相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2015年12月30日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0189272、發(fā)明名稱為“電子設(shè)備及其制造方法”的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

本專利文件涉及存儲(chǔ)電路或者器件以及它們?cè)陔娮釉O(shè)備或系統(tǒng)中的應(yīng)用。

背景技術(shù)：

近來(lái)，隨著電子電器趨向于小型化、低功耗、高性能、多功能性等，本領(lǐng)域需要能夠?qū)⑿畔⒋鎯?chǔ)在諸如計(jì)算機(jī)、便攜式通信設(shè)備等的各種電子電器中的半導(dǎo)體器件，并且已經(jīng)對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行了研究。這種半導(dǎo)體器件包括能夠利用它們根據(jù)施加的電壓或電流而在不同的電阻狀態(tài)之間切換的特性來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件，例如，rram(阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、pram(相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、fram(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、mram(磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、電熔絲等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本專利文件中公開(kāi)的技術(shù)包括：存儲(chǔ)電路或者器件及它們?cè)陔娮釉O(shè)備或系統(tǒng)中的應(yīng)用，以及具有改進(jìn)特性的電子設(shè)備及其相關(guān)制造的各種實(shí)施方式。

在一個(gè)實(shí)施方式中，電子設(shè)備可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底中；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分，并且包括摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面相接觸并且對(duì)應(yīng)于襯底內(nèi)的柵電極；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其耦接至溝槽一側(cè)的結(jié)區(qū)。

擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以包括擴(kuò)散的摻雜劑，擴(kuò)散的摻雜劑通過(guò)包含在柵電極中的摻雜劑的擴(kuò)散進(jìn)入襯底內(nèi)。柵電極可以包括摻雜有含硼的摻雜劑的鎢。擴(kuò)散區(qū)可以包括硼。

此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，電子設(shè)備還可以包括插置在柵電介質(zhì)層與柵電極之間的擴(kuò)散阻擋層。擴(kuò)散阻擋層可以具有柱狀結(jié)構(gòu)。擴(kuò)散阻擋層可以包括氮化鈦層或者氮化鎢層。

結(jié)區(qū)可以包括與柵電極的一部分在水平方向重疊的部分。擴(kuò)散區(qū)可以包括形成在柵電極與結(jié)區(qū)之間的第一區(qū)、以及除了第一區(qū)之外的第二區(qū)。第一區(qū)和第二區(qū)的導(dǎo)電類型可以彼此相同，并且第二區(qū)的摻雜濃度可以比第一區(qū)的摻雜濃度更大。第一區(qū)和第二區(qū)的導(dǎo)電類型可以彼此不同，并且第一區(qū)和結(jié)區(qū)的導(dǎo)電類型可以彼此相同。第一區(qū)的摻雜濃度可以比結(jié)區(qū)的摻雜濃度更小。存儲(chǔ)元件可以包括響應(yīng)于施加至其上的電壓或電流而在不同的電阻狀態(tài)之間切換的可變電阻元件。可變電阻元件可以包括磁性隧道結(jié)，其中，隧道阻障插置在兩個(gè)磁性材料之間?？勺冸娮柙梢园ǎ航饘傺趸锊牧?、相變材料或者鐵電材料。

電子設(shè)備還可以包括微型處理器，微處理器包括：控制單元，其被配置成從微處理器的外部接收包括命令的信號(hào)，并且執(zhí)行命令的提取、解碼或者控制微處理器的信號(hào)的輸入或輸出；操作單元，其被配置成基于控制單元對(duì)命令解碼的結(jié)果來(lái)執(zhí)行操作；以及存儲(chǔ)單元，其被配置成存儲(chǔ)用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)或者執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是微處理器內(nèi)的存儲(chǔ)單元的部件。

電子設(shè)備還可以包括處理器，處理器包括：核心單元，其被配置成基于從處理器的外部輸入的命令，通過(guò)利用數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行對(duì)應(yīng)于命令的操作；高速緩沖存儲(chǔ)單元，其被配置成存儲(chǔ)用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)或者執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址；以及總線接口，其連接在核心單元與高速緩沖存儲(chǔ)單元之間，并且被配置成在核心單元與高速緩沖存儲(chǔ)單元之間傳送數(shù)據(jù)，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為處理器內(nèi)的高速緩沖存儲(chǔ)單元的部件。

電子設(shè)備還可以包括處理系統(tǒng)，處理系統(tǒng)包括：處理器，其被配置成將由處理器接收的命令的解碼，并且基于對(duì)命令解碼的結(jié)果來(lái)控制對(duì)信息的操作；輔助存儲(chǔ)器件，其被配置成存儲(chǔ)用于將命令解碼的程序和信息；主存儲(chǔ)器件，其被配置成調(diào)用和存儲(chǔ)來(lái)自輔助存儲(chǔ)器件的程序和信息，使得處理器在執(zhí)行程序時(shí)能夠利用程序和信息來(lái)執(zhí)行操作；以及接口器件，其被配置成執(zhí)行處理器、輔助存儲(chǔ)器件和主存儲(chǔ)器件中的至少一個(gè)與外部之間的通信，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是處理系統(tǒng)內(nèi)的輔助存儲(chǔ)器件或者主存儲(chǔ)器件的部件。

電子設(shè)備還可以包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：存儲(chǔ)器件，其被配置成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且無(wú)論電源供給與否均保存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；控制器，其被配置成根據(jù)從外部輸入的命令來(lái)控制數(shù)據(jù)輸入至存儲(chǔ)器件和從存儲(chǔ)器件輸出數(shù)據(jù)；暫時(shí)存儲(chǔ)器件，其被配置成暫時(shí)地存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件與外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及接口，其被配置成執(zhí)行存儲(chǔ)器件、控制器和暫時(shí)存儲(chǔ)器件中的至少一個(gè)與外部之間的通信，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)內(nèi)的存儲(chǔ)器件或者暫時(shí)存儲(chǔ)器件的部件。

電子設(shè)備還可以包括存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：存儲(chǔ)器，其被配置成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且無(wú)論電源供給與否均保存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器控制器，其被配置成根據(jù)從外部輸入的命令來(lái)控制數(shù)據(jù)輸入至存儲(chǔ)器和從存儲(chǔ)器輸出數(shù)據(jù)；緩沖存儲(chǔ)器，其被配置成緩沖在存儲(chǔ)器與外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及接口，其被配置成執(zhí)行存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器控制器和暫時(shí)存儲(chǔ)器中的至少一個(gè)與外部之間的通信，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為存儲(chǔ)系統(tǒng)內(nèi)的存儲(chǔ)器或者緩沖存儲(chǔ)器的部件。

在一個(gè)實(shí)施方式中，一種制造電子設(shè)備的方法可以包括：選擇性地刻蝕襯底以形成溝槽；在溝槽的表面上形成柵電介質(zhì)層；在柵電介質(zhì)層上形成包含摻雜劑的柵電極，摻雜劑間隙填充溝槽的一部分；在襯底內(nèi)溝槽的兩側(cè)形成結(jié)區(qū)；以及通過(guò)將包含在柵電極內(nèi)的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成擴(kuò)散區(qū)。

柵電極可以包括摻雜有含硼的摻雜劑的鎢。柵電極可以通過(guò)利用乙硼烷(b2h6)和六氟化鎢(wf6)來(lái)形成。

此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，一種制造電子設(shè)備的方法還可以包括在形成柵電極之前，在柵電介質(zhì)層上形成擴(kuò)散阻擋層。擴(kuò)散阻擋層可以被形成為具有柱狀結(jié)構(gòu)。擴(kuò)散阻擋層可以包括氮化鈦層或者氮化鎢層。

