技術總結
本發(fā)明提供一種異質結半導體裝置以及制造異質結半導體裝置的方法。一種異質結半導體裝置包括：溝道層，其包括第一半導體；勢壘層，其設置在所述溝道層上，并且包括具有大于所述第一半導體的帶隙的帶隙的半導體；源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極設置在所述勢壘層上并且歐姆接觸到所述勢壘層；設置在所述勢壘層上的p型半導體層，所述p型半導體層設置在勢壘層上所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域中；設置在所述p型半導體層上的n型半導體層；以及柵電極，其接合到所述n型半導體層。所述p型半導體層和所述n型半導體層之間的接合界面具有凹凸結構。

技術研發(fā)人員：大川峰司
受保護的技術使用者：豐田自動車株式會社
文檔號碼：201610319919
技術研發(fā)日：2016.05.13
技術公布日：2016.11.30