)生毛刺。

電鍍法如下：在電解溶液中設(shè)置2個(gè)電極(陽極、陰極)，在這2個(gè)電極之間施加電壓來在陰極形成金屬覆膜(鍍層)。在圖6A中，在引線框架2的邊角料部分32a、32b、32c、32d處沒有形成切削槽22。因而，在電鍍法中，陰極側(cè)的端子夾具能夠穩(wěn)定地抓住引線框架2的邊角料部分32a、32b、32c、32d中的任一個(gè)邊角料部分。并且，陰極側(cè)的端子夾具能夠?qū)⒁€框架2的邊角料部分32a、32b、32c、32d這4個(gè)位置全部抓住，因此能夠使流過引線框架2的電流分布均勻。因而，起到抑制鍍層23的膜厚的偏差的效果。

圖6B是僅在引線框架2的其中一個(gè)長邊處的邊角料部分32a(圖中以陰影 表示的部分)處不形成切削槽22的情況。如果是該情況，則如實(shí)施例1所示，在QFN基板1的外側(cè)，以使旋轉(zhuǎn)刀21的下端下降到引線框架2的規(guī)定的深度位置的狀態(tài)開始切削引線框架2。將開始切削引線框架2的時(shí)間點(diǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21的位置設(shè)定為與圖6A所示的情況相同的位置。在圖6B所示的情況下，也是由為下切狀態(tài)的旋轉(zhuǎn)刀21對引線框架2進(jìn)行切削，因此能夠得到防止產(chǎn)生毛刺的效果。

圖7A所示的QFN基板1是在引線框架2之上形成有分割為3個(gè)塊的密封樹脂8a、8b、8c的QFN基板。將開始切削引線框架2的時(shí)間點(diǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21的位置設(shè)定為與圖6A所示的情況相同的位置。由為下切狀態(tài)的旋轉(zhuǎn)刀21對引線框架2進(jìn)行切削，因此能夠得到防止產(chǎn)生毛刺的效果。除此以外，與圖6A、圖6B所示的情況同樣地，在俯視時(shí)形成有密封樹脂8a、8b、8c的區(qū)域(圖中以虛線包圍的區(qū)域)的部分形成切削槽22(圖中以實(shí)線表示的部分)。因而，在引線框架2所包括的邊角料部分32a、32b、32c、32d、密封樹脂8a與8b之間的區(qū)域33a以及密封樹脂8b與8c之間的區(qū)域33b處沒有形成切削槽22。由于設(shè)置密封樹脂之間的區(qū)域33a、33b，因此能夠使流過引線框架2的電流分布更加均勻來抑制鍍層23的膜厚的偏差。

圖7B與圖6B同樣地表示僅在引線框架2的其中一個(gè)長邊處的邊角料部分32a(圖中以陰影表示的部分)處不形成切削槽22的情況。將開始切削引線框架2的時(shí)間點(diǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21的位置設(shè)定為與圖6A所示的情況相同的位置。在該情況下，也與圖6B所示的情況同樣地，由為下切狀態(tài)的旋轉(zhuǎn)刀21對引線框架2進(jìn)行切削，因此能夠得到防止產(chǎn)生毛刺的效果。

此外，在圖6A、圖6B、圖7A、圖7B中，在引線框架2所包括的所有邊角料部分32a、32b、32c、32d或一部分邊角料部分32a處不形成切削槽22。不限于此，也可以在引線框架2所包括的所有邊角料部分32a、32b、32c、32d處形成切削槽22。在該情況下，引線框架2的厚度方向上的一部分殘留，因此引線框架2的所有部分電導(dǎo)通。因而，能夠?qū)σ€框架2實(shí)施電鍍處理。

【實(shí)施例3】

參照圖8來說明在制造本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)使用的切割裝置。如圖8所示，切割裝置34A例如是將作為被切割物的QFN基板1單片化為多個(gè)QFN產(chǎn)品26的裝置。切割裝置34A具備接受部A、切割部B以及送出部C來分別作為結(jié)構(gòu)要素。各結(jié)構(gòu)要素(接受部A、切割部B、送出部C)分別是能夠更換的，且相對于其它結(jié)構(gòu)要素能夠裝卸。