附圖說(shuō)明

圖1為圖示了根據(jù)公開(kāi)技術(shù)的實(shí)施方式的晶體管的示例的平面圖。

圖2為圖示了沿著圖1所示的線a-a’截取的晶體管的截面圖。

圖3a至圖3d為圖示了根據(jù)公開(kāi)技術(shù)的實(shí)施方式的晶體管的示例的制造方法的截面圖。

圖4為圖示了包括根據(jù)公開(kāi)技術(shù)的實(shí)施方式的晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的平面圖。

圖5為圖示了沿著圖4所示的線a-a’截取的包括晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的截面圖。

圖6為基于公開(kāi)技術(shù)來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)電路的微處理器的配置圖的示例。

圖7為基于公開(kāi)技術(shù)來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)電路的處理器的配置圖的示例。

圖8為基于公開(kāi)技術(shù)來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)電路的系統(tǒng)的配置圖的示例。

圖9為基于公開(kāi)技術(shù)來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的配置圖的示例。

圖10為基于公開(kāi)技術(shù)來(lái)實(shí)施存儲(chǔ)電路的存儲(chǔ)系統(tǒng)的配置圖的示例。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖來(lái)詳細(xì)地描述公開(kāi)技術(shù)的各種示例和實(shí)施方式。

附圖并非必須按比例繪制，并且在某些情況下，為了清楚地示出所描述的示例或者實(shí)施方式的某些特征可能對(duì)附圖中至少一些結(jié)構(gòu)的比例做夸大處理。在具有兩層或多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)的附圖或描述中呈現(xiàn)特定示例時(shí)，該層的相對(duì)位置關(guān)系或者如圖所示的布置層的順序反映了所述或所示的示例的特定實(shí)施方式，并且不同的相對(duì)位置關(guān)系或者布置層的順序也是可能的。另外，多層結(jié)構(gòu)的所述示例或所示示例可以不反映出存在于特定的多層結(jié)構(gòu)中的全部層(例如，一個(gè)或多個(gè)額外的層可以存在于兩個(gè)所示的層之間)。作為特定的示例，當(dāng)在所述或所示的多層結(jié)構(gòu)中的第一層被稱為在第二層“上”或者“之上”或者在襯底“上”或者“之上”時(shí)，第一層可以直接形成在第二層上或者襯底上，還可以表示一個(gè)或多個(gè)其它的中間層可能存在于第一層與第二層之間或者第一層與襯底之間的結(jié)構(gòu)。

圖1為圖示了根據(jù)公開(kāi)技術(shù)的實(shí)施方式的晶體管的示例的平面圖，圖2為圖示了根據(jù)實(shí)施方式沿著圖1所示的線a-a’截取的晶體管的截面圖。

如圖1和圖2所示，在實(shí)施方式中，晶體管可以包括：掩埋柵110，其至少一部分掩埋在襯底101中；結(jié)區(qū)120，其形成在襯底101內(nèi)掩埋柵110的兩側(cè)，以提供用于晶體管的漏極區(qū)和源極區(qū)；以及擴(kuò)散區(qū)130，其形成在襯底101內(nèi)，并與掩埋柵110相對(duì)應(yīng)。

以下詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施方式的晶體管的部件。

在實(shí)施方式中，晶體管可以包括襯底101和場(chǎng)隔離層103，所述場(chǎng)隔離層103形成為在襯底101中限定用于形成晶體管的部件110、120和130的有源區(qū)105。

襯底101可以為具有適合的晶體結(jié)構(gòu)(例如，單晶狀態(tài))的半導(dǎo)體襯底，并且可以包括含硅材料。在某些實(shí)施方式中，例如，半導(dǎo)體襯底101可以包括選自各種單晶含硅材料的材料。例如，襯底101可以為單晶體硅襯底或者絕緣體上硅(soi)襯底，在絕緣體上硅(soi)襯底中順序地層疊有支撐襯底、掩埋電介質(zhì)層和單晶硅層。

限定有源區(qū)105的場(chǎng)隔離層103可以經(jīng)由淺溝槽隔離(sti)工藝來(lái)形成。因此，場(chǎng)隔離層103可以包括形成在襯底101內(nèi)的場(chǎng)隔離溝槽和間隙填充在場(chǎng)隔離溝槽內(nèi)的電介質(zhì)層。電介質(zhì)層可以為包括氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料中的任意一種 的單層結(jié)構(gòu)，或者為包括由以上材料形成的兩個(gè)或多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。經(jīng)由場(chǎng)隔離層103限定的有源區(qū)105可以為具有長(zhǎng)軸和短軸的條型或者線型。

此外，在所示的實(shí)施方式中，晶體管可以包括掩埋柵110，掩埋柵110的至少一部分掩埋在襯底101內(nèi)。掩埋柵110可以為具有柵結(jié)構(gòu)的一部分或者整個(gè)柵結(jié)構(gòu)掩埋在襯底101內(nèi)的形式的結(jié)構(gòu)。如圖2中所示，掩埋柵110可以包括：溝槽111，其形成在襯底101內(nèi)；柵電介質(zhì)層113，其形成在溝槽111的表面上；柵電極117，其形成在柵電介質(zhì)層113上，以間隙填充溝槽的一部分；擴(kuò)散阻擋層115，其插置在柵電介質(zhì)層113與柵電極117之間，以及密封層119，其在柵電極117上間隙填充溝槽111的其余部分。

溝槽111用于提供將要形成掩埋柵110的空間，并且可以具有在有源區(qū)105的短軸方向同時(shí)地與有源區(qū)105和場(chǎng)隔離層103交叉的形式。形成在場(chǎng)隔離層103內(nèi)的溝槽111的深度可以與形成在有源區(qū)105內(nèi)的溝槽111的深度相同，或者形成在場(chǎng)隔離層103內(nèi)的溝槽111的深度可以比形成在有源區(qū)105內(nèi)的溝槽111的深度大。當(dāng)形成在場(chǎng)隔離層103內(nèi)的溝槽111的深度比形成在有源區(qū)105內(nèi)的溝槽111的深度大時(shí)，形成在掩埋柵110之下的有源區(qū)105可以具有鰭狀結(jié)構(gòu)。

柵電介質(zhì)層113可以形成在溝槽111的整個(gè)表面上，或者可以僅形成在溝槽111與柵電極117相對(duì)應(yīng)的表面上。柵電介質(zhì)層113可以為包括氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料的單層結(jié)構(gòu)，或者為包括由以上材料形成的兩個(gè)或多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

柵電極117可以包括含有摻雜劑的導(dǎo)電材料。包含在柵電極117中的摻雜劑可以用于降低柵電極117的電阻，并且形成擴(kuò)散區(qū)130。例如，柵電極117可以包括含硼鎢?；蛘?，柵電極117由鎢形成，并且摻雜有硼。換言之，柵電極117可以包括混合有硼的鎢，并且被混合在鎢內(nèi)的硼可以通過(guò)增加鎢的晶粒尺寸來(lái)降低鎢的電阻。與柵電極117相對(duì)應(yīng)的擴(kuò)散區(qū)130可以通過(guò)將包含在鎢中的硼擴(kuò)散入襯底101內(nèi)而形成在襯底101內(nèi)。由于擴(kuò)散區(qū)130由包含在柵電極117中的摻雜劑作為源擴(kuò)散而形成，所以擴(kuò)散區(qū)130可以具有包圍柵電極117的外壁的形式。

