本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說(shuō)，涉及一種太陽(yáng)能電池及其制作方法。

背景技術(shù)：
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽(yáng)能無(wú)疑是一種清潔、普遍和潛力高的替代能源。太陽(yáng)能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽(yáng)的光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。由于它是綠色環(huán)保產(chǎn)品，不會(huì)引起環(huán)境污染，而且太陽(yáng)能是可再生資源，所以在當(dāng)今能源短缺的情形下，太陽(yáng)能電池是一種有廣闊發(fā)展前途的新型能源，并受到了廣泛的關(guān)注。背電場(chǎng)作為太陽(yáng)能電池的主要結(jié)構(gòu)之一，其作用是在太陽(yáng)能電池背面形成P/P+的高低結(jié)結(jié)構(gòu)，阻止P區(qū)光生電子到其背面的復(fù)合，降低其背表面復(fù)合速率?，F(xiàn)有的太陽(yáng)能電池主要采用絲網(wǎng)印刷鋁漿并燒結(jié)的方式在太陽(yáng)能電池的背面形成鋁背場(chǎng)。但是，由于鋁在硅中的溶解度較低，很難得到一個(gè)較高的鋁背場(chǎng)摻雜濃度，因而形成的背電場(chǎng)效果受到制約，影響太陽(yáng)能電池的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池及其制作方法，通過(guò)對(duì)基底一表面制作硼擴(kuò)散層以作為背電場(chǎng)，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進(jìn)而提高了背電場(chǎng)的效果，提高了太陽(yáng)能電池的性能。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：一種太陽(yáng)能電池的制作方法，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保護(hù)層；在所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層；去除所述第一保護(hù)層和硼硅玻璃后，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護(hù)層；在所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層；去除所述第二保護(hù)層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層；在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽(yáng)能電池。優(yōu)選的，在形成所述正面電極的同時(shí)、且在所述燒結(jié)前，還包括：在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極。優(yōu)選的，在提供所述基底后、且在形成所述第一保護(hù)層前，還包括：對(duì)所述基底進(jìn)行表面拋光；或者，將所述基底的表面制作為絨面。優(yōu)選的，在對(duì)所述基底進(jìn)行表面拋光時(shí)，其中，在形成所述第二保護(hù)層后、且在制作所述磷擴(kuò)散層前，還包括：將所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作為絨面。優(yōu)選的，在所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層為：在擴(kuò)散爐管中對(duì)所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層，其中，擴(kuò)散工藝參數(shù)為：所述擴(kuò)散爐管中的溫度范圍為850℃～1100℃，包括端點(diǎn)值；擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)范圍為45min～120min，包括端點(diǎn)值；對(duì)所述擴(kuò)散爐管通入的氧氣和氮?dú)獾牧髁勘妊鯕饬髁浚旱獨(dú)饬髁康姆秶鸀?：20～1:5，包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，在所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層為：采用液態(tài)三氯氧磷擴(kuò)散工藝對(duì)所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層，其中，擴(kuò)散工藝參數(shù)為：擴(kuò)散溫度范圍為800℃～900℃，包括端點(diǎn)值；擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)范圍為30min～120min，包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，所述第一保護(hù)層和/或第二保護(hù)層為第一氮化硅層；以及，所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的厚度范圍為25nm～55nm，包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，所述第一鈍化層和/或第二鈍化層為第二氮化硅層；以及，所述第二氮化硅層的厚度范圍為80nm～120nm，包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，所述第二鈍化層為氧化鋁/氮化硅疊層；以及，所述氧化鋁/氮化硅疊層的厚度范圍為70nm～90nm，包括端點(diǎn)值，且所述氧化鋁/氮化硅疊層中氧化鋁層的厚度范圍為5nm～30nm，包括端點(diǎn)值，所述氧化鋁/氮化硅疊層中氮化硅層的厚度范圍為40nm～85nm，包括端點(diǎn)值。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種太陽(yáng)能電池，所述太陽(yáng)能電池采用上述的太陽(yáng)能電池的制作方法制作而成。