技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件安全認(rèn)證方法，提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上形成有半導(dǎo)體器件以及至少一個電路元件矩陣，電路元件矩陣包括多個同一種類的電路元件，電路元件包括底層抗反射層，電路元件矩陣中至少部分電路元件的底層抗反射層的形狀存在差異；多次比較電路元件矩陣中任意兩個電路元件的元件參數(shù)值，并且每次比較的電路元件不完全相同，獲得多個比較結(jié)果；將獲得的多個比較結(jié)果構(gòu)成的序列作為半導(dǎo)體器件的密鑰。由于電路元件矩陣中至少部分電路元件的底層抗反射層的形狀存在差異，因此電路元件矩陣中至少部分電路元件的元件參數(shù)值存在差異，利用元件參數(shù)值差異應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的安全認(rèn)證，具有廣泛的發(fā)展前景。

技術(shù)研發(fā)人員：呼翔;彭坤;施平;羅學(xué)輝;趙連國;李強;王海蓮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.19
技術(shù)公布日：2017.08.29