擴(kuò)散阻擋層115可以形成在柵電介質(zhì)層113上或者之上。擴(kuò)散阻擋層115可以形成在整個(gè)溝槽表面111之上，或者可以僅形成在溝槽111與柵電極117相對(duì)應(yīng)的表面上。擴(kuò)散阻擋層115可以用于改善柵電極117與柵電介質(zhì)層113之間的界面特性。此外，當(dāng)包含在柵電極117中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)以形成擴(kuò)散區(qū)130時(shí)，擴(kuò)散阻擋層115可以用于控制摻雜劑的擴(kuò)散量。在制造期間，摻雜劑的擴(kuò)散量可以經(jīng)由擴(kuò)散阻擋層115的材料的選擇和擴(kuò)散阻擋層115的厚度、薄膜特性或者晶體結(jié)構(gòu)來(lái)控制。例如，擴(kuò)散阻擋層115可以包括氮化鈦層或者氮化鎢層，并且晶體結(jié)構(gòu)可以為柱狀結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)闁烹姌O 117的摻雜劑的擴(kuò)散容易地穿過(guò)柱狀結(jié)構(gòu)的晶粒邊緣，并且摻雜劑的擴(kuò)散量隨著晶粒尺寸減少而容易地增加。

密封層119可以用于保護(hù)柵電極117，并且可以包括電介質(zhì)材料。例如，密封層119可以為包括氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料的單層結(jié)構(gòu)，或者為包括由以上材料形成的兩個(gè)或多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

在實(shí)施方式中，晶體管可以包括結(jié)區(qū)120，所述結(jié)區(qū)120形成在襯底101內(nèi)掩埋柵110的兩側(cè)。結(jié)區(qū)120可以為源極區(qū)和漏極區(qū)。結(jié)區(qū)120可以在水平方向上與柵電極117的一部分重疊。即，結(jié)區(qū)120的底表面可以設(shè)為比基于襯底101的表面的柵電極117的上表面低。結(jié)區(qū)120可以經(jīng)由離子注入工藝來(lái)形成。例如，結(jié)區(qū)120可以通過(guò)將p或者as(其為n型雜質(zhì))離子注入至襯底101內(nèi)來(lái)形成。因此，結(jié)區(qū)120可以為n型雜質(zhì)區(qū)。

此外，在實(shí)施方式中，晶體管可以包括擴(kuò)散區(qū)130，擴(kuò)散區(qū)130形成為與溝槽111的表面接觸，并且在襯底101內(nèi)與柵電極117相對(duì)應(yīng)。擴(kuò)散區(qū)130可以包括與包含在柵電極117中的摻雜劑相同材料的摻雜劑，并且可以通過(guò)將包含在柵電極117中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底101內(nèi)來(lái)形成。例如，當(dāng)柵電極117可以包括含硼鎢時(shí)，擴(kuò)散區(qū)130可以包括硼。擴(kuò)散區(qū)130可以用作掩埋柵110的溝道區(qū)，并且可以增加掩埋柵110的有效溝道長(zhǎng)度，而不物理增加掩埋柵110的溝道長(zhǎng)度。此外，擴(kuò)散區(qū)130可以增加閾值電壓，而不增加結(jié)泄漏。

擴(kuò)散區(qū)130可以包括第一區(qū)131和第二區(qū)132，所述第一區(qū)131形成在柵電極117與結(jié)區(qū)120之間，所述第二區(qū)132為除了第一區(qū)131之外的擴(kuò)散區(qū)的其余區(qū)。在本文中，第一區(qū)131和第二區(qū)132可以具有彼此相同的導(dǎo)電類型，并且可以具有與結(jié)區(qū)120不同的導(dǎo)電類型。例如，第一區(qū)131和第二區(qū)132可以為p型，而結(jié)區(qū)120可以為n型。當(dāng)從柵電極117擴(kuò)散入襯底101內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)量為足以反相摻雜與第一區(qū)131相對(duì)應(yīng)的結(jié)區(qū)120的數(shù)量時(shí)，第一區(qū)131的雜質(zhì)摻雜濃度可以小于第二區(qū)132的雜質(zhì)摻雜濃度。另一方面，第一區(qū)131和第二區(qū)132可以具有彼此不同的導(dǎo)電性類型，并且第一區(qū)131可以具有與結(jié)區(qū)120相同的導(dǎo)電類型。例如，第二區(qū)132可以為p型，而第一區(qū)131和結(jié)區(qū)120可以為n型。當(dāng)從柵電極117擴(kuò)散入襯底101內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)量為不足以反相摻雜與第一區(qū)131相對(duì)應(yīng)的結(jié)區(qū)120的數(shù)量時(shí)，第一區(qū)131的雜質(zhì)摻雜濃度可以小于結(jié)區(qū)120的雜質(zhì)摻雜濃度。在上述的兩種情況下，由于具有相對(duì)低的雜質(zhì)摻雜濃度的擴(kuò)散區(qū)130的第一區(qū)131位于柵電極117在水平方向與結(jié)區(qū)120重疊的區(qū)域內(nèi)，可以防止由于電場(chǎng)集中而造成的特性降低。

如上所述，在實(shí)施方式中，由于晶體管具有形成在襯底內(nèi)與柵電極117相對(duì)應(yīng)的擴(kuò) 散區(qū)130，所以可以改善晶體管的特性。

在下文中，將參照?qǐng)D3a至圖3d來(lái)詳細(xì)地描述圖1和圖2中所述的用于制造晶體管的方法的實(shí)施方式。圖3a至圖3d為圖示了根據(jù)實(shí)施方式的沿著圖1中所示的線a-a’截取的晶體管的截面圖。

如圖3a所示，場(chǎng)隔離層13可以形成在襯底11中，以限定有源區(qū)15。場(chǎng)隔離層13可以經(jīng)由淺溝槽隔離(sti)工藝來(lái)形成。例如，場(chǎng)隔離層13可以通過(guò)刻蝕襯底11并將電介質(zhì)材料間隙填充在場(chǎng)隔離溝槽內(nèi)，經(jīng)由形成場(chǎng)隔離溝槽的一系列工藝來(lái)形成。

溝槽17可以通過(guò)選擇性地刻蝕襯底11來(lái)形成。溝槽17可以形成為同時(shí)地與有源區(qū)15和場(chǎng)隔離層13交叉的形式。此時(shí)，形成在場(chǎng)隔離層13內(nèi)的溝槽17的深度可以與形成在有源區(qū)15內(nèi)的溝槽17的深度相同，或者形成在場(chǎng)隔離層13內(nèi)的溝槽17的深度可以比形成在有源區(qū)15內(nèi)的溝槽17的深度大。

柵電介質(zhì)層19可以沿著包括溝槽17的結(jié)構(gòu)表面形成。柵電介質(zhì)層19可以為包括氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料的單層結(jié)構(gòu)，或者為包括由以上材料形成的兩個(gè)或多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。例如，柵電介質(zhì)層19可以由氧化硅層經(jīng)由熱氧化方法來(lái)形成。

擴(kuò)散阻擋層21可以沿著包括柵電介質(zhì)層19的結(jié)構(gòu)表面形成。擴(kuò)散阻擋層21可以由氮化鈦層或者氮化鎢層形成。擴(kuò)散阻擋層21可以被形成為具有柱狀結(jié)構(gòu)。例如，擴(kuò)散阻擋層21可以由氮化鈦層形成，并且具有柱狀結(jié)構(gòu)的氮化鈦層可以利用四氯化鈦(ticl4)和氮?dú)?n2)經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(cvd)來(lái)形成。

