技術(shù)編號：12036375
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有ESD結(jié)構(gòu)的溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展，人們對半導(dǎo)體器件的性能有著更高的要求，然而，靜電放電ESD(Electro-StaticDischarge)現(xiàn)象會在半導(dǎo)體器件封裝、運輸、使用等各個環(huán)節(jié)中出現(xiàn)，造成器件被靜電擊穿而失效，因此在半導(dǎo)體器件中設(shè)計ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。目前，對于帶有ESD結(jié)構(gòu)的溝槽型半導(dǎo)體器件，如MOSFET、VDMOS器件，常規(guī)的制作方法是在溝槽外部平面處的多晶硅層上通過注入N型、P型離子...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。