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池及其制作方法，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保護(hù)層；在所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層；去除所述第一保護(hù)層和硼硅玻璃后，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護(hù)層；在所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層；去除所述第二保護(hù)層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層；在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽(yáng)能電池。由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，在基底的一表面制作硼擴(kuò)散層，進(jìn)而將硼擴(kuò)散層作為太陽(yáng)能電池的背電場(chǎng)，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進(jìn)而提高了背電場(chǎng)的效果，提高了太陽(yáng)能電池的性能。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種太陽(yáng)能電池的制作方法的流程圖；圖2a至圖2g為圖1示制作方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖；圖3a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種太陽(yáng)能電池的制作方法的流程圖；圖3b為圖3a所示制作方法中太陽(yáng)能電池?zé)Y(jié)前對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種基底制絨后的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。正如背景技術(shù)所述，由于鋁在硅中的溶解度較低，很難得到一個(gè)較高的鋁背場(chǎng)摻雜濃度，因而形成的背電場(chǎng)效果受到制約，影響太陽(yáng)能電池的性能?；诖?，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池及其制作方法，通過(guò)對(duì)基底一表面制作硼擴(kuò)散層以作為背電場(chǎng)，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進(jìn)而提高了背電場(chǎng)的效果，提高了太陽(yáng)能電池的性能。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下，具體結(jié)合圖1至圖4所示，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。參考圖1所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種太陽(yáng)能電池的制作方法的流程圖，其中，太陽(yáng)能電池的制作方法包括：S1、提供一基底；S2、在所述基底一表面形成第一保護(hù)層；S3、在所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層；S4、去除所述第一保護(hù)層和硼硅玻璃后，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護(hù)層；S5、在所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層；S6、去除所述第二保護(hù)層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層；S7、在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽(yáng)能電池。由上述內(nèi)容可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，在基底的一表面制作硼擴(kuò)散層，進(jìn)而將硼擴(kuò)散層作為太陽(yáng)能電池的背電場(chǎng)，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進(jìn)而提高了背電場(chǎng)的效果，提高了太陽(yáng)能電池的性能。具體的，結(jié)合圖2a至圖2g所示，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行更詳細(xì)的描述，圖2a至圖2g為圖1示制作方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖。其中，參考圖2a所示，首先提供一基底10；本申請(qǐng)實(shí)施例提供的基底為硅片，其可以為N型基底，還可以為P型基底，對(duì)此本申請(qǐng)實(shí)施例不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行具體選取。參考圖2b所示，在獲取基底10后，對(duì)基底10的一表面形成一第一保護(hù)層21；其中，第一保護(hù)層的材質(zhì)可以為氮化硅，其作用相當(dāng)于掩膜，用于在后續(xù)對(duì)基底另一表面制作硼擴(kuò)散層時(shí)，保護(hù)與第一保護(hù)層接觸的基底的表面不受影響。進(jìn)一步的，在提供所述基底后、且在形成所述第一保護(hù)層前，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法還包括：對(duì)所述基底進(jìn)行表面拋光；或者，將所述基底的表面制作為絨面。其中，可以采用堿性拋光液(NaOH拋光液)對(duì)基底進(jìn)行拋光，由于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法在制作硼擴(kuò)散層前對(duì)基底表面進(jìn)行拋光，進(jìn)而保證了硼擴(kuò)散過(guò)程的均勻性高，提高硼擴(kuò)散層的質(zhì)量，并且光滑的表面有利于增強(qiáng)背反射和鈍化效果。另外，將基底的表面制作為絨面，能夠降低太陽(yáng)能電池背面的反射率，且制作工藝較為簡(jiǎn)單。參考圖2c所示，制作完畢第一保護(hù)層21后，需要在基底10背離第一保護(hù)層21的表面制作硼擴(kuò)散層30；其中，在所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層為：在擴(kuò)散爐管中對(duì)所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層，其中，擴(kuò)散工藝參數(shù)為：所述擴(kuò)散爐管中的溫度范圍為850℃～1100℃，包括端點(diǎn)值；擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)范圍為45min～120min，包括端點(diǎn)值；對(duì)所述擴(kuò)散爐管通入的氧氣和氮?dú)獾牧髁勘妊鯕饬髁浚旱獨(dú)饬髁康姆秶鸀?