如圖3b中所示，間隙填充溝槽17的一部分的柵電極23可以形成在擴(kuò)散阻擋層21上。柵電極23可以通過(guò)形成將被間隙填充在溝槽17內(nèi)的導(dǎo)電材料并順序地執(zhí)行平坦化工藝和毯式刻蝕工藝來(lái)形成。此時(shí)，由于擴(kuò)散阻擋層21的一部分與導(dǎo)電材料一起被去除，所以擴(kuò)散阻擋層21可以僅保留在柵電介質(zhì)層19與柵電極23之間。平坦化工藝可以通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光方法來(lái)執(zhí)行，而毯式刻蝕工藝可以通過(guò)回蝕工藝來(lái)執(zhí)行。

柵電極23可以由含摻雜劑的導(dǎo)電材料形成。例如，柵電極23可以由含硼鎢形成。含硼鎢可以通過(guò)利用乙硼烷(b2h6)和六氟化鎢(wf6)來(lái)形成。此時(shí)，大量的硼可以保留在柵電極23中。

間隙填充溝槽17的其余部分的密封層25可以形成在柵電極23上。密封層25可以包括電介質(zhì)材料。例如，密封層25可以為包括選自包含氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料在內(nèi)的一組中的任意一種的單層結(jié)構(gòu)，或者包括上述材料的兩個(gè)或多個(gè)的多層結(jié)構(gòu)。掩埋柵27可以經(jīng)由上述工藝來(lái)形成。

如圖3c中所示，結(jié)區(qū)29可以形成在襯底內(nèi)掩埋柵27的兩側(cè)。結(jié)區(qū)29可以為源極區(qū)和漏極區(qū)。結(jié)區(qū)29可以通過(guò)將為n型雜質(zhì)的p或者as離子注入至襯底11內(nèi)來(lái)形成。結(jié)區(qū)29可以被形成為在水平方向上與柵電極23的一部分重疊。即，基于襯底11的表面，結(jié)區(qū)29的底表面可以設(shè)為比柵電極23的上表面低。

如圖3d中所示，與柵電極23相對(duì)應(yīng)的擴(kuò)散區(qū)31可以通過(guò)將包含在柵電極23中的摻雜劑經(jīng)由退火工藝而擴(kuò)散入襯底11內(nèi)來(lái)形成。由于擴(kuò)散區(qū)31利用包含在柵電極23中的摻雜劑作為源來(lái)形成，所以擴(kuò)散區(qū)31可以被形成為與襯底11中的溝槽17的表面相接觸，并且擴(kuò)散區(qū)31可以具有包圍柵電極23的外壁的形式。

當(dāng)柵電極23包括混合有硼的鎢時(shí)，擴(kuò)散區(qū)31可以通過(guò)將硼擴(kuò)散入襯底11來(lái)形成。即，擴(kuò)散區(qū)31可以包括硼。

根據(jù)實(shí)施方式，晶體管可以經(jīng)由上述工藝來(lái)形成。

經(jīng)由根據(jù)實(shí)施方式的上述工藝形式的晶體管可以用于各種電子設(shè)備，尤其是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括布置有用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的單元陣列。多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)可以包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件和用于控制對(duì)存儲(chǔ)元件存取的選擇元件。經(jīng)由上述工藝形成的晶體管可以用作選擇元件。更具體地，晶體管可以用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用呈現(xiàn)不同電阻狀態(tài)并且基于電阻狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器感測(cè)每個(gè)存儲(chǔ)元件中的電阻變化，并且利用電阻狀態(tài)來(lái)確定存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，例如，高電阻值表示“1”，而低電阻值表示“0”。

基于電阻狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以利用可變電阻元件作為存儲(chǔ)器件。可變電阻元件可以為一種元件：該元件呈現(xiàn)出不同的電阻狀態(tài)，并且能夠響應(yīng)于施加至其上的電流或者電壓而在不同的電阻狀態(tài)之間切換。這種可變電阻元件可以包括改變其電阻的可變電阻材料?？勺冸娮璨牧嫌糜谕ㄟ^(guò)改變電阻特性來(lái)執(zhí)行信息的存儲(chǔ)和擦除的阻變存儲(chǔ)器?？勺冸娮璨牧峡梢酝ㄟ^(guò)將各種材料用于如下存儲(chǔ)器來(lái)形成：阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pram)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(fram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)、自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sttram)等。例如，可變電阻材料可以包括：鐵磁材料、過(guò)渡金屬氧化物材料、包括基于鈣鈦礦材料的金屬氧化物材料、包括基于硫族化物材料的相變材料、鐵電材料等。

在下文中，將參照?qǐng)D4和圖5來(lái)詳細(xì)地描述包括根據(jù)實(shí)施方式的晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。圖4為圖示了包括根據(jù)實(shí)施方式的晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的平面圖。圖5為圖示了根據(jù)實(shí)施方式沿著圖4中所示的線a-a’截取的包括晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的截面圖。

如圖4和5所示，所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：可變電阻元件140的陣列；掩埋柵110，每個(gè)掩埋柵110至少部分地掩埋在襯底101內(nèi)；結(jié)區(qū)120，其形成在襯底101內(nèi)每個(gè)掩埋柵110的兩側(cè)；以及擴(kuò)散區(qū)130，其形成在襯底101內(nèi)對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的掩埋柵110。如圖4所示，經(jīng)由形成在襯底101內(nèi)的場(chǎng)隔離層103所限定的每個(gè)有源區(qū)105可以為具有長(zhǎng)軸和短軸且長(zhǎng)軸延伸至第一方向的線型。多個(gè)這種有源區(qū)105可以被布置成在與第一方向交叉的第二方向上以預(yù)定的間隔隔開(kāi)。每個(gè)掩埋柵110可以包括：溝槽111，其形成在襯底101內(nèi)；柵電介質(zhì)層113，其形成在溝槽111的表面上；柵電極117，其形成在柵電介質(zhì)層113上，以間隙填充溝槽的一部分；擴(kuò)散阻擋層115，其插置在柵電介質(zhì)層113與柵電極117之間；以及密封層119，其在柵電極117上，間隙填充溝槽111的其余部分。每個(gè)溝槽111可以為向同時(shí)與有源區(qū)105和場(chǎng)隔離層103交叉的第二方向延伸的線型。以上詳細(xì)地描述了根據(jù)實(shí)施方式的適用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的晶體管，因而將省略其詳細(xì)描述。

此外，在實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：第一中間電介質(zhì)層131，其在襯底101上；第一插塞132，其穿通第一中間電介質(zhì)層131，以在有源區(qū)105的任一邊緣與結(jié)區(qū)120耦接；以及第二插塞133，其在掩埋柵110之間與結(jié)區(qū)120耦接。第一中間電介質(zhì)層131可以為包括選自包含氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料在內(nèi)的一組中的任意一種的單層結(jié)構(gòu)，或者包括上述材料的兩個(gè)或多個(gè)的多層結(jié)構(gòu)。第一插塞132在第二方向上可以被布置為偏向有源區(qū)105的一側(cè)，第二插塞133在第二方向上可以被布置為偏向有源區(qū)105的另一側(cè)。

