技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導體襯底；形成若干鰭部，鰭部頂部具有掩膜層，相鄰鰭部之間具有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽內(nèi)形成隔離層；去除掩膜層，形成覆蓋隔離層和鰭部的第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層；在第二介質(zhì)層表面形成具有開口的圖形化掩膜層；沿開口對第二介質(zhì)層進行離子注入；去除圖形化掩膜層，進行退火處理，在第二介質(zhì)層內(nèi)形成刻蝕速率小于第二介質(zhì)層刻蝕速率的摻雜層；去除第二介質(zhì)層以及部分厚度的摻雜層；刻蝕第一介質(zhì)層，保留部分厚度的第一介質(zhì)層；刻蝕隔離層，使第二凹槽以外的隔離層的高度下降。所述方法形成未被回刻蝕的隔離層，在所述未刻蝕的隔離層表面形成偽柵極，可以提高待形成的晶體管的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：趙海
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.06
技術(shù)公布日：2017.07.14