：20～1:5，包括端點(diǎn)值。需要說(shuō)明的是，對(duì)于上述硼擴(kuò)散工藝中，其擴(kuò)散爐管中的溫度可以為860℃、900℃、1000℃等任意數(shù)值，擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)可以為50min、70min、90min、100min、110min等任意數(shù)值，以及，氧氣和氮?dú)獾牧髁勘瓤梢詾?：15、1：10、1：8、1：6等任意數(shù)值，對(duì)此本申請(qǐng)不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行具體選取。其中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的硼擴(kuò)散層的擴(kuò)散方阻為20歐姆～80歐姆，包括端點(diǎn)值。參考圖2d所示，制作完畢硼擴(kuò)散層30后，后續(xù)需要在基底10背離硼擴(kuò)散層30的表面制作磷擴(kuò)散層，且為了避免制作磷擴(kuò)散層時(shí)對(duì)硼擴(kuò)散層30的影響，需要將硼擴(kuò)散層30進(jìn)行保護(hù)；即，去除第一保護(hù)層21和硼硅玻璃后，在硼擴(kuò)散層背離基底10一側(cè)形成第二保護(hù)層22；其中，第二保護(hù)層的材質(zhì)可以為氮化硅，其作用相當(dāng)于掩膜，用于在后續(xù)對(duì)基底一表面制作磷擴(kuò)散層時(shí)，保護(hù)與第二保護(hù)層接觸的硼擴(kuò)散層不受影響。需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，首先在基底上制作硼擴(kuò)散層，而后制作磷擴(kuò)散層，避免出現(xiàn)由于磷擴(kuò)散需要溫度比硼擴(kuò)散需要溫度低而出現(xiàn)硼磷交叉影響的情況，保證了各自的摻雜質(zhì)量高。進(jìn)一步的，在制作第二保護(hù)層前，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法可以采用酸溶液清洗基底以去除第一保護(hù)層，且同時(shí)去除硼硅玻璃，提高太陽(yáng)能電池的質(zhì)量；其中，酸溶液可以為氫氟酸溶液。另外，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述第一保護(hù)層和/或第二保護(hù)層為第一氮化硅層；以及，所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的厚度范圍為25nm～55nm，包括端點(diǎn)值。由于現(xiàn)有技術(shù)中在太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程中需要制作氮化硅膜作為減反膜，因此，將本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一保護(hù)層和第二保護(hù)層均制作為第一氮化硅層，不需要新增設(shè)備。此外，本申請(qǐng)實(shí)施例在制作第一保護(hù)層和第二保護(hù)層時(shí)，其厚度的選取需要滿足清洗腐蝕及擴(kuò)散時(shí)的掩膜作用，其厚度需要適中，避免出現(xiàn)過(guò)厚而造成去除時(shí)困難的情況，其厚度可以為30nm、40nm、50nm等任意數(shù)值，對(duì)此本申請(qǐng)實(shí)施不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行具體選取。參考圖2e所示，在制作完畢第二保護(hù)層22后，開(kāi)始制作磷擴(kuò)散層40，即，在基底10背離硼擴(kuò)散層30的表面制作磷擴(kuò)散層40；其中，在所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層為：采用液態(tài)三氯氧磷擴(kuò)散工藝對(duì)所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層，其中，擴(kuò)散工藝參數(shù)為：擴(kuò)散溫度范圍為800℃～900℃，包括端點(diǎn)值；擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)范圍為30min～120min，包括端點(diǎn)值。需要說(shuō)明的是，對(duì)于上述磷擴(kuò)散工藝中，擴(kuò)散溫度可以為820℃、850℃、880℃等任意數(shù)值，以及，擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)可以為40min、80min、100min等任意數(shù)值，對(duì)此本申請(qǐng)實(shí)施不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行具體選取。其中，磷擴(kuò)散層的擴(kuò)散方阻為50歐姆～110歐姆，包括端點(diǎn)值。參考圖2f所示，制作完畢磷擴(kuò)散層40后，將要去除第二保護(hù)層22、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)，而后制作第一鈍化層51和第二鈍化層52；即，去除第二保護(hù)層22、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在磷擴(kuò)散層40背離基底10一側(cè)形成第一鈍化層51，以及，在硼擴(kuò)散層30背離基底10一側(cè)形成第二鈍化層52。其中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法可以采用酸溶液去除第二保護(hù)層，且同時(shí)去除磷硅玻璃，保證太陽(yáng)能電池的質(zhì)量高；進(jìn)一步的，可以采用等離子或激光刻蝕等刻蝕工藝，去除基底邊緣的pn結(jié)，進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的質(zhì)量。其中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述第一鈍化層和/或第二鈍化層可以為第二氮化硅層；以及，所述第二氮化硅層的厚度范圍為80nm～120nm，包括端點(diǎn)值；其中，第二氮化硅層的厚度可以為90nm、100nm、110nm等任意數(shù)值，對(duì)此本申請(qǐng)實(shí)施不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行具體選取。