此外，在實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的可變電阻元件140可以與第一插塞132、第二中間電介質(zhì)層151、第三插塞152以及第四插塞153接觸，其中，第一插塞132在第一中間電介質(zhì)層131上，第二中間電介質(zhì)層151形成在包括可變電阻元件140的第一中間電介質(zhì)層131上，第三插塞152穿通第二中間電介質(zhì)層151以與可變電阻元件140接觸，第四插塞153穿通第二中間電介質(zhì)層151以與第二插塞133接觸。第二中間電介質(zhì)層151可以為包括選自包含氧化物材料、氮化物材料或者氮氧化物材料在內(nèi)的一組中的任意一種的單層結(jié)構(gòu)，或者包括上述材料的兩個(gè)或多個(gè)的多層結(jié)構(gòu)。可變電阻元件可以指的是響應(yīng)于施加至其上的偏置(例如，電流或者電壓)而在不同的電阻狀態(tài)之間切換的元件。可變電阻元件140可以包括隧道阻障插置在兩個(gè)磁性材料之間的磁隧道結(jié)(mtj)、金屬氧化物材料、相變材料、鐵電材料等。

此外，在實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括第一導(dǎo)線161和第二導(dǎo)線162，第二導(dǎo)線162形成在第二中間電介質(zhì)層151上，以與第三插塞152和第四插塞153接觸。第一導(dǎo)線161可以為位線，而第二導(dǎo)線162可以為源極線。與第二導(dǎo)線162耦接的第二插 塞133和第四插塞153可以為源極線接觸部。第一導(dǎo)線161和第二導(dǎo)線162可以為向第一方向延伸的線型模式。第一導(dǎo)線161和第二導(dǎo)線162可以交替地布置成在第二方向上以預(yù)定的間隔隔開(kāi)。

由于上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用具有擴(kuò)散區(qū)130的晶體管作為選擇元件，所以可以改善感測(cè)電阻變化的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的操作特性和可靠性。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備或系統(tǒng)。圖6至圖10示出能夠?qū)嵤┍疚闹兴_(kāi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備或系統(tǒng)的一些示例。

參見(jiàn)圖6，微處理器1000可以執(zhí)行用于控制和調(diào)節(jié)一系列處理的工作：從各種外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)以及將處理結(jié)果輸出至外部設(shè)備。微處理器1000可以包括：存儲(chǔ)單元1010、操作單元1020、控制單元1030等等。微處理器1000可以是各種數(shù)據(jù)處理單元，例如中央處理單元(cpu)、圖形處理單元(gpu)、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)以及應(yīng)用處理器(ap)。

存儲(chǔ)單元1010是將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在微處理器1000中的部件，如處理器寄存器、寄存器等。存儲(chǔ)單元1010可以包括：數(shù)據(jù)寄存器、地址寄存器、浮點(diǎn)寄存器等。此外，存儲(chǔ)單元1010可以包括各種寄存器。存儲(chǔ)單元1010可以執(zhí)行暫時(shí)地存儲(chǔ)要通過(guò)操作單元1020執(zhí)行運(yùn)算的數(shù)據(jù)、執(zhí)行運(yùn)算的結(jié)果數(shù)據(jù)以及存儲(chǔ)執(zhí)行運(yùn)算的數(shù)據(jù)的地址的功能。

存儲(chǔ)單元1010可以包括根據(jù)實(shí)施方式的上述半導(dǎo)體器件的一個(gè)或多個(gè)。存儲(chǔ)單元1010可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分且包括摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面相接觸并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其在溝槽的一側(cè)與結(jié)區(qū)耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)提供擴(kuò)散區(qū)，能夠改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，存儲(chǔ)單元1010和微處理器1000可以具有改善的可靠性。

操作單元1020可以根據(jù)控制單元1030將命令解碼的結(jié)果來(lái)執(zhí)行四項(xiàng)算術(shù)運(yùn)算或者邏輯運(yùn)算。操作單元1020可以包括至少一個(gè)算術(shù)邏輯單元(alu)等。

控制單元1030可以從微處理器1000的存儲(chǔ)單元1010、操作單元1020以及外部設(shè)備接收信號(hào)，執(zhí)行命令的提取、解碼、以及控制微處理器1000的信號(hào)的輸入和輸出，以及執(zhí)行由程序表示的處理。

根據(jù)本實(shí)施方式的微處理器1000可以額外地包括高速緩沖存儲(chǔ)單元1040，其能夠 暫時(shí)地存儲(chǔ)將要從外部設(shè)備而非存儲(chǔ)單元1010輸入的數(shù)據(jù)或者輸出至外部設(shè)備的數(shù)據(jù)。在這種情況下，高速緩沖存儲(chǔ)單元1040可以經(jīng)由總線接口1050與存儲(chǔ)單元1010、操作單元1020以及控制單元1030交換數(shù)據(jù)。

圖7為實(shí)施基于公開(kāi)的技術(shù)的存儲(chǔ)電路的處理器的配置圖的示例。

參見(jiàn)圖7，處理器1100可以通過(guò)包括除了微處理器執(zhí)行的工作之外的各種功能，來(lái)改善性能并實(shí)現(xiàn)多功能，微處理器執(zhí)行控制和調(diào)節(jié)一系列處理的工作：從各種外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)，處理數(shù)據(jù)以及將處理結(jié)果輸出至外部設(shè)備。處理器1100可以包括：核心單元1110，其用作微處理器；高速緩沖存儲(chǔ)單元1120，其用于暫時(shí)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；以及總線接口1130，其用于在內(nèi)部設(shè)備與外部設(shè)備之間傳輸數(shù)據(jù)。處理器1100可以包括各種片上系統(tǒng)(soc)，例如多核處理器、圖形處理單元(gpu)以及應(yīng)用處理器(ap)。

本實(shí)施方式的核心單元1110是對(duì)從外部設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)執(zhí)行算術(shù)邏輯運(yùn)算的部件，并且可以包括：存儲(chǔ)單元1111、操作單元1112以及控制單元1113。

存儲(chǔ)單元1111是將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在處理器1100中的部件，如處理器寄存器、寄存器等。存儲(chǔ)單元1111可以包括：數(shù)據(jù)寄存器、地址寄存器、浮點(diǎn)寄存器等。此外，存儲(chǔ)單元1111可以包括各種寄存器。存儲(chǔ)單元1111可以執(zhí)行暫時(shí)地存儲(chǔ)要通過(guò)操作單元1112執(zhí)行運(yùn)算的數(shù)據(jù)、執(zhí)行運(yùn)算的結(jié)果數(shù)據(jù)以及存儲(chǔ)執(zhí)行運(yùn)算的數(shù)據(jù)的地址的功能。操作單元1112是在處理器1100中執(zhí)行運(yùn)算的部件。操作單元1112可以根據(jù)控制器1113將命令解碼的結(jié)果等來(lái)執(zhí)行四項(xiàng)算術(shù)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算。操作單元1112可以包括至少一個(gè)算術(shù)邏輯單元(alu)等。控制單元1113可以從處理器1100的存儲(chǔ)單元1111、操作單元1112以及外部設(shè)備接收信號(hào)，執(zhí)行命令的提取、解碼、控制處理器1100的信號(hào)的輸入和輸出，以及執(zhí)行由程序表示的處理。

