技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供襯底，襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在襯底上形成刻蝕阻擋層，形成刻蝕阻擋層的步驟包括在第一區(qū)域襯底表面形成第一刻蝕阻擋層；在襯底和第一刻蝕阻擋層上形成鰭部材料層，鰭部材料層與第一刻蝕阻擋層的材料不相同；圖形化所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的鰭部材料層以及第二區(qū)域的襯底，在第一區(qū)域形成暴露出刻蝕阻擋層的第一開口，并在第二區(qū)域形成初始鰭部；形成覆蓋第一開口處第一刻蝕阻擋層及初始鰭部之間襯底的隔離層，刻蝕阻擋層與隔離層的組成元素不同；對隔離層進行刻蝕，產(chǎn)生刻蝕副產(chǎn)物，對刻蝕副產(chǎn)物進行檢測，刻蝕至刻蝕副產(chǎn)物發(fā)生變化。其中，通過刻蝕阻擋層實現(xiàn)對晶體管鰭部高度的控制。

技術(shù)研發(fā)人員：劉繼全;龔春蕾
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.04
技術(shù)公布日：2017.08.11