技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種雙重圖形化的方法，包括：在核心層頂部表面和側(cè)壁表面、以及第二區(qū)域的基底表面形成側(cè)墻層，且位于第二子區(qū)域的基底表面的側(cè)墻層頂部與第一區(qū)域的基底表面齊平；在側(cè)墻層表面形成犧牲層，且犧牲層頂部高于核心層頂部或與和核心層頂部齊平；對(duì)犧牲層頂部以及側(cè)墻層頂部進(jìn)行平坦化處理，去除高于核心層頂部的犧牲層以及側(cè)墻層；去除犧牲層和核心層，且第一區(qū)域的基底表面與第二子區(qū)域的側(cè)墻層頂部齊平；以第一子區(qū)域的側(cè)墻層為掩膜，刻蝕去除位于第二子區(qū)域的側(cè)墻層以及位于第二子區(qū)域的第一厚度的基底，還刻蝕去除位于第一區(qū)域的第二厚度的基底，在基底內(nèi)形成目標(biāo)圖形。本發(fā)明減小目標(biāo)圖形兩側(cè)的基底表面高度差值，提高形成的目標(biāo)圖形質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：張城龍;鄭二虎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.08
技術(shù)公布日：2017.07.18