技術(shù)編號：11434330
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件安全認證方法。背景技術(shù)隨著數(shù)字編碼的應(yīng)用越來越廣，在承載介質(zhì)用編碼方式埋藏信息的也越來越多，埋藏在承載介質(zhì)的編碼的加密方法大都采用數(shù)字加密解密方法，這種加密解密方法原則上停留在數(shù)字層面上，因此總是能夠破譯的，因此找到一種無法破譯的方法正是本發(fā)明的目的。另一方面，底層抗反射層(BARC)在器件層上具有收縮現(xiàn)象，收縮后的形狀及大小時不可控的。具體的，實際制造電路元件過程中，通常在光刻膠的底部涂覆一層有機底層抗反射層(BARC)，利用有機BARC比覆...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。