接受部A中設(shè)置有準(zhǔn)備臺35。從作為前步驟的裝置的樹脂密封裝置接受QFN基板1。QFN基板1以密封樹脂8一側(cè)為下地配置于準(zhǔn)備臺35。接受部A中設(shè)置有設(shè)定切割裝置34A的動(dòng)作、切割條件等來進(jìn)行控制的控制部CTL。

圖8所示的切割裝置34A是單切臺方式的切割裝置。因而，切割部B中設(shè)置有1個(gè)切割用臺12。切割用臺12能夠通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)36在圖的Y方向上移動(dòng)，且能夠通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)37在θ方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。切割用臺12上安裝有切割用夾具13(參照圖2A、圖2B)，QFN基板1載置并吸附于切割用夾具13之上。

切割部B中設(shè)置有主軸38作為切割機(jī)構(gòu)。切割裝置34A是設(shè)置有1個(gè)主軸38的單主軸結(jié)構(gòu)的切割裝置。主軸38能夠獨(dú)立地在X方向和Z方向上移動(dòng)。在切割裝置34A中，主軸38上安裝有旋轉(zhuǎn)刀21(參照圖3B)。旋轉(zhuǎn)刀21是具有比通常使用的旋轉(zhuǎn)刀厚的厚度的旋轉(zhuǎn)刀。主軸38上設(shè)置有噴射切削水的切削水用噴嘴(未圖示)以抑制因高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)刀21而產(chǎn)生的摩擦熱。通過使切割用臺12與主軸38相對移動(dòng)，來切削QFN基板1所具有的引線框架2(參照圖3B)的總厚度中的規(guī)定的厚度部分。旋轉(zhuǎn)刀21通過在包含Y方向和Z方向的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)來切削QFN基板1。

送出部C中設(shè)置有檢查用臺39。切削掉引線框架2的規(guī)定的厚度部分后的QFN基板1載置于檢查用臺39。在切割裝置34A中，通過檢查用的照相機(jī)(未圖示)來檢查切削槽22(參照圖3B)的狀態(tài)。檢查后的QFN基板1被輸送到下一步驟(例如電鍍處理裝置40)。

在電鍍處理裝置40中，對QFN基板1進(jìn)行電鍍處理。由此，在QFN基板1所具有的引線框架2的底面和切削槽22的表面形成鍍層23(參照圖3C)。電鍍處理后的QFN基板1被輸送到下一步驟(例如切割裝置34B)。

切割裝置34B是與切割裝置34A結(jié)構(gòu)完全相同的裝置。切割裝置34B與切割裝置34A的差異僅是安裝于主軸38的旋轉(zhuǎn)刀的厚度不同。除此以外的結(jié)構(gòu)、動(dòng)作相同，因此省略說明。

在切割裝置34B的切割部B中，切削掉引線框架2的規(guī)定的厚度部分后的QFN基板1被載置并吸附于切割用臺12之上。在切割裝置34B中，主軸38上安裝有具有通常的厚度的旋轉(zhuǎn)刀24(參照圖3D)。通過使切割用臺12與主軸38相對移動(dòng)，來統(tǒng)一切削QFN基板1所具有的引線框架2的剩余的厚度部分和密封樹脂8的總厚度部分。通過分2個(gè)階段切削QFN基板1，來制造QFN產(chǎn)品26(參照圖3D)。

在切割裝置34B的送出部C中，包括對QFN基板1進(jìn)行切削來單片化而得到的多個(gè)QFN產(chǎn)品26的集合體、即已切削的QFN基板41載置于檢查用臺39。通過檢查用的照相機(jī)(未圖示)對多個(gè)QFN產(chǎn)品26進(jìn)行檢查，篩選為良品和不良品。良品被收容于托盤(未圖示)。

在本實(shí)施例中，首先，使用切割裝置34A來在QFN基板1所具有的引線框架2中形成切削槽22。接著，使用切割裝置34B來對QFN基板1進(jìn)行切削來單片化。也就是說，通過使用2臺切割裝置34A、34B來制造出QFN產(chǎn)品26。不限于此，能夠使用1臺切割裝置來制造QFN產(chǎn)品26。在該情況下，將安裝于主軸38的旋轉(zhuǎn)刀分為通常厚度的旋轉(zhuǎn)刀24和厚度比通常厚度厚的旋轉(zhuǎn)刀21來使用。由此，能夠使用1臺切割裝置來對QFN基板1進(jìn)行單片化以制造QFN產(chǎn)品26。

