技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法。首先提供一基底，然后形成一第一鰭狀結(jié)構(gòu)以及一第二鰭狀結(jié)構(gòu)于基底上，形成一第一外延層于第一鰭狀結(jié)構(gòu)上以及一第二外延層于第二鰭狀結(jié)構(gòu)上，接著形成一遮蓋層于第一外延層及第二外延層上，其中第一外延層及第二外延層之間的一距離介于遮蓋層厚度的二倍至遮蓋層厚度的四倍。

技術(shù)研發(fā)人員：洪慶文;劉盈成;吳家榮;李怡慧;黃志森
受保護的技術(shù)使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.29
技術(shù)公布日：2017.07.14