技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種帶有ESD結(jié)構(gòu)的溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法，通過在半導(dǎo)體襯底上形成第一溝槽和第二溝槽；第一溝槽的寬度小于第二溝槽；并在形成第一溝槽和第二溝槽后的半導(dǎo)體襯底上依次形成第一氧化層和第一介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層上涂覆完全填充第二溝槽的第一掩膜介質(zhì)；去除第一溝槽與第二溝槽外的第一介質(zhì)層；在第二溝槽內(nèi)形成靜電放電ESD結(jié)構(gòu)的離子注入?yún)^(qū)，該離子注入?yún)^(qū)包括并列且交替排列的P+型區(qū)和N+型區(qū)。從而通過將ESD結(jié)構(gòu)的離子注入?yún)^(qū)設(shè)置在大于第一溝槽的第二溝槽內(nèi)，使得該ESD結(jié)構(gòu)在形成過程中不需要采用光刻掩模版進(jìn)行光刻刻蝕，而直接采用回刻的方式將溝槽型半導(dǎo)體器件溝槽外部平面處的多晶硅刻蝕掉，簡化制作工藝，降低制作成本。

技術(shù)研發(fā)人員：馬萬里
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.31
技術(shù)公布日：2017.10.24