技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。該制造方法包括：提供襯底結(jié)構(gòu)，襯底結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底和襯底上的鰭片，鰭片包括半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層頂部上的硬掩模層；在鰭片側(cè)壁上形成隔離層；以硬掩模層和隔離層作為掩?？涛g襯底，從而在鰭片兩側(cè)形成分離的凹陷，凹陷還延伸到鰭片底部下的襯底的一部分中；以絕緣填充材料至少填充凹陷，從而形成第一填充層。本發(fā)明形成的隔離結(jié)構(gòu)介電常數(shù)低、機(jī)械強(qiáng)度好，可以有效減小漏電流，從而改善了器件性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周鳴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.30
技術(shù)公布日：2017.10.24