技術(shù)編號：12036477
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，更具體地，涉及鰭片式(Fin)裝置及其制造方法。背景技術(shù)現(xiàn)有的鰭片式裝置(例如，F(xiàn)inFET器件)的一種典型的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其包括襯底102和襯底102上的鰭片結(jié)構(gòu)。其中鰭片結(jié)構(gòu)包括了半導(dǎo)體層104和覆蓋在半導(dǎo)體層104上的硬掩模層106。在該常規(guī)結(jié)構(gòu)中，鰭片之間采用隔離層108進(jìn)行隔離。由于隔離層108僅存在于鰭片半導(dǎo)體層104之間的部位，而鰭片結(jié)構(gòu)底部的襯底并未形成有效的隔離，因此就會帶來漏電流的問題。上述問題在基于體(Bulk...
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