技術特征：
1.光電子半導體本體（100），-帶有襯底（102，132，202），-帶有張緊層（104，134，160），該張緊層在第一外延步驟中被施加在所述襯底（102，132，202）上，其中所述張緊層（104，134，160）具有至少一個垂直形成在所述張緊層中的凹部（106，110），其中在第二外延步驟中，在所述張緊層（104，134，160）上施加了另外的層（108，136，168），該另外的層將所述至少一個凹部（106，110）填充并且至少局部地覆蓋該張緊層（104，134，160），其中-至少一個凹部（106，110）包括第一類型的凹部（106）和/或第二類型的凹部（110），-所述第一類型的凹部（106）具有5μm至100μm的寬度，以及-所述第二類型的凹部（110）具有0.1μm至5μm的寬度。2.根據(jù)權利要求1所述的光電子半導體本體，其中所述另外的層（108，136，168）的晶格常數(shù)與所述襯底（102，132，202）的晶格常數(shù)的偏差小于所述張緊層（104，134，160）的晶格常數(shù)與所述襯底（102，132，202）的晶格常數(shù)的偏差。3.根據(jù)權利要求1所述的光電子半導體本體，其中，所述張緊層（104，134，160）的晶格常數(shù)小于所述襯底的晶格常數(shù)，同時所述另外的層（108，136，168）的晶格常數(shù)大于所述襯底的晶格常數(shù)。4.根據(jù)權利要求1至3之一所述的光電子半導體本體，其中，所述張緊層（104，134，160）在所述凹部（106）中被薄化。5.根據(jù)權利要求1至3之一所述的光電子半導體本體，其中，所述張緊層（104，134，160）在所述凹部（106）中是完全被中斷的。6.根據(jù)權利要求1至3之一所述的光電子半導體本體，其中，所述另外的層（108，136，168）完全覆蓋所述張緊層（104，134，160）。7.根據(jù)權利要求1至3之一所述的光電子半導體本體，其中，所述張緊層（104，134，160）的厚度在0.5μm和5μm之間。8.根據(jù)權利要求7所述的光電子半導體本體，其中所述張緊層（104，134，160）的厚度在1μm和3μm之間。9.根據(jù)權利要求1至3之一所述的光電子半導體本體，其中所述襯底（132）具有GaN并且所述張緊層是由制成的外罩層（134），其中0≤x≤0.1并且0≤y≤1。10.根據(jù)權利要求9所述的光電子半導體本體，其中在InAlGaN外罩層（134）和具有GaN的所述襯底（132）之間施加有中間層（114）。11.根據(jù)權利要求10所述的光電子...