另外，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述第二鈍化層為氧化鋁/氮化硅疊層；其中，氧化鋁層位于氮化硅層和硼擴(kuò)散層之間；以及，所述氧化鋁/氮化硅疊層的厚度范圍為70nm～90nm，包括端點(diǎn)值，且所述氧化鋁/氮化硅疊層中氧化鋁層的厚度范圍為5nm～30nm，包括端點(diǎn)值，所述氧化鋁/氮化硅疊層中氮化硅層的厚度范圍為40nm～85nm，包括端點(diǎn)值；其中，氧化鋁/氮化硅疊層的厚度可以為80nm、85nm等任意數(shù)值，且氧化鋁層的厚度可以為10nm、20nm等任意數(shù)值，以及，氮化硅層的厚度可以為45nm、55nm、60nm、80nm等任意數(shù)值，對(duì)此本申請(qǐng)實(shí)施不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行具體選取。參考圖2g所示，在制作完畢第一鈍化層51和第二鈍化層52后，需要在第一鈍化層51背離基底10一側(cè)形成正面電極61并燒結(jié)，以得到太陽(yáng)能電池。其中，可以采用絲網(wǎng)印刷工藝且采用銀漿制作正面電極，正面電極即包括有主柵線和副柵線的電極，且主柵線和副柵線均為銀線，其主柵線數(shù)量可以為2～5根，對(duì)此本申請(qǐng)實(shí)施不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行具體選取。進(jìn)一步的，為了提高太陽(yáng)能電池的發(fā)電量，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法還可以進(jìn)一步將太陽(yáng)能電池制作為雙面電池結(jié)構(gòu)，即，參考圖3a所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種太陽(yáng)能電池的制作方法的流程圖，在步驟S7中，在形成所述正面電極的同時(shí)、且在所述燒結(jié)前，還包括：在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極。即，步驟S7為：在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極，且同時(shí)在所述第二鈍化層背離所述基底一側(cè)形成背面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽(yáng)能電池。參考圖3b所示，為3a所示制作方法中太陽(yáng)能電池?zé)Y(jié)前對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在得到形成有第一鈍化層51和第二鈍化層52的基底10后，在第一鈍化層51背離基底一側(cè)形成正面電極61，同時(shí)在第二鈍化層52背離基底10一側(cè)形成背面電極62，其中，背面電極可以采用絲網(wǎng)印刷工藝且采用銀鋁漿制作，背面電極即包括有主柵線和副柵線的電極，且主柵線和副柵線均為銀鋁線，其主柵線的數(shù)量與正面電極的主柵線的數(shù)量相同、且位置對(duì)應(yīng)。進(jìn)一步的，為了降低反射率，且提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率，在之前制作工藝中對(duì)基底進(jìn)行表面拋光時(shí)，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的磷擴(kuò)散層一側(cè)還可以制作為絨面。其中，在對(duì)所述基底進(jìn)行表面拋光時(shí)，其中，在形成所述第二保護(hù)層后、且在制作所述磷擴(kuò)散層前，還包括：將所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作為絨面，其中，本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)制絨工藝對(duì)基底背離硼擴(kuò)散層的表面制作為絨面，本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)于制絨工藝不做具體限制。具體參考圖4所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種基底制絨后的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖4為在形成所述第二保護(hù)層22后、且在制作所述磷擴(kuò)散層前的制絨結(jié)構(gòu)示意圖，其中，基底10背離硼擴(kuò)散層30一側(cè)制作有絨面70。相應(yīng)的，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種太陽(yáng)能電池，所述太陽(yáng)能電池采用上述任意一實(shí)施例提供的的太陽(yáng)能電池的制作方法制作而成。本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池及其制作方法，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保護(hù)層；在所述基底背離所述第一保護(hù)層的表面制作硼擴(kuò)散層；去除所述第一保護(hù)層和硼硅玻璃后，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二保護(hù)層；在所述基底背離所述硼擴(kuò)散層的表面制作磷擴(kuò)散層；去除所述第二保護(hù)層、磷硅玻璃和邊緣pn結(jié)后，在所述磷擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第一鈍化層，以及，在所述硼擴(kuò)散層背離所述基底一側(cè)形成第二鈍化層；在所述第一鈍化層背離所述基底一側(cè)形成正面電極并燒結(jié)后，得到所述太陽(yáng)能電池。由上述內(nèi)容可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，在基底的一表面制作硼擴(kuò)散層，進(jìn)而將硼擴(kuò)散層作為太陽(yáng)能電池的背電場(chǎng)，以在基底背離正面電極一側(cè)形成高濃度摻雜區(qū)域，進(jìn)而提高了背電場(chǎng)的效果，提高了太陽(yáng)能電池的性能。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。