在本實(shí)施例中，說明了單切臺方式的單主軸結(jié)構(gòu)的制造裝置34A、34B。不限于此，在單切臺方式的雙主軸結(jié)構(gòu)的切割裝置、雙切臺方式的雙主軸結(jié)構(gòu)的切割裝置等中也能夠應(yīng)用本發(fā)明。在雙主軸結(jié)構(gòu)的切割裝置中，也可以在1個(gè)主軸上安裝旋轉(zhuǎn)刀21，在其它主軸上安裝旋轉(zhuǎn)刀24。

作為切割裝置，也可以構(gòu)成為將切割裝置34A、切割裝置34B以及電鍍處理裝置40分別模塊化，使這3個(gè)模塊能夠相互裝卸。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一，能夠在事后對具有與切割裝置34A及切割裝置34B分別相當(dāng)?shù)?個(gè)模塊(切割 模塊)的1臺切割裝置追加與電鍍處理裝置40相當(dāng)?shù)哪K(鍍覆模塊)。第二，能夠在制造1臺切割裝置時(shí)，選擇在2個(gè)切割模塊之間配置1個(gè)鍍覆模塊的結(jié)構(gòu)以及在位于切割裝置的端部的1個(gè)切割模塊的鄰處配置1個(gè)鍍覆模塊的結(jié)構(gòu)。在事后對切割裝置追加1個(gè)鍍覆模塊的情況下，也同樣能夠選擇1個(gè)鍍覆模塊所配置的位置。

如果構(gòu)成為能夠?qū)?個(gè)切割模塊和1個(gè)鍍覆模塊相互裝卸，則能夠得到依次進(jìn)行對QFN基板1的切削槽22的形成、鍍層23的形成、基于單片化的QFN產(chǎn)品26的制造這樣的各步驟的1臺切割裝置。優(yōu)選的是，該切割裝置具備2個(gè)切割模塊和1個(gè)鍍覆模塊所共用的1個(gè)輸送機(jī)構(gòu)。該輸送機(jī)構(gòu)進(jìn)行作為原材料的QFN基板1的輸送、帶切削槽22的QFN基板1(中間品)的輸送、作為產(chǎn)品的QFN產(chǎn)品26的輸送這樣的各動(dòng)作。

在各實(shí)施例中，首先，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的多個(gè)切割線9在引線框架2中形成多個(gè)切削槽22，接著，沿著沿QFN基板1的短邊方向延伸的多個(gè)切割線10形成多個(gè)切削槽22。不限于此，也可以是，首先，沿著沿QFN基板1的短邊方向延伸的多個(gè)切割線10在引線框架2中形成多個(gè)切削槽22，接著，沿著沿QFN基板1的長邊方向延伸的多個(gè)切割線9形成多個(gè)切削槽22。

在各實(shí)施例中，示出了將具有具備長邊方向和短邊方向的矩形形狀的QFN基板1作為被切割物來進(jìn)行切削的情況。不限于此，在切削具有正方形的形狀的QFN基板的情況下也能夠應(yīng)用本發(fā)明。

在各實(shí)施例中，通過切削QFN基板1所具有的引線框架2的總厚度中的規(guī)定的厚度部分來在引線框架2中形成切削槽22，通過實(shí)施電鍍處理來在引線框架2的底面和切削槽22的表面形成鍍層23。不限于此，也能夠通過切削QFN基板1所具有的引線框架2的總厚度部分和密封樹脂8的一部分來在QFN基板1中形成切削槽22，通過實(shí)施化學(xué)鍍覆處理來在引線框架2的底面和引線框架2所具有的切削槽22的側(cè)面形成鍍層23。

作為功能元件，除了IC(Integrated Circuit：集成電路)、晶體管、二極管等半導(dǎo)體元件以外，還包括傳感器、濾波器、致動(dòng)器、振子等。也可以在1 個(gè)芯片焊盤上搭載多個(gè)功能元件。

說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是應(yīng)該認(rèn)為本次公開的實(shí)施方式在所有方面都是例示而不是用于進(jìn)行限制。應(yīng)該理解，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書表示，包括與權(quán)利要求書等同的含義和范圍內(nèi)的所有變更。