高速緩沖存儲(chǔ)單元1120是暫時(shí)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)以補(bǔ)償以高速操作的核心單元1110與以低速操作的外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)處理速度的差的部件。高速緩沖存儲(chǔ)單元1120可以包括：初級(jí)存儲(chǔ)部1121、二級(jí)存儲(chǔ)部1122以及三級(jí)存儲(chǔ)部1123。通常，高速緩沖存儲(chǔ)單元1120包括初級(jí)存儲(chǔ)部1121和二級(jí)存儲(chǔ)部1122，并且在需要高存儲(chǔ)容量的情況下可以包括三級(jí)存儲(chǔ)部1123。視情況需要，可以增加高速緩沖存儲(chǔ)單元1120包括的存儲(chǔ)部的數(shù)量。也就是說(shuō)，可以根據(jù)設(shè)計(jì)來(lái)改變包括在高速緩沖存儲(chǔ)單元1120中的存儲(chǔ)部的數(shù)量。初級(jí)存儲(chǔ)部1121、二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123存儲(chǔ)和識(shí)別數(shù)據(jù)的速度可以相同或不同。在相應(yīng)的存儲(chǔ)部1121、1122和1123的速度不同的情況下，初級(jí)存儲(chǔ)部1121的速度可以最大。高速緩沖存儲(chǔ)單元1120中的初級(jí)存儲(chǔ)部1121、二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123中的至少一個(gè)存儲(chǔ)部可以包括根據(jù)實(shí)施方式的上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的一個(gè) 或多個(gè)。例如，高速緩沖存儲(chǔ)單元1120可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分且包括摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面相接觸，并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)單元，其在溝槽一側(cè)與結(jié)區(qū)耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以通過(guò)將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)設(shè)置擴(kuò)散區(qū)，能夠改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，高速緩沖存儲(chǔ)單元1120和處理器1100可以具有改善的可靠性。

盡管在圖7中示出了全部的初級(jí)存儲(chǔ)部1121、二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123被配置在高速緩沖存儲(chǔ)單元1120內(nèi)部，但是應(yīng)當(dāng)注意的是，高速緩沖存儲(chǔ)單元1120的初級(jí)存儲(chǔ)部1121、二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123可以被配置在核心單元1100的外部，并且可以補(bǔ)償核心單元1110與外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)處理速度的差。此外，應(yīng)當(dāng)注意的是，高速緩沖存儲(chǔ)單元1120中的初級(jí)存儲(chǔ)部1121可以設(shè)置在核心單元1110的內(nèi)部，而二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123可以配置在核心單元1110的外部以加強(qiáng)用于補(bǔ)償數(shù)據(jù)處理速度的差的功能。在另一個(gè)實(shí)施方式中，初級(jí)存儲(chǔ)部1121和二級(jí)存儲(chǔ)部1122可以設(shè)置在核心單元1110的內(nèi)部，而三級(jí)存儲(chǔ)部1123可以設(shè)置在核心單元1110的外部。

總線接口1130是將核心單元1110、高速緩沖存儲(chǔ)單元1120和外部設(shè)備連接的部件，并且允許數(shù)據(jù)有效地傳輸。

根據(jù)本實(shí)施方式的處理器1100可以包括多個(gè)核心單元1110，而多個(gè)核心單元1110可以共享高速緩沖存儲(chǔ)單元1120。多個(gè)核心單元1110和高速緩沖存儲(chǔ)單元1120可以直接地連接或者經(jīng)由總線接口1130來(lái)連接。多個(gè)核心單元可以采用與核心單元1110的上述配置相同的方式來(lái)配置。在處理器1100包括多個(gè)核心單元1110的情況下，高速緩沖存儲(chǔ)單元1120中的初級(jí)存儲(chǔ)部1121可以配置在每個(gè)核心單元1110中，與多個(gè)核心單元1110的數(shù)量相對(duì)應(yīng)，而二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123可以配置在多個(gè)核心單元1110的外部并經(jīng)由總線接口1130被共享。初級(jí)存儲(chǔ)部1121的處理速度可以比二級(jí)存儲(chǔ)部1122和三級(jí)存儲(chǔ)部1123的處理速度快。在另一個(gè)實(shí)施方式中，初級(jí)存儲(chǔ)部1121和二級(jí)存儲(chǔ)部1122可以配置在每個(gè)核心單元1110中，與多個(gè)核心單元1110的數(shù)量相對(duì)應(yīng)，而三級(jí)存儲(chǔ)部1123可以配置在多個(gè)核心單元1110的外部并經(jīng)由總線接口1130被共享。

根據(jù)本實(shí)施方式的處理器1100還可以包括：嵌入的存儲(chǔ)單元1140，其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；通信模塊單元1150，其能夠采用有線或無(wú)線的方式將數(shù)據(jù)傳送至外部設(shè)備和從外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器控制單元1160，其驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器件；以及媒體處理單元1170，其處理在處理器1100中處理的數(shù)據(jù)或者從外部輸入設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)，并且將處理的數(shù)據(jù)輸出 至外部接口設(shè)備等。此外，處理器1100可以包括多個(gè)各種模塊和器件。在這種情況下，附加的多個(gè)模塊可以經(jīng)由總線接口1130與核心單元1110和高速緩沖存儲(chǔ)單元1120交換數(shù)據(jù)，并且模塊彼此之間交換數(shù)據(jù)。

嵌入的存儲(chǔ)單元1140不僅可以包括易失性存儲(chǔ)器，還可以包括非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器可以包括：dram(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、移動(dòng)dram、sram(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、以及具有與上述存儲(chǔ)器相似功能的存儲(chǔ)器等等。非易失性存儲(chǔ)器可以包括：rom(只讀存儲(chǔ)器)、或非型快閃存儲(chǔ)器、與非型快閃存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pram)、阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sttram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)、具有相似功能的存儲(chǔ)器。

通信模塊單元1150可以包括：能夠與有線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊、能夠與無(wú)線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊以及二者。有線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括諸如經(jīng)由傳輸線來(lái)發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備：局域網(wǎng)(lan)、通用串行總線(usb)、以太網(wǎng)、電力線通信(plc)等等。無(wú)線通信模塊可以包括諸如在不需要傳輸線的情況下發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備：紅外線數(shù)據(jù)協(xié)會(huì)(irda)、碼分多址(cdma)、時(shí)分多址(tdma)、頻分多址(fdma)、無(wú)線lan、zigbee、泛在傳感器網(wǎng)絡(luò)(usn)、藍(lán)牙、射頻識(shí)別(rfid)、長(zhǎng)期演進(jìn)(lte)、近場(chǎng)通信(nfc)、無(wú)線寬帶互聯(lián)網(wǎng)(wibro)、高速下行鏈路分組接入(hsdpa)、寬帶cdma(wcdma)、超寬帶(uwb)等等。

存儲(chǔ)器控制單元1160管理和處理根據(jù)不同的通信標(biāo)準(zhǔn)操作的在處理器1100與外部存儲(chǔ)設(shè)備之間傳送的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制單元1160可以包括各種存儲(chǔ)器控制器，例如可以控制如下設(shè)備的器件：ide(集成設(shè)備電路)、sata(串行高級(jí)技術(shù)附件)、scsi(小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)、raid(獨(dú)立磁盤的冗余陣列)、ssd(固態(tài)盤)、esata(外部sata)、pcmcia(個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)),usb(通用串行總線)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等。

媒體處理單元1170可以處理在處理器1100中處理的數(shù)據(jù)或者從外部輸入設(shè)備以圖形、聲音和其它形式輸入的數(shù)據(jù)，并且將數(shù)據(jù)輸出至外部接口設(shè)備。媒體處理單元1170可以包括：圖形處理單元(gpu)、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、高清晰度音頻設(shè)備(hd音頻)、高清晰度多媒體接口(hdmi)控制器等等。

圖8為實(shí)施基于公開(kāi)的技術(shù)的存儲(chǔ)電路的系統(tǒng)的配置圖的示例。

參見(jiàn)圖8，系統(tǒng)1200作為用于處理數(shù)據(jù)的裝置可以執(zhí)行輸入、處理、輸出、通信、 存儲(chǔ)等，以進(jìn)行對(duì)于數(shù)據(jù)的一系列操作。系統(tǒng)1200可以包括：處理器1210、主存儲(chǔ)器件1220、輔助存儲(chǔ)器件1230、接口器件1240等。本實(shí)施方式的系統(tǒng)1200可以是利用處理器來(lái)操作的各種電子系統(tǒng)，所述處理器例如計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、pda(個(gè)人數(shù)字助理)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)本、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、智能電話、數(shù)字音樂(lè)播放器、pmp(便攜式多媒體播放器)、照相機(jī)、全球定位系統(tǒng)(gps)、攝像機(jī)、錄音機(jī)、遠(yuǎn)程信息處理、視聽(tīng)(av)系統(tǒng)、智能電視等。

處理器1210可以將輸入的命令解碼，并且對(duì)存儲(chǔ)在系統(tǒng)1200中的數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算、比較等，以及控制這些操作。處理器1210可以包括：微型處理器單元(mpu)、中央處理單元(cpu)、單核/多核處理器、圖形處理單元(gpu)、應(yīng)用處理器(ap)、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)等等。

主存儲(chǔ)器件1220為如下的存儲(chǔ)器，其當(dāng)執(zhí)行程序時(shí)能夠暫時(shí)地存儲(chǔ)、調(diào)用和執(zhí)行來(lái)自輔助存儲(chǔ)器件1230的程序編碼或者數(shù)據(jù)，并且即使當(dāng)電源切斷時(shí)也能保持存儲(chǔ)的內(nèi)容。主存儲(chǔ)器件1220可以包括根據(jù)實(shí)施方式的上述半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)。例如，主存儲(chǔ)器件1220可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分并包括摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面接觸，并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其在溝槽的一側(cè)與結(jié)區(qū)耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以通過(guò)將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)設(shè)置擴(kuò)散區(qū)，能夠改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，主存儲(chǔ)器件1220和系統(tǒng)1200可以具有改善的可靠性。

此外，主存儲(chǔ)器件1220還可以包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)等易失性存儲(chǔ)器的類型，其中，當(dāng)電源被切斷時(shí)擦除全部的內(nèi)容。與此不同，主存儲(chǔ)器件1220可以不包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，而可以包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)等易失性存儲(chǔ)器的類型，其中，當(dāng)電源被切斷時(shí)擦除全部的內(nèi)容。

輔助存儲(chǔ)器件1230為用于存儲(chǔ)程序編碼或者數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件。雖然輔助存儲(chǔ)器件1230的速度比主存儲(chǔ)器件1220慢，但是輔助存儲(chǔ)器件1230能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量更大。輔助存儲(chǔ)器件1230可以包括根據(jù)實(shí)施方式的上述半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)。例如，輔助存儲(chǔ)器件1230可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分并包含摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面接觸，并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其在溝槽的一側(cè)與結(jié)區(qū) 耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以通過(guò)將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)設(shè)置擴(kuò)散區(qū)，能夠改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，輔助存儲(chǔ)器件1230和系統(tǒng)1200可以具有改善的可靠性。

此外，輔助存儲(chǔ)器件1230還可以包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)(參見(jiàn)圖9中的附圖標(biāo)記1300)，例如，利用磁性的磁帶、磁盤、利用光學(xué)的光盤、利用磁性和光學(xué)的磁光盤、固態(tài)盤(ssd)、usb存儲(chǔ)器(通用串行總線存儲(chǔ)器)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等等。與此不同，輔助存儲(chǔ)器件1230可以不包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，而可以包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)(參見(jiàn)圖9中的附圖標(biāo)記1300)，例如，利用磁性的磁帶、磁盤、利用光學(xué)的光盤、利用磁性和光學(xué)的磁光盤、固態(tài)盤(ssd)、usb存儲(chǔ)器(通用串行總線存儲(chǔ)器)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等等。

接口器件1240可以執(zhí)行本實(shí)施方式的系統(tǒng)1200與外部設(shè)備之間的命令和數(shù)據(jù)的交換。接口器件1240可以為按鍵、鍵盤、鼠標(biāo)、揚(yáng)聲器、麥克風(fēng)、顯示器、各種人機(jī)接口設(shè)備(hid)、通信設(shè)備等。通信設(shè)備可以包括：能夠與有線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊、能夠與無(wú)線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊、以及二者。有線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括諸如經(jīng)由傳輸線來(lái)發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備：局域網(wǎng)(lan)、通用串行總線(usb)、以太網(wǎng)、電力線通信(plc)等等。無(wú)線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括諸如在不需要傳輸線的情況下發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備：紅外線數(shù)據(jù)協(xié)會(huì)(irda)、碼分多址(cdma)、時(shí)分多址(tdma)、頻分多址(fdma)、無(wú)線lan、zigbee、泛在傳感器網(wǎng)絡(luò)(usn)、藍(lán)牙、射頻識(shí)別(rfid)、長(zhǎng)期演進(jìn)(lte)、近場(chǎng)通信(nfc)、無(wú)線寬帶互聯(lián)網(wǎng)(wibro)、高速下行鏈路分組接入(hsdpa)、寬帶cdma(wcdma)、超寬帶(uwb)等等。

圖9為實(shí)施基于公開(kāi)的技術(shù)的存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的配置圖的示例。

參見(jiàn)圖9，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300可以包括：存儲(chǔ)器件1310，其作為用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件具有非易失性特性；控制器1320，其控制存儲(chǔ)器件1310；接口1330，其用于與外部設(shè)備連接；以及暫時(shí)存儲(chǔ)器件1340，其用于暫時(shí)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300可以為盤型，例如硬盤驅(qū)動(dòng)(hdd)、光盤只讀存儲(chǔ)器(cdrom)、數(shù)字多功能光盤(dvd)、固態(tài)盤(ssd)等；以及可以為卡型，例如usb存儲(chǔ)器(通用串行總線存儲(chǔ)器)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc (emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等等。

存儲(chǔ)器件1310可以包括半永久性地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器可以包括：rom(只讀存儲(chǔ)器)、或非型快閃存儲(chǔ)器、與非型快閃存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pram)、阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)等。

控制器1320可以控制存儲(chǔ)器件1310與接口1330之間的數(shù)據(jù)交換。為此，控制器1320可以包括處理器1321，處理器1321用于執(zhí)行處理從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300的外部經(jīng)由接口1330輸入的命令的操作等。

接口1330執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300與外部設(shè)備之間的命令和數(shù)據(jù)的交換。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300為卡型的情況下，接口1300可以與在如下器件中使用的接口兼容，所述器件例如usb存儲(chǔ)器(通用串行總線存儲(chǔ)器)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等等，或者與在類似于上述器件的器件中使用的接口兼容。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300為盤型的情況下，接口1330可以與如下的接口兼容，例如ide(集成設(shè)備電路)、sata(串行高級(jí)技術(shù)附件)、scsi(小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)、esata(外部sata)、pcmcia(個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)),usb(通用串行總線)等，或者與類似于上述接口的接口兼容。接口1330可以與彼此具有不同類型的一個(gè)或多個(gè)接口兼容。

根據(jù)與外部設(shè)備、控制器和系統(tǒng)的接口的多樣化和高性能，暫時(shí)存儲(chǔ)器件1340可以暫時(shí)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以在接口1330與存儲(chǔ)器件1310之間高效地傳送數(shù)據(jù)。用于暫時(shí)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的暫時(shí)存儲(chǔ)器件1340可以包括根據(jù)實(shí)施方式的上述半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)。例如，暫時(shí)存儲(chǔ)器件1340可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分并包含摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面接觸，并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其在溝槽的一側(cè)與結(jié)區(qū)耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以通過(guò)將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)設(shè)置擴(kuò)散區(qū)，可以改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，暫時(shí)存儲(chǔ)器件1340和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1300可以具有改善的可靠性。

圖10為實(shí)施基于公開(kāi)的技術(shù)的存儲(chǔ)電路的存儲(chǔ)系統(tǒng)的配置圖的示例。

參見(jiàn)圖10，存儲(chǔ)系統(tǒng)1400可以包括：存儲(chǔ)器1410，其作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件具有非 易失性特性；存儲(chǔ)器控制器1420，其控制存儲(chǔ)器1410；接口1430，其用于與外部設(shè)備連接等等。存儲(chǔ)系統(tǒng)1400可以為卡型，例如固態(tài)盤(ssd)、usb存儲(chǔ)器(通用串行總線存儲(chǔ)器)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等等。

用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器1410可以包括根據(jù)實(shí)施方式的上述半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)。例如，存儲(chǔ)器1410可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分并包含摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的表面接觸，并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其在溝槽的一側(cè)與結(jié)區(qū)耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以通過(guò)將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)設(shè)置擴(kuò)散區(qū)，可以改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，存儲(chǔ)器1410和存儲(chǔ)系統(tǒng)1400可以具有改善的可靠性。

此外，根據(jù)本實(shí)施方式的存儲(chǔ)器1410還可以包括：rom(只讀存儲(chǔ)器)、或非型快閃存儲(chǔ)器、與非型快閃存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pram)、阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)等等，它們具有非易失性特性。

存儲(chǔ)器控制器1420可以控制存儲(chǔ)器1410與接口1430之間的數(shù)據(jù)交換。為此，存儲(chǔ)器控制器1420可以包括處理器1421，其用于執(zhí)行處理從存儲(chǔ)系統(tǒng)1400的外部經(jīng)由接口1430輸入的命令的操作。

接口1430執(zhí)行在存儲(chǔ)系統(tǒng)1400與外部設(shè)備之間的命令和數(shù)據(jù)的交換。接口1430可以與在如下器件中使用的接口兼容，所述器件例如，usb存儲(chǔ)器(通用串行總線存儲(chǔ)器)、安全數(shù)字(sd)卡、迷你安全數(shù)字(msd)卡、微型安全數(shù)字(微型sd)卡、安全數(shù)字高容量(sdhc)卡、記憶棒卡、智能媒體(sm)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、緊湊型快閃(cf)卡等等，或者與在類似于上述器件的器件中使用的接口兼容。接口1430可以與彼此具有不同類型的一個(gè)或多個(gè)接口兼容。

根據(jù)本實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)1400還可以包括緩沖存儲(chǔ)器1440，其用于根據(jù)與外部設(shè)備、存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)系統(tǒng)的接口的多樣化和高性能，而在接口1430與存儲(chǔ)器1410之間高效地傳送數(shù)據(jù)。例如，緩沖存儲(chǔ)器1440可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：溝槽，其形成在襯底內(nèi)；柵電介質(zhì)層，其形成在溝槽的表面上；柵電極，其形成在柵電介質(zhì)層上，間隙填充溝槽的一部分并包含摻雜劑；擴(kuò)散區(qū)，其形成為與溝槽的 表面接觸，并且在襯底內(nèi)與柵電極相對(duì)應(yīng)；結(jié)區(qū)，其形成在襯底內(nèi)、溝槽的兩側(cè)；以及存儲(chǔ)元件，其在溝槽的一側(cè)與結(jié)區(qū)耦接。擴(kuò)散區(qū)可以包括與包含在柵電極中的摻雜劑相同材料的摻雜劑。擴(kuò)散區(qū)可以通過(guò)將包含在柵電極中的摻雜劑擴(kuò)散入襯底內(nèi)來(lái)形成。通過(guò)設(shè)置擴(kuò)散區(qū)，可以改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能。經(jīng)由此，緩沖存儲(chǔ)器1440和存儲(chǔ)系統(tǒng)1400可以具有改善的可靠性。

此外，根據(jù)本實(shí)施方式的緩沖存儲(chǔ)器1440還可以包括：具有易失性特性的sram(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、dram(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等；以及具有非易失性特性的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sttram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)等。與此不同，緩沖存儲(chǔ)器1440可以不包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，而可以包括：具有易失性特性的sram(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、dram(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等；以及具有非易失性特性的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sttram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)等。

基于在本文件中公開(kāi)的存儲(chǔ)器件的在圖6至圖10中的電子設(shè)備或系統(tǒng)的以上示例的特征可以在各種設(shè)備、系統(tǒng)或應(yīng)用中實(shí)施。一些示例包括移動(dòng)電話或者其它的便攜式通信設(shè)備、平板電腦、筆記本或者膝上型計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、智能電視機(jī)、tv機(jī)頂盒、多媒體服務(wù)器、具有或不具有無(wú)線通信功能的數(shù)碼照相機(jī)、具有無(wú)線通信功能的手表或者其它的可佩戴設(shè)備。

盡管本專利文件包含很多細(xì)節(jié)，但是這些細(xì)節(jié)不應(yīng)當(dāng)解釋為是對(duì)于任何發(fā)明的范圍或者要求保護(hù)的范圍的限制，更確切地說(shuō)，應(yīng)當(dāng)解釋為可以是特定發(fā)明的具體實(shí)施例的具體特征的描述。在各個(gè)實(shí)施例的上下文中，本專利文件中所述的某些特征也可以結(jié)合在單個(gè)實(shí)施例來(lái)實(shí)施。相反地，在單個(gè)實(shí)施例的上下文中描述的各種特征也可以在多個(gè)實(shí)施例中單獨(dú)地實(shí)施或者采用任何適合的子組合來(lái)實(shí)施。此外，盡管特征之前可能被描述為用作某些組合，甚至最初這樣被要求保護(hù)，但是要求保護(hù)的組合中的一個(gè)或更多的特征在一些情況下可能從該組合中被去除，并且該要求保護(hù)的組合可以涉及子組合或者子組合的變體。

類似地，盡管在附圖中采用特定的次序描繪了操作，但是這不應(yīng)當(dāng)理解為需要采用所示的特定次序或者順序的次序來(lái)執(zhí)行這種操作，或者執(zhí)行全部所示的操作來(lái)實(shí)現(xiàn)期望的結(jié)果。此外，在本專利文件中所述的實(shí)施例中的各種系統(tǒng)部件的分隔不應(yīng)當(dāng)理解為在全部的實(shí)施例中需要這種分隔。

僅描述了一些實(shí)施方式和示例?；谠搶＠募兴枋龊蛨D示的內(nèi)容能夠產(chǎn)生其 它的實(shí)施方式、改進(jìn)的實(shí)施方式和變體。